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公开(公告)号：CN118552802B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410688201.9
申请日：2024-05-30
Applicant: 上海大学
IPC: G06V10/77 , G06V10/44 , G06V10/58 , G06V10/82 , G06V10/776 , G06V10/30 , G06V20/10 , G06V20/13 , G06N3/0464
Abstract: 本发明属于高光谱图像处理领域，涉及一种用于高光谱图像的快速异常检测方法与装置，本发明通过整合张量、结构稀疏范数和卷积神经网络去噪器设计核心函数，以构建高光谱图像异常检测模型，将待检测图像输入高光谱图像异常检测模型内，并引入中间变量并构筑其对应拉格朗日函数，对高光谱图像异常检测模型核心函数进行优化，采用迭代优化机制，持续分析高光谱图像异常检测模型中各子变量的优化进展，利用内置收敛检测机制判断拉格朗日函数是否达到预设收敛标准，待拉格朗日函数达到预设收敛标准，输出待检测图像的光谱异常检测结果并进行可视化显示，有效完善现有检测方法针对高光谱图像异常结构信息忽视和噪声干扰的缺陷。
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公开(公告)号：CN119277861A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411397332.8
申请日：2024-10-09
Applicant: 上海大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/857 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种基于非对称结构制备Micro‑LED显示器件的低温混合键合方法，涉及显示器件技术领域。所述方法通过非对称结构设计，结合低温条件下的混合键合技术，实现了Micro‑LED芯片与基板或其他组件之间的精确对准与高效连接，降低了Micro‑LED器件中因各组件材料的不同热膨胀系数和杨氏模量会导致Micro‑LED在工作过程中所产生较大的热应力和变形。
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公开(公告)号：CN119277761A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411388542.0
申请日：2024-09-30
Applicant: 上海大学
IPC: H10B10/00
Abstract: 本申请公开了一种半导体静态存储器及其制备方法，涉及半导体领域。半导体静态存储器包括衬底以及设置在衬底上的埋入式电源轨和互补场效应晶体管；第一埋入式电源轨和第二埋入式电源轨平行设置在衬底的两端；第一互补场效应晶体管是通过将第一下拉晶体管和第一上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的；第二互补场效应晶体管是通过将第一传输晶体管和第二传输晶体管，由下至上依次堆叠得到的；第一传输晶体管和第二传输晶体管的类型均为n型；第三互补场效应晶体管是通过将第二下拉晶体管和第二上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的。本申请能够实现标准单元面积缩减，提升SRAM的集成度。
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公开(公告)号：CN119245850A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411265495.0
申请日：2024-09-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种双参数传感器阵列及其制备方法，其中双参数传感器阵列包括衬底、分压电阻阵列、肖特基二极管阵列和压敏薄膜，分压电阻阵列包括若干呈阵列排布的分压电阻；肖特基二极管阵列包括若干分别位于分压电阻上的肖特基二极管，肖特基二极管包括阴电极、阳电极以及位于阴电极与阳电极之间的半导体结构，阴电极与对应的分压电阻的第一端电连接，阳电极的第一端通过半导体结构与阴电极电连接，阳电极的第二端与对应的分压电阻的第二端电连接；在压力测试时，压敏薄膜覆盖在肖特基二极管阵列上。本发明解决了在双参数传感器阵列中存在压敏传感器的灵敏度与空间分辨率无法兼顾，且温度传感器对压力信号容易耦合的问题。
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公开(公告)号：CN119008699A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411091088.2
申请日：2024-08-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种全包围栅极场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，延展结构包括源极延展结构和/或漏极延展结构，源极、栅极结构、漏极、源极延展结构和漏极延展结构均设置于衬底的同一侧，栅极结构设置于源极与漏极之间，源极延展结构设置于源极与栅极结构之间，漏极延展结构设置于漏极与栅极结构之间，源极和漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，源极延展结构和漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，源极和源极延展结构的离子掺杂浓度不同，漏极和漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。本发明能够优化晶体管性能，提高电路设计的灵活度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118859396A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310485642.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 上海大学
Abstract: 公开一种用于显示装置的薄膜及其制备方法、显示装置。薄膜包括主膜层，所述主膜层包括：金属氧化物和第二金属，所述金属氧化物包含的金属元素为第一金属，所述第一金属和所述第二金属均为过渡元素，所述第一金属在所述薄膜中的含量大于所述第二金属在所述薄膜中的含量；所述第一金属和所述第二金属的原子序数不同，所述金属氧化物为结晶态。
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公开(公告)号：CN118552802A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410688201.9
申请日：2024-05-30
Applicant: 上海大学
IPC: G06V10/77 , G06V10/44 , G06V10/58 , G06V10/82 , G06V10/776 , G06V10/30 , G06V20/10 , G06V20/13 , G06N3/0464
Abstract: 本发明属于高光谱图像处理领域，涉及一种用于高光谱图像的快速异常检测方法与装置，本发明通过整合张量、结构稀疏范数和卷积神经网络去噪器设计核心函数，以构建高光谱图像异常检测模型，将待检测图像输入高光谱图像异常检测模型内，并引入中间变量并构筑其对应拉格朗日函数，对高光谱图像异常检测模型核心函数进行优化，采用迭代优化机制，持续分析高光谱图像异常检测模型中各子变量的优化进展，利用内置收敛检测机制判断拉格朗日函数是否达到预设收敛标准，待拉格朗日函数达到预设收敛标准，输出待检测图像的光谱异常检测结果并进行可视化显示，有效完善现有检测方法针对高光谱图像异常结构信息忽视和噪声干扰的缺陷。
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公开(公告)号：CN118449497A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410526994.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 上海大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明公开一种GaN基迟滞比较电路，涉及半导体电路领域；该电路包括：相互连接的比较器电路、反馈电路和电流镜电路；比较器电路包括：第一N型GaN器件、第二N型GaN器件、第三N型GaN器件、第四N型GaN器件和第五N型GaN器件；反馈电路包括：第六N型GaN器件、第七N型GaN器件和第八N型GaN器件；使用N型GaN基有源器件取代了电阻型无源器件组成反馈电路，并将输出信号反馈至第七N型GaN器件的栅极，提高电路增益，降低信号的转换时间。
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公开(公告)号：CN118014860B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410219239.1
申请日：2024-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: G06T5/50 , G06T5/60 , G06T5/70 , G06V10/42 , G06V10/44 , G06V10/52 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06V20/70 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明属于计算机视觉技术领域，具体公开提供的一种基于注意力机制的多源多尺度图像融合方法与装置。该方法包括：导入不同尺度下收集待融合的图像，并进行预处理，组合成多源图像对；提取多源图像对的全局特征提取；搭建多尺度图像融合网络结构；设置目标掩膜，进行全局特征信息进行标注；设置训练损失函数；进行多源图像对的图像融合训练，并输出融合图像；本发明有效解决了当前场景适应不足的问题，提高了全局特征表示的能力。此外，通过全局特征标注，提高融合图像中红外图像中重要信息的保留比例和可见光图像中背景纹理的保留比例，并且在掩模的基础上设计了内容损失来指导特征提取，实现更好的多源图像融合。
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公开(公告)号：CN118353398A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410561582.4
申请日：2024-05-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种超级AB类跨导放大器，涉及放大器电路领域，电路包括：输入级电路模块、自适应偏置电路模块、本地共模反馈电路模块和输出级电路模块；自适应偏置电路模块、本地共模反馈电路模块和输出级电路模块均与输入级电路模块连接；输入级电路模块输入信号；自适应偏置电路模块根据输入信号提供自适应的偏置电流；本地共模反馈电路模块对输入信号和偏置电流进行速率与增益的转换，得到转换数据；输出级电路模块将转换数据进行输出，本发明提高放大器的增益、带宽与稳定性。
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