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公开(公告)号：CN106030811A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380082039.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802
Abstract: 一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法，涉及半导体技术，制作方法包括：以P+单晶硅片为衬底(11)，首先在P+单晶硅衬底(11)表面外延生长P型层(12)，然后在P型层(12)表面通过外延或离子注入并推阱形成一层N型层(13)，其中P型层(12)是超结部分的耐压层，N型层(13)是器件正面MOS部分的形成区域，在器件正面工艺完成后进行背面减薄，通过背面氢离子的多次选择性注入以及低温退火，形成超结结构中的N柱区(25)。本发明的有益效果为，制作方法简单，降低了制造工艺难度，减少了制造成本，尤其适用于功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作。
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公开(公告)号：CN105993076A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201480075122.5
申请日：2014-12-23
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7424 , H01L21/02233 , H01L21/26586 , H01L21/3065 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/408 , H01L29/66325 , H01L29/66386 , H01L29/7394 , H01L29/7395 , H01L29/747 , H01L29/78
Abstract: 一种双向MOS型器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。所述器件在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构，在对称的平面栅MOS结构之间具有U型复合漂移区，所述U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的具有对称特性的U型复合漂移区，在一定的元胞宽度下可获得高的器件击穿电压和低的导通压降/电阻特性，是一种双向对称的电场截止型器件；在IGBT工作模式时，是一种具有载流子存储层和场截止层的IGBT器件，在MOS工作模式时，是一种具有减小漂移区电阻高掺杂层和场截止层的MOS器件；通过所述U型复合漂移区的复合作用，本发明结构不会发生器件的横向和纵向穿通击穿，具有高的单位漂移区长度耐压，并具有低的导通压降/电阻特性。
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公开(公告)号：CN103426913B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310345306.6
申请日：2013-08-09
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种部分SOI超结高压功率半导体器件。本发明所述的一种部分SOI超结高压功率半导体器件，其特征在于，还包括多个N+岛和P型电场屏蔽层，所述多个N+岛均匀嵌入设置在P型衬底中，所述P型电场屏蔽层设置在P型衬底中，并且上表面与P型体区和靠近源端的N型缓冲区的下表面连接、下表面与埋氧层的上表面连接。本发明的有益效果为，通过改变电场分布，提高漂移区掺杂浓度，进而提高器件耐压和降低比导通电阻，减小器件面积，降低成本。本发明尤其适用于部分SOI超结高压功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN103413830B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310356773.9
申请日：2013-08-16
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向高压MOSFET及其制造方法。本发明的一种横向高压MOSFET，其特征在于，通过光刻和离子注入工艺在第二种导电类型半导体漂移区中形成第一种导电类型半导体降场层，通过光刻和离子注入工艺，在第二种导电类型半导体漂移区的表面形成的第二种导电类型半导体重掺杂层。本发明的有益效果为，在保持高的击穿耐压的情况下，可以大大的降低器件比导通电阻，同时减小横向高压MOSFET源端的电场峰值，避免强场效应，提高器件的击穿电压，具有更小的导通电阻，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，并很好地优化器件的表面电场，同时，本发明提供的制造方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于横向高压MOSFET。
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公开(公告)号：CN105811753A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610154834.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
CPC classification number: H02M3/00 , H05K1/0218
Abstract: 本发明提供一种LTCC耐大电流DC?DC变换器基板，包括底部含有气隙层的电感、金属屏蔽层、陶瓷层、表面印制电路、表贴器件，电感包括上下两磁性层、夹在两磁性层之间的非磁性层、内埋的导线，所述非磁性层即气隙层；本发明通过磁性材料与非磁性材料的匹配共烧，在电感中通过引入非磁性的气隙层，提高的电感的抗直流偏置的能力，使得整个变换器能在更大电流的情况下工作；避免了原来直接在磁性层上印制表面电路，走线之间的耦合问题；同时屏蔽层的加入，使得底层的磁性器件和表面的电路处在两个相对独立的工作环境中，减少了磁性器件工作时对电路产生的影响。
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公开(公告)号：CN103647452B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310652645.9
申请日：2013-12-05
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H02M3/335
CPC classification number: Y02B70/1433 , Y02B70/1491
Abstract: 一种单管软开关BUCK变换器，属于电子技术领域。本发明将耦合变压器和谐振电容作为BUCK主开关管的软开关辅助电路，耦合变压器为1:1的设计，且初级与次级的电感量都是Lr，耦合变压器的初级串接在BUCK主回路中，且同名端为电流流入方向；耦合变压器的次级异名端通过一个快恢复二极管接输出滤波电容的正端，耦合变压器的次级同名端接地；谐振电容Cr并联在续流二极管的两端。本发明能够达到零电流导通，零电压关断的目的。相比传统的软开关BUCK具有以下优点：省去辅助开关管，主开关管电压应力小，操作简单，开关损耗小，效率高等优点。特别适合于输入电压恒定，需要降压操作的应用场合。
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公开(公告)号：CN103579353B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310638191.X
申请日：2013-11-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS。本发明的具有P型辅助埋层的半超结VDMOS，其特征在于，在N型底部辅助层4中设有P型辅助埋层3，所述P型辅助埋层3与N+衬底2的上端面连接。本发明的有益效果为，有效增大器件的耐压性能，同时不影响其他性能参数。本发明尤其适用于半超结VDMOS。
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公开(公告)号：CN105140288A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510579882.6
申请日：2015-09-11
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种射频LDMOS器件，包含：P+衬底、P型外延层，衬底金属，P型外延层内部的P+sinker区、P阱、N-漂移区、N+区、多晶硅，N-漂移区的上方以及多晶硅的右侧上方设有法拉第罩，法拉第罩和漂移区之间有一层low k介质，low k介质材料的介电常数小于SiO2的介电常数；本发明在漂移区上方和法拉第罩下方的绝缘介质层使用low k材料，该结构可以有效降低法拉第罩靠近漏端边缘的高电场，与传统结构相比，本器件可以有效优化漂移区表面电场分布，使之更加均匀，提高器件的击穿电压；还可以降低器件源漏导通电阻，提高器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN105024154A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510400788.X
申请日：2015-07-08
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种多元低温共烧陶瓷LTCC微波射频电路及使用其的方法，所述电路包括顶层天线阵列单元、中层滤波器单元、下层耦合单元以及若干层低温共烧陶瓷基板；顶层天线阵列单元、中层滤波器单元和下层耦合单元均埋置于不同层的低温共烧陶瓷基板中，且不同层的低温共烧陶瓷基板之间通过嵌入每一层低温共烧陶瓷基板中的金属过孔连接。本发明提供的微波射频电路，采用激光打孔、微孔注浆等技术将无源元件埋置到低温共烧陶瓷基板内部，实现了多元集成电路的小型化要求，低温共烧陶瓷技术的埋置式结构和可控层厚技术，为多元集成电路的紧凑型和可靠性提供了保证。
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公开(公告)号：CN103311315B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310179865.4
申请日：2013-05-15
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/861 , H01L29/08
Abstract: 具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中的可靠性。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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