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公开(公告)号：CN113659074A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110790769.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法，将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中，解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修饰，并凭借所述第一电阻转变层和所述第二电阻转变层，相比于单层阻变层，能有效改善器件的电学性能，开/关阈值电压明显减小、电压的数值分布显著集中，并且数据保持能力以及电阻切换速度相对提升，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN113483792A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752013.4
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了可见光到近红外双波段内嵌椭圆谐振腔传感器，该传感器由输入输出的波导，矩形腔和椭圆环形谐振腔组成，其中波导的宽度为w，矩形谐振腔与输入输出波导之间的耦合距离为g，矩形谐振腔的宽度和高度分别为q和h，矩形谐振腔和椭圆环形谐振腔的耦合距离为g1，椭圆环形谐振器的外椭圆长轴长度和短轴长度为A1，B1，内部椭圆长轴长度和短轴长度为a1，b1。光波在波导中传输时，通过矩形腔与椭圆环形谐振腔的耦合，产生Fano共振，改变结构中的几何参数和介质的折射率后，使Fano共振谱线偏移。本发明可以实现从可见光到近红外波段的双通道调控，并且可以获得较高的灵敏度和品质因数(FOM),计算的灵敏度和品质因数最高为1075nm/RIU和91914。该发明提供的结构易与其他光子器件集成，研究结果可以为这种结构的未来应用提供指导。
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公开(公告)号：CN113241406A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110481388.1
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。
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公开(公告)号：CN107257242B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201710312585.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种惯性传感器动态信号的实时处理方法，首先，利用随机采样技术充分降低信号的采样数据；然后，通过对采样后的信号进行压缩测量，获得相应的测量值，进而利用重构算法完成对原始信号的准确重构，以提高惯性传感器动态信号输出精度。与传统方法相比，本发明能够在大大降低信号采样数据的同时，有效改善输出信号精度，从而实现惯性传感器动态信号的实时处理。
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公开(公告)号：CN108821331B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811035848.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111916558A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010746740.5
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种以六方氮化硼(h-BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h-BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h-BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h-BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h-BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
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公开(公告)号：CN111293397A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010217484.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋开槽Y型结构的人工磁局域表面等离激元功分器，包括至少三个螺旋形开槽结构的第一中心连线与介质基板水平线平行，至少三个螺旋形开槽结构的第二中心连线和第三中心连线与第一中心连线呈Y型。通过螺旋形开槽结构支持人工磁局域表面等离激元的传输。由于磁模式具有角向均匀性，人工局域表面等离激元能在螺旋形开槽结构上发生大角度弯曲传输，解决了目前研究现状中，基于螺旋形开槽结构只能直线和直角传输的弊端；同时螺旋形开槽结构的直径为10.6mm，远远小于其工作波长，为深度亚波长器件的设计提供了思路；适当地对功分器进行比例缩减，还可以工作于不同的频段，从而提高了人工局域表面等离激元的应用。
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公开(公告)号：CN111239867A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010174870.6
申请日：2020-03-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种全向传输的人工磁局域表面等离激元角向旋转耦合结构，包括介质基板、第一开槽螺旋双臂结构和第二开槽螺旋双臂结构，第一开槽螺旋双臂结构和第二开槽螺旋双臂结构均包括两个螺旋臂，两个螺旋臂交错螺旋设置，第一开槽螺旋双臂结构和第二开槽螺旋双臂结构的中点连线与介质基板表面水平线具有第一旋转夹角，第二开槽螺旋双臂结构以中心连线方向为半径方向旋转第二旋转夹角。此结构支持人工局域表面等离激元的传输，而人工局域表面等离激元磁模式的角向均匀性使得其在深亚波长范围内能够实现全向耦合传输，从而实现在平面内大角度弯曲传输。由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能够实现耦合结构中谐振频率频段的变化。
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公开(公告)号：CN110890612A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911019948.0
申请日：2019-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为涉及微纳光电子技术领域的一种内嵌扇形金属谐振腔MIM可调谐等离子体滤波器。本发明整体为在矩形金属薄膜上镂空两个矩形波导和一个内嵌对称扇形金属纳米圆形谐振腔组成。研究发现通过改变扇形共振腔角度θ、半径R、耦合距离d、共振腔内的介质折射率n等主要参数可以有效提高该结构的透射特性，可高效实现可调谐窄带带通滤波特性。与其他SPPs带通滤波器相较而言，本发明滤波器可实现在800nm～1450nm范围带通滤波，透射率最高可达75％，品质因子最高可达到70，拥有更加优越的滤波性能。对结构参量优化，共振波长可分布在光通信的850nm和1310nm通信窗口，为设计和实现光通信领域下一代等离子体滤波器提供重要的理论依据并具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN110596051A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910820887.1
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯包覆的双芯D型光子晶体光纤SPR折射率传感器。所述光纤SPR传感器包括一具有平面壁和曲面侧壁的折射率引导型光子晶体光纤，所述折射率引导型光子晶体光纤留有左右相互对称的两个纤芯，横截面呈D形，在所述平面壁上具有传感层。本发明在D形光子晶体光纤表面，左右纤芯所对应的传感层分别为石墨烯包覆的金/银纳米柱。利用金/银纳米柱表面产生的等离子体共振对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将金属表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的吸收峰的位移，设计实现高灵敏度的光子晶体光纤SPR传感器。本发明的优点是：双芯结构的设计拓宽了该折射率传感器的检测范围。石墨烯包覆金/银纳米柱的设计既能明显提高传感器的灵敏度，又能有效防止银纳米柱的腐蚀及氧化。该传感器设计新颖，结构简单，体积小，检测范围宽，抗腐蚀能力强，灵敏度高，是一种实用的折射率传感器。
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