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公开(公告)号：CN1585265A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410058841.4
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/20 , G09G2310/0275 , H03F1/301 , H03F3/505
Abstract: 当电源线的电势根据流动的电流变化时，晶体管的栅－源电压Vgs也发生变化，导致各源跟随器之间的恒定电流发生变化。为了解决该问题，作为恒流源的晶体管的栅端的电势Vb与连接到该晶体管的源端的电源线VSS作相同方式的变化。因此，抑制了该恒定电流的变化，并且因此抑制了该源跟随器的输出的变化。此外，通过将具有源跟随器的电路与信号线驱动电路的输出侧连接，可以防止在半导体器件的显示部分中识别出条形的亮度不均匀。
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公开(公告)号：CN120076406A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510228687.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D86/60 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , H10D86/40
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN111477634B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010078546.4
申请日：2013-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362
Abstract: 提供开口率高且包括电荷容量得到增大的电容器的半导体装置。另外，提供耗电量低的半导体装置。包括：包括透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置于透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置于绝缘膜上的第一透光性导电膜。该电容器包括：用作一个电极的第一透光性导电膜、用作电介质的绝缘膜、以及隔着该绝缘膜与第一透光性导电膜对置的用作另一个电极的第二透光性导电膜。第二透光性导电膜形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上且是含有掺杂剂的金属氧化物膜。
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公开(公告)号：CN116722019A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310739461.X
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号：CN116343705A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310341421.X
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107209429B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201680009371.3
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线121；扫描线103；第一电极123；第二电极125a；第三电极125b；第一像素电极139a；第二像素电极139b；以及半导体膜135，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN114326211A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210029583.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN108475699B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201680076957.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN113327948A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110634377.2
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN107731931B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710967394.1
申请日：2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/32 , G09G3/20 , G09G3/3208 , G09G3/3233
Abstract: 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体，并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此，即使在显示静止图像的情况下，也能容易地执行稳定的操作。此外，可以延长驱动器电路的操作间隔，这使得显示装置的功耗降低。而且，在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光，由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
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