公开(公告)号：CN101519774A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910005391.5

申请日：2009-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 本乡俊明 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: C23C16/511 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以排除由安装状况或尺寸误差造成的缝隙天线中的电流流动的不均匀性，生成均匀的等离子体。将电介质板(4)配置为使构成处理容器的一部分的平板外罩(14)的上部开口封闭，在电介质板(4)的上部配置产生等离子体的缝隙天线(5)，将缝隙天线(5)的外缘与平板外罩(14)的内壁部在整体四周用具有弹性的导电性构件(20或25)直接接触，由于在向缝隙天线(5)供给微波时，可以确保平板外罩(14)与缝隙天线(5)的平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘的电连接，因此可以使平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘之间的电阻的大小大致相等。

公开(公告)号：CN100514554C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200710089461.0

申请日：2007-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 堀口贵弘 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  C23C16/511 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 一种等离子体处理装置，使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙，并在配置在处理室的上面的介电体中传播，利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量，使供给至处理室内的规定气体等离子体化，对基板实施等离子体处理。矩形波导管的上面部件由具有导电性的非磁性材料构成，并且，使该上面部件相对于下面升降移动。根据气体种类、压力、微波供给装置的功率输出等处理室内进行的等离子体处理的条件，通过使矩形波导管的上面部件相对于下面升降移动，管内波长发生变化。

公开(公告)号：CN101432461A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780010909.3

申请日：2007-02-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  北野真史 ,  传井美史 ,  佐藤敬辅 ,  井口真仁

IPC: C23C28/04 ,  C04B41/87 ,  C23C4/10 ,  C23C18/12 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C04B41/87 ,  C03C17/25 ,  C03C2217/228 ,  C03C2218/113 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5045 ,  C23C4/10 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1279 ,  C23C28/042 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/4537 ,  C04B35/10 ,  C04B35/00

Abstract: 提供一种成膜性、耐久性、可靠性优异的等离子体处理装置用构件。在基材上具有纯度98％以上的陶瓷膜。陶瓷膜为粒径在50nm以下的粒子构成的膜。从膜中释放的水分量在1019分子/cm2以下。

公开(公告)号：CN101421203A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780011742.2

申请日：2007-03-29

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  岸幸男 ,  井口真仁 ,  市川佳孝 ,  小松祐介

IPC: C04B38/00

CPC classification number: C04B38/0058 ,  C04B35/111 ,  C04B35/505 ,  C04B35/6316 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  Y10T428/249921 ,  C04B35/00 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明提供一种在要求高洁净度的领域内使用时能够抑制微波频带内的能耗，而且可均匀地分散气体的多孔质构件。多孔质构件由多孔质陶瓷形成，微波频带内的介质损耗正切是1×10－3以下。陶瓷构件由局部备有该多孔质构件的陶瓷烧结体构成。

公开(公告)号：CN101305451A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680041735.2

申请日：2006-11-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理用簇射极板，是由多个配管形成的等离子体处理用簇射极板(31)，配管(31A3)由多孔质材料构件(44)和金属构件(41)构成，该多孔质材料构件(44)被沿着配管配置，对于原料气体具有规定的气孔率，朝向外侧呈凸状；该金属构件(41)与多孔质材料构件(44)对向配置，与多孔质材料构件(44)一起形成原料气体流路(43)。可以实现一种喷嘴构造，使原料气体呈扩散状喷出。

公开(公告)号：CN101253458A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031240.1

申请日：2006-05-10

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  永濑正明 ,  平田薰 ,  杉田胜幸 ,  筱原努 ,  广濑隆 ,  今井智一 ,  吉田俊英 ,  田中久士

IPC: G05D7/06 ,  F16K27/00 ,  F16L55/00 ,  G01F1/42

CPC classification number: F16K27/003 ,  F16L55/02718 ,  G01F1/36 ,  G01F15/001 ,  G01F15/005 ,  G05D7/0635

Abstract: 本发明的目的在于，不分解、组装压力式流量控制装置，就能简单地更换其节流器，从而可容易地进行控制流量的切换。本发明的节流器更换型压力式流量控制装置，在具有流体供给用配管的连接部的入口侧安装用块(39)和具有流体取出用配管的连接部的出口侧安装用块(43)之间，配置压力式流量控制装置(A)的控制阀(2)的阀体(23)，通过使该阀体(23)的流体入口侧与前述入口侧安装用块(39)、前述阀体(23)的流体出口侧与前述出口侧安装用块(43)分别能够分解地以气密状态连接，形成气体通过前述控制阀(2)流通的流路，并且，在设置于前述阀体(23)的出口侧的垫片型节流器插入孔(42c)与出口侧安装用块(43)的垫片型节流器插入孔(43b)之间，拆装自如地插入压力式流量控制装置(A)的垫片型节流器(38)。

公开(公告)号：CN101243733A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200680029502.0

申请日：2006-08-04

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，即使被处理基板大面积化，仍可进行均匀的处理，其是使导入到波导管(102)的微波通过狭缝(103)传播到电介体板(104)，使供给到真空容器中的气体等离子体化，从而对基板(107)表面实施等离子体处理的装置，并列配置多个波导管(102)，在每个波导管(102)上设有多个电介体板(104)，并在相邻的电介体板104之间配置由导体构成且接地的间隔部件(106)。上下地移动短路器(111)，将波导管(102)的管内波长调整到最佳值。此外，在电介体板与相邻的部件的间隙不会产生意料外的等离子体，能够有效地产生稳定的等离子体。其结果，可进行高速且均匀的蚀刻、成膜、清洗、灰化等处理。

公开(公告)号：CN101218375A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680025075.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森永均 ,  岸幸男 ,  大泷浩通 ,  传井美史

IPC: C23C26/00 ,  C23C16/40 ,  B08B3/12 ,  C23C28/04 ,  C23C14/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  B08B2203/0288 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C16/405 ,  C23C16/545 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/252

Abstract: 现在，迅速且经济性地提供大型的陶瓷构件处于困难的状况。通过在比较容易制作的材料上形成的基材上形成陶瓷膜，构成多层构造体。陶瓷膜可以通过等离子体熔射、CVD、PVD或者溶胶－凝胶法等方法制成，另外也可以通过与熔射膜组合的方法进行成膜。

公开(公告)号：CN101176187A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200680012975.X

申请日：2006-04-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/205 ,  B24B37/00 ,  C23C16/455 ,  B24B1/04 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B24B5/485 ,  B24B1/04 ,  C04B35/111 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/945 ,  C23C16/45565 ,  Y10T29/49996

Abstract: 本发明提供一种喷淋板，其处理气体的喷出孔结构简单且能容易地加工形成，而且喷出孔尺寸精度高，不发生处理气体的喷出偏差和不均，具有一定品质和互换性。压制成型低介电率陶瓷材料用粉末，将外形尺寸成形为留有烧结收缩余料和精加工余料的圆板状，在该圆板状成形体阶段，在穿设完气体导入通路(3)和喷出孔(2)的成形体用孔后进行烧结，并将气体导入通路(3)和喷出孔主体部分(2b)的表面粗糙度研磨至1s以内，一边使前端部分为前端渐细形状的研磨用线材插通喷出口(2a)并往复移动，一边顺次向线材直径大的方向滑动，由此精加工成直径在0.1以上不满0.3mm范围内，尺寸精度在±0.002mm以内，且表面粗糙度在1s以内。

公开(公告)号：CN101155944A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680011225.0

申请日：2006-03-28

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  株式会社丰田自动织机

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  中山尚三 ,  伊藤日艺

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56

Abstract: 一种成膜装置及成膜方法。成膜装置具有向喷出容器内喷出有机EL分子气体的结构，具有多个有机EL原料容器、连接多个有机EL原料容器和喷出容器的配管系，多个有机EL原料容器有选择地成为有机EL分子供给状态，该配管系供给输送气体，使得在各有机EL原料容器内，在成膜时和非成膜时成为相同的压力。在非成膜时，输送气体从有机EL原料容器之一流向其它原料容器。