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公开(公告)号：CN100554140C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610097955.9
申请日：2006-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00 , C23C16/513
Abstract: 气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法，首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H2)等离子体的预处理，在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心；然后，在PECVD系统中原位周期性交替使用大氢稀释硅烷气体(SiH4+H2)和纯氢气(H2)对成核中心进行硅的生长和刻蚀，形成硅量子环纳米结构。对硅衬底表面预处理，形成纳米环结构的成核中心，其密度必须控制在1～3×108/cm2，为以后环结构的生长提供条件；周期性交替使用大氢稀释硅烷气和氢气进行硅生长和刻蚀的方法是：在每个周期当中，使用大氢稀释硅烷在成核中心进行生长，然后以纯氢气进行硅的刻蚀。重复上述淀积和刻蚀5-50个周期。
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公开(公告)号：CN100481547C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710134577.1
申请日：2007-11-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法，属于光电子器件材料技术领域。该方法的步骤为配制前驱体溶胶溶液、在衬底上形成湿膜、热分解湿膜、在衬底上制备薄膜、高温退火。实验证明，采用本发明的方法可以使稀土离子的发光产生数量级的增强，可以与半导体工业相兼容，具有操作方便、快捷、成本低廉、制备条件温和、工艺重复性好、效果明显等优点，完全可以应用于未来的硅基光电子领域。
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公开(公告)号：CN100462986C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710132285.4
申请日：2007-09-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的LDPC编解码硬件仿真系统，该系统包括PC端控制软件和基于FPGA的硬件部分，硬件部分包括了PCI接口控制模块，随机数发生器，高斯噪声发生器，LDPC编/解码等主要模块。本发明基于FPGA硬件实现了对LDPC码的仿真研究，同时，该系统具有很好的可控性、可观测性和可重用性，并大大提高仿真速度(为软件仿真速度的300多倍)，为更好地研究同类纠错码提供良好的实验环境。
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公开(公告)号：CN100442561C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610098062.6
申请日：2006-11-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层数a-Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；在发光有源层上沉积由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第二组光学微腔；在第二组光学微腔上淀积金薄膜电极，并留有窗口。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
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公开(公告)号：CN101026194A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710021060.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1－10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2－7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2－7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8－20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101000866A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610161307.5
申请日：2006-12-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/205 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种非晶碳膜半导体制备方法，属于非晶碳薄膜材料制备技术领域。该方法通过(1)在衬底上淀积氢化非晶碳(a－C:H)薄膜、(2)氢等离子体化学退火处理、(3)重复步骤(1)和(2)形成氢等离子体逐层化学退火处理的氢化非晶碳膜、(4)氮等离子体表面掺杂——通入氨气(NH3)各步骤，制成本发明的非晶碳膜半导体。本发明整个制备过程无需昂贵设备技术、操作简单、有利于大规模生产，几乎没有面积的限制，有很好的可控性与重复性，避免了湿法技术带来的表面污染等问题。
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公开(公告)号：CN1822510A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610037918.9
申请日：2006-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高速的减少存储需求的低密度校验码解码器，它包含参数结点计算单元VPU模块、校验结点计算单元CPU模块和控制逻辑模块；VPU模块接收待解码序列，存储该原始信息并开始迭代解码，在迭代解码过程中，CPU模块与VPU模块相互传递信息，各自进行行操作和列操作，并由CPU存储校验操作结果；控制逻辑模块对VPU模块和CPU模块的循环操作进行控制，并输出解码得到的合法码字。本发明针对移位LDPC码，充分利用最小和解码算法来降低存储需求以及高度并行来提高解码速率，节省了消息存储需求，达到了更快的解码速度和更高的吞吐率。
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公开(公告)号：CN119474000A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411507882.0
申请日：2024-10-28
Applicant: 南京大学
IPC: G06F15/78 , G06F15/173 , G06F7/544 , G06N3/063 , G06N3/0464
Abstract: 本发明涉及近似片上网络技术领域，公开了一种面向卷积神经网络加速的高实时性近似片上网络，结合神经网络的数据分布情况，提出基于数据分级的近似压缩和分段恢复方案，实现在降低通信开销的同时，保持神经网络推理精度；并提出一个质量控制模型，该模型能够快速搜索出满足质量损失约束的神经网络各层阈值，确保网络在进行近似通信的同时保持准确性；进一步提出基于拥塞感知的阈值动态调整方案，通过感知网络中的拥塞情况，动态调整每一层的近似阈值，以实现对数据压缩率的实时优化，从而有效缓解通信网络中的拥塞问题；结合近似通信后网络中的激活数据分布特征，优化计算阵列中的近似计算模块，提升计算阵列的整体效率，实现计算加速。
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公开(公告)号：CN119441950A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411575006.1
申请日：2024-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: G06F18/24 , G06F18/213 , G06F18/25 , G06N3/042 , G06N3/0464 , G06F18/22 , G06N3/0442 , A61B5/00 , A61B5/369
Abstract: 本发明公开了一种面向癫痫监测的小样本脑电信号分类方法，属于脑电信号处理及分类技术领域，其方法具体包括：构建癫痫四分类融合模型，包括：共享网络层、二分类子网络层和三分类子网络层，获取癫痫脑电信号样本，将癫痫脑电信号样本输入到共享网络层，对癫痫脑电信号样本进行特征提取，捕捉癫痫脑电信号的复杂特征，将提取的癫痫脑电信号的复杂特征输入至癫痫四分类融合模型中，输出脑电信号分类结果，利用条件加权投票算法对脑电信号分类结果进行加权投票，输出投票结果，考虑了不同时期的数据特征差异以及数据量差异，通过将四分类任务拆分为二分类和三分类，结合条件加权投票算法，使得模型在发作期很少的小样本情况下也能保持较好的学习效果和速率。
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公开(公告)号：CN119376449A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411490434.4
申请日：2024-10-24
Applicant: 南京大学
IPC: G05D23/19
Abstract: 本发明公开了一种基于片上网络的紧凑型交叉温控方法，涉及多处理器嵌入式开发技术领域，设计交错相位控制策略以增加控制周期内最小网络单元的节点纠正次数，避免同步温控引起的热问题，设计负反馈温控策略以控制节点和邻接节点之间的交互行为，进一步稳定节点的温度，基于控制相位分配算法将片上网络中节点类型的分配类比为图着色问题，设置剪枝约束和选取约束以优化回溯法，快速生成最优类型分配方案，并结合交错相位控制策略和负反馈温控策略实现片上网络的最佳交叉温控，设计性能评估方案，经检验，本发明提出的方法在评估指标上均优于对比方案，有效解决了片上网络的热问题。
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