公开(公告)号：CN102321476A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110149912.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  曲铭浩 ,  严辉 ,  张铭 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C09K11/78 ,  C23C14/28

Abstract: 一种近红外量子剪裁透明薄膜及其制备方法，属于固体发光材料领域。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，烘干后在1200℃煅烧12h，采用热压法压制成陶瓷靶材；利用激光脉冲沉积方法，以硅片或石英为衬底，通入O2，衬底温度为400～800℃，靶基距为5～8cm，工作气压为0.5～10Pa，激光能量为100～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池的热化效应，提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN101728184B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200910238477.2

申请日：2009-11-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  赵维 ,  汪浩 ,  严辉 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  张铭

IPC: H01J29/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明提供了一种具有低阈值电场的硅基场发射阴极材料及其制备方法。该场发射阴极材料可为GaN、AlN、BN、ZnO、ZnS，并且具有如下特征：直接带隙半导体且带隙宽度应介于3eV至7eV，能形成六方纤锌矿结构，且材料沿六方纤锌矿结构的(002)晶向择优生长；其厚度大于20nm小于50nm；同时具备六方相和非晶相。该场发射阴极材料的制备方法为：以硅为基底材料，分别经过预处理和HF酸浸泡后，在基底上进行激光脉冲沉积一定厚度的薄膜，从而得到最终产品。本发明所提供的制备工艺简单易行，制备的材料具有低阈值电场，高发射电流密度的电子发射特性，且该阴极结构以硅为基底，易于与其他微电子器件集成，是制造真空微电子器件的理想阴极。

公开(公告)号：CN100577857C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200810056012.0

申请日：2008-01-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  李国星 ,  刘毅 ,  宋雪梅 ,  李耳 ,  严辉 ,  朱满康 ,  汪浩 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  张铭

IPC: C23C14/34

Abstract: 具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法属于表面技术领域。目前还没有具有超疏水性能的同时并具备导电性能的多孔纳米铜膜的报道。所采用的技术方案是在固体表面先用高功率沉积一层金属铜薄膜，然后采用小功率溅射法对金属铜薄膜表面进行小功率溅射沉积。我们的研究表明，直接先沉积的一层金属铜表面接触角在90度左右，在经过稳定的小功率溅射沉积后，接触角在155℃左右，达到超疏水性，并同时保持良好的导电性能。本发明的纳米多孔薄膜材料不但具有超疏水性，并且比其它超疏水薄膜材料拥有较好的机械性能，优良的热传导性和良好的导电性能。该薄膜材料主要应用于微流器件、生物芯片、半导体芯片表面技术等领域。

公开(公告)号：CN100575305C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200710176088.2

申请日：2007-10-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  王超 ,  朱满康 ,  唐剑兰 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  张铭 ,  汪浩 ,  王波 ,  严辉

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明属于压电陶瓷材料的制备技术领域。目前商用的压电陶瓷仍以锆钛酸铅基陶瓷为主，对环境造成很大损害。本发明步骤：将五氧化二铌和焦硫酸钾按摩尔比为1∶8混合经280-320℃煅烧1-2h得到的产物溶于草酸溶液调pH值至2-3，获得白色沉淀；离心沉淀并溶于草酸溶液，搅拌后得到澄清透明的含铌草酸溶液A；调溶液A至pH值为10-11，经离心得白色沉淀物B；按压电陶瓷铌酸锂钠钾成分配比，将碳酸锂，碳酸钠和碳酸钾溶于乙酸中制得溶液，该溶液与沉淀物B加入到浓度为8-10mol/L的柠檬酸水溶液中，搅拌得到淡黄色透明溶胶C；80-120℃干燥48h得到透明的干凝胶D；300-400℃下处理2h去除有机物得到中间产物E；500～600℃下煅烧2-8h。本发明粉体颗粒尺寸分布范围窄、成分均匀，降低了成本。

公开(公告)号：CN101381231A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810223964.7

申请日：2008-10-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  胡翰宸 ,  侯育冬 ,  王如志 ,  宋雪梅 ,  张铭 ,  汪浩 ,  王波 ,  严辉

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法属于功能陶瓷及其制造领域。本发明目的在于提高现有三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料的退极化温度和机械品质因子。本发明陶瓷材料的组成为(100－x)Bi1/2Na1/2TiO3－4x Bi1/2K1/2TiO3－xBaTiO3－yCo2O3，其中，2≤x≤4，0.25≤y≤2.0。本发明通过以无水碳酸钠、无水碳酸钾、氧化铋、二氧化钛、碳酸钡和三氧化二钴为原料经预合成、轧膜和烧结得到陶瓷材料。本发明所制备的陶瓷材料退极化温度高(157℃)，机械品质因子高(626)，具有良好的压电和介电性能，可用于中频陶瓷滤波器、谐振器及压电传感器和致动器等的制作中。

公开(公告)号：CN100468781C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710099092.3

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  陆然 ,  代红云 ,  严辉 ,  王波 ,  宋雪梅

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结。该p-n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p-n结不仅在40-320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p-n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。

公开(公告)号：CN101219897A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710176088.2

申请日：2007-10-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  王超 ,  朱满康 ,  唐剑兰 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  张铭 ,  汪浩 ,  王波 ,  严辉

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明属于压电陶瓷材料的制备技术领域。目前商用的压电陶瓷仍以锆钛酸铅基陶瓷为主，对环境造成很大损害。本发明步骤：将五氧化二铌和焦硫酸钾按摩尔比为1∶8混合经280－320℃煅烧1－2h得到的产物溶于草酸溶液调pH值至2－3，获得白色沉淀；离心沉淀并溶于草酸溶液，搅拌后得到澄清透明的含铌草酸溶液A；调溶液A至pH值为10－11，经离心得白色沉淀物B；按压电陶瓷铌酸锂钠钾成分配比，将碳酸锂，碳酸钠和碳酸钾溶于乙酸中制得溶液，该溶液与沉淀物B加入到浓度为8－10mol/L的柠檬酸水溶液中，搅拌得到淡黄色透明溶胶C；80－120℃干燥48h得到透明的干凝胶D；300－400℃下处理2h去除有机物得到中间产物E；500～600℃下煅烧2－8h。本发明粉体颗粒尺寸分布范围窄、成分均匀，降低了成本。

公开(公告)号：CN101158049A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710119718.2

申请日：2007-07-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  董国波 ,  兰伟 ,  董培明 ,  严辉

IPC: C30B25/06 ,  C30B29/22 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法。该方法的步骤为：将化学纯的Cu2O粉和分析纯的Al(OH)3粉经500～550℃预烧1～1.5h，在1050～1150℃保温8～12h，生成纯相的CuAlO2粉末，将CuAlO2粉末压制成型后，经1050～1150℃烧结4～10h，制成CuAlO2陶瓷靶材；采用上述制成的CuAlO2陶瓷靶材，利用磁控溅射方法，以Si(100)单晶或石英为衬底，衬底温度300～600℃，以高纯氩气与氧气组成的混合气体为工作气体，工作气压0.8～1.0Pa，氧分压10～40％，溅射功率100～200W，薄膜沉积后，于900～1100℃经氮气气氛保护，在管式炉内退火2～5h，制成P型CuAlO2薄膜。其厚度为100～500nm。本发明方法薄膜沉积面积大，生产成本低，且适于工业化生产。

公开(公告)号：CN1952214A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610114663.1

申请日：2006-11-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  黄跃 ,  宋雪梅 ,  严辉 ,  汪浩 ,  朱满康 ,  王如志 ,  候育冬 ,  张铭

IPC: C23C28/00 ,  C23C8/36

Abstract: 二氧化钛薄膜材料的超亲水驱油表面制备方法属于功能材料领域。现有技术用光照二氧化钛薄膜实现了超亲水性，但许多石油化工仪器设备中并不具备光照条件，且需进一步降低表面与油的接触角。本发明步骤：衬底上沉积一层0.1－10微米二氧化钛薄膜；再放入气相化学表面处理室中，抽真空后充入氢气，气压在1～50000Pa；温度在室温到800℃的范围，还原处理10～120分钟。在气压0.5～2000Pa的范围，充入醇类物质使之以气态存在；在基底附近施加射频电磁场使气体发生辉光放电，产生低温等离子体，射频功率为20～500W，基底温度为室温～800℃，羟基化时间10～120分钟。该薄膜与蒸馏水静接触角为4.1°，与高速泵油的静接触角为28.4°，镀于测量原油流速的传感器探头表面，明显改善了表面附着石蜡的情况。

公开(公告)号：CN113809544B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202111126379.7

申请日：2021-09-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  孟宪睿 ,  王如志 ,  王长昊 ,  席宇鹏 ,  李赛楠 ,  张持

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00 ,  G02B5/00

Abstract: 一种砷化镓/石墨烯复合动态可调宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料领域。该吸收器分为上下两个部分，上部分由砷化镓(GaAs)/石墨烯超材料层，介电层与半导体GaAs层三部分组成；下部分包括十字石墨烯层，介电层和底层金属反射层三部分。金属反射层为一层连续的金属薄膜，厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层为二氧化硅材料。顶层图形由石墨烯十字与四个大小相同的GaAs方框锁构成；第四层为与顶层尺寸不同的石墨烯十字阵列。本发明通过对石墨烯与GaAs层的尺寸优化与电压调控，实现对垂直入射电磁波的完全吸收。本发明结构简单且具有宽频带高吸收频率可调的特性，可用于太赫兹波段电磁波的收集和探测装置。