公开(公告)号：CN101158049B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710119718.2

申请日：2007-07-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  董国波 ,  兰伟 ,  董培明 ,  严辉

IPC: C30B25/06 ,  C30B29/22 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法。该方法的步骤为：将化学纯的Cu2O粉和分析纯的Al(OH)3粉经500～550℃预烧1～1.5h，在1050～1150℃保温8～12h，生成纯相的CuAlO2粉末，将CuAlO2粉末压制成型后，经1050～1150℃烧结4～10h，制成CuAlO2陶瓷靶材；采用上述制成的CuAlO2陶瓷靶材，利用磁控溅射方法，以Si(100)单晶或石英为衬底，衬底温度300～600℃，以高纯氩气与氧气组成的混合气体为工作气体，工作气压0.8～1.0Pa，氧分压10～40％，溅射功率100～200W，薄膜沉积后，于900～1100℃经氮气气氛保护，在管式炉内退火2～5h，制成P型CuAlO2薄膜。其厚度为100～500nm。本发明方法薄膜沉积面积大，生产成本低，且适于工业化生产。

公开(公告)号：CN101158049A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710119718.2

申请日：2007-07-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  董国波 ,  兰伟 ,  董培明 ,  严辉

IPC: C30B25/06 ,  C30B29/22 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法。该方法的步骤为：将化学纯的Cu2O粉和分析纯的Al(OH)3粉经500～550℃预烧1～1.5h，在1050～1150℃保温8～12h，生成纯相的CuAlO2粉末，将CuAlO2粉末压制成型后，经1050～1150℃烧结4～10h，制成CuAlO2陶瓷靶材；采用上述制成的CuAlO2陶瓷靶材，利用磁控溅射方法，以Si(100)单晶或石英为衬底，衬底温度300～600℃，以高纯氩气与氧气组成的混合气体为工作气体，工作气压0.8～1.0Pa，氧分压10～40％，溅射功率100～200W，薄膜沉积后，于900～1100℃经氮气气氛保护，在管式炉内退火2～5h，制成P型CuAlO2薄膜。其厚度为100～500nm。本发明方法薄膜沉积面积大，生产成本低，且适于工业化生产。