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公开(公告)号：CN104319631A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410504147.4
申请日：2014-09-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术解决GaN基激光器制备中的一系列关键技术与科学问题，技术方案为：一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术，以及三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源；氨气作为V族源、硅烷作为n型掺杂源；二茂镁作为p型掺杂源制得新型GaN基激光器。本发明创造性采用多周期In组分线性渐变InxGa1-xN/GaN超晶格结构作为激光器波导层取代传统GaN单层做为GaN基蓝光激光器的波导层。有效的提高光场在激光发射区的限制因子，提高量子阱有源区的增益。
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公开(公告)号：CN104131351A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410363568.X
申请日：2014-07-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置及方法，其核心包括一套提供氮气源的装置。本发明通过一种加压装置调节N2终端口处气液界面两边的压强差，来控制N2进入Ga-Na溶液的流量及时间。采用该设计可以克服传统装置N2源供给不足的局限，具有N2源总量可调、N2源输入位置可选、N2源供给时间可控等优点，充分满足目标GaN晶体生长所需的N2源，为增加目标GaN晶体生长速率、多片式GaN晶体同时生长提供了有利条件，大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN103603049A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310649657.6
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明公开一种能批量生产氮化物单晶体材料的液相外延的多片式氮化物单晶体材料生长装置及方法，其通过设计包括一种搅拌装置的反应釜，该搅拌装置以一定速度旋转而不断吸取溶液，然后在惯性力作用下，溶液加速到一定程度之后水平远离它的旋转中心，形成流动循环，提高溶液的N溶解速度与溶解均匀性，有利于多片晶体生长的一致性及生长速度的提高。同时，通过设计一个用于调节N溶解浓度的预生长室，调控晶体生长的N浓度条件，然后，通过生长室溶液与预生长溶液的循环，使生长室内溶液的N浓度保持一致，从而为高质量多片式氮化物晶体生长提供源源不断的过饱和溶液，充分利用了原材料，提高晶体质量又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN216529832U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202122557223.6
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及激光器封装技术领域，尤指一种激光器TO封装结构，包括管壳、管座、管舌及设置在管舌上的激光器芯片；管壳罩设于管座、并与管座相配合形成一容置腔；管舌设于容置腔内，并与管座连接；管舌的外表面覆有相变材料层。本实用新型可以通过管舌上的相变材料层进行相变潜热散热，使系统保持稳定工作状态。
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公开(公告)号：CN212293841U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201921875995.0
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种生长金刚石用散热装置，包括沉积腔体，沉积腔体内设有冷却沉积台，还包括托盘，托盘放置于冷却沉积台上，托盘内设有导热介质；所述导热介质为金、银、铜或锡的单质中的任一种；导热介质的液体密度大于金刚石的密度；冷却沉积台设置有冷媒、冷媒进口和冷媒出口。本实用新型结构简单，设计合理，通过将待生长的金刚石籽晶与融化后导热介质融液形成良好的面接触，达到良好的散热效果，可为金刚石籽晶的连续生长提供均匀的温度条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209555411U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201822224679.9
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播，与现有技术相比，本实用新型的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内，激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播，促使输入的激光光源与氮气充分耦合，高效激发更多的氮电离，从而加速氮溶入反应溶液中，提高反应溶液中的氮含量，进而大大提升晶体生长效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209307515U
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201822245239.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置，包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件，反应釜设有入射窗口，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间，通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束，与现有技术相比，本实用新型增设有光束整型元器件，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件可汇聚或减弱光束，光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域，从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整，有效局部地增强或减弱晶体生长速率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204714947U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520345520.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种通过温场调控溶液流向的氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有反应物溶液，反应釜内设有晶种模板，所反应釜侧壁周围设有第一加热装置，反应釜底面外表面设有第二加热装置，反应釜内设有位于反应物溶液的液面上方的第三加热装置，第一加热装置的加热温度高于第二加热装置和第三加热装置的加热温度，第二加热装置的加热温度和第三加热装置的加热温度相异。本实用新型通过不同加热装置实现温度控制，使得反应釜内的反应物溶液形成有序的对流，使对流的中心点集中在晶种模板上，有效增加了晶体生长所需的N浓度。解决热对流无序引起的晶体生长不均匀及晶体质量差等问题，提高晶体质量且显著增大晶体生长速度。
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公开(公告)号：CN204538083U
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201520195385.1
申请日：2015-04-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/50 , H01L25/075
Abstract: 本实用新型公开了一种具有防眩光和减少蓝光危害的LED发光装置，包括PCB线路板及设在该PCB线路板上的LED蓝光芯片，还包括将PCB线路板和LED蓝光芯片封装在内的光色转换模块，该光色转换模块由LED荧光粉发光模块和有机材料吸光层模块组成，该有机材料吸光层模块涂覆在LED荧光粉发光模块表面，或者LED荧光粉发光模块与有机材料吸光层模块相互混合形成一体结构的光色转换模块。本实用新型有效克服了LED发光亮度大而容易引起眩光与因蓝光危害而引起视网膜损害等问题，可广泛应用于LED室内照明及装饰性灯具中。
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公开(公告)号：CN204534234U
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201520257575.1
申请日：2015-04-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: F21S2/00 , F21V33/00 , F21V29/503 , F21V29/89 , F21V29/85 , F21V19/00 , F21V23/00 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型公开了一种杀菌照明LED发光源，包括基板和安装在该基板上的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括白光及彩色照明光源和杀菌光源，照明光源由红光芯片组、绿光芯片组和蓝光芯片组构成，杀菌光源由紫外芯片组构成，基板上设有用于控制红光芯片组、绿光芯片组、蓝光芯片组和紫外芯片组的控制线路，红光芯片组、绿光芯片组、蓝光芯片组和紫外芯片组各个芯片组内的芯片采用串联方式连接，不同芯片组间采用并联方式连接。本实用新型主要应用于医疗场所、卫生间、生物照明等一切可利用紫外杀菌场所，其结构简单、紧凑，响应时间快、寿命长且功率大，实现非常方便。
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