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公开(公告)号：CN108346705A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710058594.5
申请日：2017-01-23
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/6609
摘要： 本发明提供了一种快速恢复二极管及其制备方法，所述制备方法包括在N型衬底的背面掺杂磷离子形成N+型半导体层，在N型衬底的正面掺杂硼离子形成阱区和终端结构；依次对阱区进行离子注入和退火，形成正面局域寿命控制区；分别在N型衬底的正面和N+型半导体层的下表面，形成正面接触金属电极和背面接触金属电极；依次对N型衬底的背面进行离子注入和退火，形成背面局域寿命控制区。与现有技术相比，本发明提供的一种快速恢复二极管及其制备方法，可以提高快速恢复二极管的电导调制效应，也可以促进反向恢复过程中过剩载流子的复合，有效地加快反向恢复过程，降低反向恢复时间，进而减少反向恢复拖尾电流和能量损耗。
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公开(公告)号：CN107579113A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710600062.X
申请日：2017-07-21
申请人： 全球能源互联网研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423
摘要： 本发明提供了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，P型区结构的截面形状为倒T形，位于假栅沟槽结构底部，并且倒T形两端包裹住所述沟槽结构的底部，所述假栅沟槽结构的截面形状为与所述P型区结构相配合的Π形。本发明提供的技术方案中倒T形P岛延伸至trench底部，可以降低trench底部电场，保护trench底部不被击穿，而且可以为漂移区提供空穴载流子，从而增大P-well下方的空穴载流子浓度，增强电导调制效应，降低导通电阻，且距离P-well较近，关断时多余的空穴载流子可以迅速被扫出，关断电流较小；T型P岛为一体，充满整个dummy trench底部，可以平衡电场，保证器件耐压。
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公开(公告)号：CN107507870A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710546131.3
申请日：2017-07-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/868
CPC分类号： H01L29/868
摘要： 本发明提供了一种二极管，包括依次分布的阳极P区、阴极N-区和阴极N+区；其中，在该N-区中设置有N型控制区，其中该N型控制区的平均掺杂浓度大于该N-区的平均掺杂浓度，该N型控制区的厚度小于该N-区的厚度。二极管容易产生震荡的一个原因是电场的截止位置处缺少相应的载流子，从而造成电流的急剧变化而产生震荡，通过加入N型控制层可以控制电场的分布，从而使得电场截止的位置处仍然具有一定的载流子浓度，不会使电流发生急剧变化而产生震荡，从而解决了现有技术中二极管在反向恢复过程中容易发生snap-off现象的问题，延长了二极管的使用寿命。
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公开(公告)号：CN206271661U
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201621073091.2
申请日：2016-09-22
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/06
摘要： 本实用新型提供了一种快恢复二极管，包括有源区、终端区和N型缓冲层；N型缓冲层位于N+阴极区的上方且与N+阴极区接触；有源区包括多个P型掺杂区；终端区包括一个P型掺杂区；P型掺杂区均位于所述N型缓冲层的内部，且P型掺杂区的上边界与N型缓冲层的上边界之间的距离为1‑20um。与现有技术相比，本实用新型提供的一种快恢复二极管，各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，以及与N型缓冲层的边界间距均设置在一定范围内，使得快恢复二极管具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。
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公开(公告)号：CN205984993U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201620900426.7
申请日：2016-08-18
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
摘要： 本实用新型提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构，所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件；所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本实用新型提供的垂直型半导体器件的双面终端结构，在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构，形成了双面终端结构，在不增加终端面积的前提下，提高了终端的整体耐压能力，提高了终端结构的效率。
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公开(公告)号：CN205845937U
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201620769675.7
申请日：2016-07-20
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/285
摘要： 本实用新型提供了一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，包括第一金属层和第二金属层；第一金属层的上表面设置具有第一窗口的第一薄膜层；第二金属层设置在第一薄膜层与第一窗口处暴露出的第一金属层形成的组合结构的表面上；第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面设置第二薄膜层，第二薄膜层包括用于焊接的第二窗口。与现有技术相比，本实用新型提供的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，能够缓冲压接式IGBT/FRD芯片承受的压力，减少压力对压接式IGBT/FRD芯片电特性的影响。
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公开(公告)号：CN205984943U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201620919433.1
申请日：2016-08-23
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
摘要： 本实用新型提供了高压半导体功率器件，包括硅衬底、氧化硅薄膜层、介质层、金属层、氮化硅薄膜层和聚酰亚胺保护层；聚酰亚胺保护层通过丝网印刷淀积在金属层或者氮化硅薄膜层上。与现有技术相比，本实用新型提供的一种高压半导体功率器件，应用于高温高压环境时具有稳定的击穿特性和漏电流。
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公开(公告)号：CN205595336U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201620356265.X
申请日：2016-04-25
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08
摘要： 本实用新型提供一种逆导型IGBT背面结构。本实用新型通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本实用新型提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。
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公开(公告)号：CN205881912U
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201620582038.9
申请日：2016-06-15
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06
摘要： 本实用新型实施例公开了一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。
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公开(公告)号：CN210325812U
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201921029362.8
申请日：2019-07-03
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/167 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本实用新型提供一种快恢复二极管，快恢复二极管包括衬底、N+阴极区、P+阳极区、寿命控制掺杂层、P+掺杂层、阳极侧电极和阴极侧电极；P+掺杂层位于寿命控制掺杂层内部，寿命控制掺杂层位于P+阳极区内部；阳极侧电极和阴极侧电极分别位于衬底的正面和背面；P+阳极区位于衬底正面且靠近阳极侧电极，N+阴极区位于衬底背面且靠近阴极侧电极。本实用新型降低反向阻断漏电流和正向导通压降，进一步降低了快恢复二极管的损耗，延长了寿命；且通过本实用新型中的寿命控制掺杂层可以有效改善快恢复二极管的电压温度系数。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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