微通道芯片及其制造方法
    121.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115605425A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202180034465.7

    申请日:2021-05-24

    Inventor: 西冈宽哉

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种微通道芯片及其制造方法,上述微通道芯片即使进行高温高压灭菌处理,通道也不会变形,可维持基板彼此的强有力的接合性。本发明的微通道芯片包含在至少一个表面形成有微细通道的通道基板、盖基板、以及将它们接合的接合层,通道基板、盖基板以及接合层由环状烯烃聚合物构成,构成通道基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tgs1、构成盖基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tgs2、构成接合层的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度Tg2的关系为:Tgs1>Tg2、且Tgs2>Tg2,接合层的厚度在规定的范围。

    真伪判断构件及其真实性判断方法

    公开(公告)号:CN115605353A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202180035568.5

    申请日:2021-05-12

    Inventor: 原井谦一

    Abstract: 本发明提供一种真伪判断构件,其包含:基材层,其为反射型圆起偏器;第一印刷层,其包含作为具有胆甾型规整性的树脂层(A1)的碎片的树脂颜料,设置在上述基材层上;以及第二印刷层,其包含不具有圆偏振光分离功能的金属颜料,设置在上述基材层上。一种真伪判断构件的真实性判断方法,其包括:工序(1),使非偏振光从真伪判断构件的一个主面侧入射并观察,得到反射图像(1);工序(2),使非偏振光从上述真伪判断构件的另一个主面侧入射并观察,得到反射图像(2);以及工序(3),判断上述反射图像(1)与上述反射图像(2)不同。

    表面处理了的碳纳米结构体的制造方法

    公开(公告)号:CN110366536B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN201880014646.1

    申请日:2018-02-19

    Inventor: 川上修

    Abstract: 本发明提供一种碳纳米结构体,其能够制备分散稳定性优异的碳纳米结构体分散液。本发明的表面处理了的碳纳米结构体的制造方法包含下述工序:减压处理工序,将包含碳纳米结构体和分散介质的含有碳纳米结构体的液体进行减压;表面处理工序,在减压处理工序后或减压处理工序中向含有碳纳米结构体的液体中添加氧化剂,使碳纳米结构体的表面氧原子浓度为7.0at%以上。在此,碳纳米结构体优选包含碳纳米管。

    二次电池用正极和二次电池
    129.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115152062A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202180016132.1

    申请日:2021-03-23

    Inventor: 中井章人

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以使二次电池发挥优异的电池特性的二次电池用正极。本发明的二次电池用正极具有正极复合材料层和集流体。在此,正极复合材料层含有正极活性物质、导电材料、具有含氮杂环且重均分子量为300以上且70000以下的聚合物A及具有腈基的聚合物B。此外,正极复合材料层使用电子探针显微分析仪而算出的氮偏析度为1.4以下。

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