基于受激放大相干辐射的多频多端口太赫兹源产生方法

    公开(公告)号:CN116345271A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310370060.1

    申请日:2023-04-07

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种基于受激放大相干辐射的多频多端口太赫兹源产生方法,包括:获取电子发射源发射的自由电子,将自由电子加速至设定速度;加速后的自由电子在外界泵浦源的作用下进行初步群聚,形成初级电子团;将初级电子团与群聚光栅相互作用产生相干电磁辐射实现电子群聚;基于相干电磁辐射在谐振腔结构中与辐射光栅形成受激放大的相干电磁辐射,增强电子群聚,缩小电子团尺寸,获得高密度的周期性群聚电子团;周期性群聚电子团与辐射光栅作用产生高阶倍频的相干电磁辐射信号,高阶倍频相干辐射从端口输出,末端窗口含金刚石窗片,输出波导与谐振腔连接。本发明解决现有室温工作的小型太赫兹电子器件频率难以提升、辐射线宽无法有效压缩的问题。

    基于超表面偏振分束调制的裸眼双目立体显示系统及方法

    公开(公告)号:CN116338973A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310153912.1

    申请日:2023-02-17

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种基于超表面偏振分束调制的裸眼双目立体显示系统和方法,其中的系统包括:光源器件,用于根据三维图像,通过光线追踪计算得到目标图像,并基于目标图像确定第一出射光线;偏振调制器件,用于对第一出射光线进行偏振态调制,得到第二出射光线;超表面器件,用于对第二出射光线进行偏振分束,得到三维图像对应的裸眼可视的双目立体影像。该系统基于超表面器件的偏振分束功能,能够将准直的平面光源分束为有两倍信息的定向光线,产生双目视差,相较于传统的双目立体显示技术,该系统能够不损失平面分辨率,且系统具有体积小、重量轻、结构稳定以及观看者无需额外佩戴设备的优势,实现了裸眼双目立体视差的三维显示。

    一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法

    公开(公告)号:CN115404552B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211353501.9

    申请日:2022-11-01

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及微细加工技术领域,尤其涉及一种极低气压反应腔下的侧壁钝化侧蚀动态平衡深刻蚀光子晶体结构制备方法。具体的,在刻蚀过程中,保持h/hA趋近于1,并在0.05~0.1Pa的压力下进行刻蚀;其中,h代表反应物析出速度和沉积速度的比值,hA代表刻蚀孔开口处的反应物析出速度和沉积速度的比值。上述干法刻蚀方法能够克服Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料干法刻蚀产物饱和蒸气压低、难以挥发的问题,实现了高深宽的Ⅲ‑Ⅴ族半导体有源光子晶体刻蚀效果,同时兼顾实现了圆孔及狭缝等不同结构垂直侧壁刻蚀技术。此外,所述干法刻蚀方法刻蚀表面粗糙度低,刻蚀小孔/槽均匀。

    波分复用器
    115.
    发明公开
    波分复用器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115657203A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211400562.6

    申请日:2022-11-09

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及集成光电子领域,提供一种波分复用器。波分复用器包括第一硅波导;第二硅波导,第二硅波导与第一硅波导的长度相同且宽度不同;第一硅波导和第二硅波导中的至少一个形成有波导耦合段,波导耦合段内形成有周期性褶皱结构。该波分复用器能够实现具有单一滤波通带的波分复用器。与常用的基于不等臂马赫增德尔干涉仪和两波导耦合微环谐振腔器件相比,该波分复用器只有单一滤波通带,应用于宽带光信号处理时无需器件级联。并且该波分复用器的周期性褶皱结构周期较大,且可以和芯片上硅波导通过同一刻蚀过程制备,无需附加的制备工艺,因此该波分复用器结构简单,传输特性对结构参数不敏感,便于制备。

    表面等离激元薄膜的制备方法和制备多层膜超材料的方法

    公开(公告)号:CN115181953A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202211099082.0

    申请日:2022-09-09

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种表面等离激元薄膜的制备方法和制备多层膜超材料的方法,所述表面等离激元薄膜的制备方法包括:在磁控溅射过程中,通过调控溅射速度和原子沉积动能,制备平整度为原子级的表面等离激元薄膜,其中所述溅射速度控制在2‑5nm/min,所述原子沉积动能控制在5‑20eV。本发明通过调控溅射速度和原子沉积动能,从而可以制备出平整度为原子级、厚度可低至10nm的金属薄膜。本发明的制备方法为基于表面等离激元的集成光电子器件的生产与应用提供了重要的技术支持。另外,基于本发明的制备方法可以制备出在光频段等效折射率大于70的多层膜高折射率超材料,应用前景广阔。

    冶炼终点监测芯片、智能冶炼控制设备及制备方法

    公开(公告)号:CN114943320A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202110172869.4

    申请日:2021-02-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种冶炼终点监测芯片、智能冶炼控制设备及制备方法,本发明在硬件芯片上嵌入了人工神经网络,将硬件芯片上的光调制层作为人工神经网络的输入层,将图像传感器作为人工神经网络的线性层,将光调制层对入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重,使得后续在使用该冶炼终点监测芯片进行冶炼终点监测时不需要再进行与输入层和线性层对应的复杂的信号处理和算法处理,可以大幅降低人工神经网络处理时的功耗和延时。

    光人工神经网络指纹识别芯片、指纹识别装置及制备方法

    公开(公告)号:CN114913553A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202110172818.1

    申请日:2021-02-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种光人工神经网络指纹识别芯片、指纹识别装置及制备方法,本发明提供的芯片以硬件方式模拟人工神经网络,用于指纹识别,本发明将光滤波器层作为人工神经网络的输入层,将图像传感器作为人工神经网络的线性层,将光滤波器层对进入光滤波器层的入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重,使得后续在使用该指纹识别芯片进行指纹识别处理时不需要再进行与输入层和线性层对应的复杂的信号处理和算法处理,这样可以大幅降低人工神经网络处理时的功耗和延时。

    血糖检测芯片、智能血糖检测仪及制备方法

    公开(公告)号:CN114913111A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202110172814.3

    申请日:2021-02-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种血糖检测芯片、智能血糖检测仪及制备方法,本发明在硬件芯片上嵌入了人工神经网络,将硬件芯片上的光调制层作为人工神经网络的输入层,将图像传感器作为人工神经网络的线性层,将光调制层对入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重,使得后续在使用该血糖检测芯片进行血糖检测处理时不需要再进行与输入层和线性层对应的复杂的信号处理和算法处理,可以大幅降低人工神经网络处理时的功耗和延时。本发明将待进行血糖检测部位的不同位置点处的图像信息、光谱信息、入射光的角度和入射光的相位信息投影到硬件芯片的光电流响应中,并在处理器中实现电信号的全连接,从而实现了低功耗、安全可靠的快速准确、非侵入式的血糖检测。

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