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公开(公告)号：CN110346313A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910699962.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及光谱设备技术领域，尤其涉及一种光调制微纳结构、微集成光谱仪及光谱调制方法。该光调制微纳结构包括位于光电探测层上面的光调制层，光调制层能够对入射光进行调制，从而在光电探测层上形成差分响应，以便于重构得到原光谱，从而解决现有的光谱仪过于依赖精密光学部件而使得光谱仪体积庞大、很重且昂贵的缺陷。该光调制层包括底板和至少一个调制单元，底板设在光电探测层上，各个调制单元位于底板上，每个调制单元内分别设有若干个穿于底板内的调制孔，同一调制单元内的各个调制孔排布成一具有特定排布规律的二维图形结构，利用不同的二维图形结构实现对不同波长的光的调制作用，并提高光谱仪的分析准确性。
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公开(公告)号：CN109714109A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910043275.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种量子密钥分发光子发射端，属于量子技术领域。包括：光源芯片及空间光学结构；空间光学结构包括光学滤波片、光阑及准直凸透镜；光源芯片，用于发射出不同偏振态的光子；光阑及准直凸透镜，用于将不同偏振态的光子合为一束准直输出，并利用光学衍射极限原理消除不同偏振态的光子因产生位置不同而带来的附加信息；光学滤波片，用于消除光源芯片发射出的不同偏振态的光子在频谱上的差异。本发明实施例提供的量子密钥分发光子发射端，集成的光源芯片使得线偏振光源之间的间距很小，可以达到几十微米量级，从而相应的光阑，准直凸透镜和光学滤波片的尺寸都可以设计的非常小，进而使得光子发射端整体结构可实现微型化。
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公开(公告)号：CN108650081A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810292590.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种基于量子纠缠的信息传送方法和系统。该方法包括：对信息发送端的第一光子组中光子和信息接收端的第二光子组中光子进行量子纠缠检测；若各光子均满足量子纠缠特性，根据所述本端的第三光子组中光子与所述信息接收端的第四光子组中光子之间的时间关联特性，将调制至所述第三光子组中光子上的待传送信息传送至所述信息接收端。本发明实现了无密钥的安全传输，避免了密钥在保存和管理中存在安全隐患的问题。
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公开(公告)号：CN106569248A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610952634.6
申请日：2016-11-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01T1/22
CPC classification number: G01T1/22
Abstract: 本发明公开了切伦科夫辐射器件、制备方法及提取辐射的方法。该切伦科夫辐射器件包括：金属周期纳米狭缝结构；双曲超材料结构，所述双曲超材料结构设置在所述金属周期纳米狭缝结构的上表面；电子发射源，所述电子发射源设置在所述双曲超材料结构的上表面，所述电子发射源包括阳极、阴极以及栅极。该切伦科夫辐射器件无需高电压，利用双曲超材料中光的相速度可以比传统材料降低几个量级的特点，从而将切伦科夫辐射产生所需要的电子飞行速度极大地降低，进而降低了切伦科夫辐射器件的生产成本，提高了其安全性能。
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公开(公告)号：CN105549336A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610064552.8
申请日：2016-01-29
Applicant: 清华大学
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70125 , G03F7/70008 , G03F2007/2067
Abstract: 本发明涉及一种纳米光刻装置及制备超衍射极限图形的方法，其中装置包括基底、位于基底之上的下层模板、位于下层模板之上的光刻胶、位于光刻胶之上的上层模板、位于上层模板之上的透光基板和曝光光源；上层模板具有光刻图形，上、下层模板组成光刻掩膜版，其材质均为金属或合金材质，在光刻时上、下层模板形成局域表面等离子体激元结构。本发明利用双层金属/合金光刻掩膜版，能在光刻时形成局域表面等离子体激元模式，制备线宽比光刻掩膜版上的光刻图形更小的超衍射极限复杂光刻图形，同时可以通过改变光刻掩膜版以及周围介质材料、光刻胶的厚度、曝光源波长、控制曝光功率、曝光时间等条件，对超衍射图形的线宽、深宽比进行调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151177B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310074949.1
申请日：2013-03-08
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及新能源技术领域，公开了一种染料敏化太阳能电池，其包括透明电极、对电极及位于所述透明电极和对电极之间的电解质层，所述透明电极的内侧设有纳米多孔半导体薄膜，所述透明电极的外侧设有透明衬底，所述对电极的外侧设有对透明衬底，所述电解质层包括电解液和染料敏化剂的混合液体，所述纳米多孔半导体薄膜中吸附有表面等离子体效应的核壳结构纳米颗粒。本发明提供的含有纳米颗粒的染料敏化太阳能电池，扩宽了吸收光谱，提高了光吸收效率，增强了电池的光电转换效率。本发明还提供了一种制造染料敏化太阳能电池的方法。
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公开(公告)号：CN103728692A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310743586.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
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公开(公告)号：CN103605216A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310603561.6
申请日：2013-11-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种光开关，该光开关包括：硅衬底1，用于承载整个器件结构；二氧化硅衬底2，覆盖于硅衬底1上，用于隔离硅衬底与硅平板；硅平板3，位于二氧化硅衬底上2，用于形成二维硅光子晶体波导、多模干涉波导、续接波导；二氧化硅隔离层4，位于硅平板3上方，并填充于二维硅光子晶体波导的孔内，用于隔离二维光子晶体波导与钛金属电极5，提供光隔离与电绝缘；钛金属平板电极5位于二氧化硅隔离层上，用于加热二维光子晶体波导；铝金属平板电极6位于钛金属平板上，作为接触电极。通过设计光子晶体波导结构实现光通信波段（波长1微米至2微米）特定波长光信号的阵列开关功能，能够增强大调控功率调控下电极的稳定性。
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公开(公告)号：CN103151177A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310074949.1
申请日：2013-03-08
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及新能源技术领域，公开了一种染料敏化太阳能电池，其包括透明电极、对电极及位于所述透明电极和对电极之间的电解质层，所述透明电极的内侧设有纳米多孔半导体薄膜，所述透明电极的外侧设有透明衬底，所述对电极的外侧设有对透明衬底，所述电解质层包括电解液和染料敏化剂的混合液体，所述纳米多孔半导体薄膜中吸附有表面等离子体效应的核壳结构纳米颗粒。本发明提供的含有纳米颗粒的染料敏化太阳能电池，扩宽了吸收光谱，提高了光吸收效率，增强了电池的光电转换效率。本发明还提供了一种制造染料敏化太阳能电池的方法。
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公开(公告)号：CN101068052A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710100017.4
申请日：2007-06-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于集成光电子技术领域，涉及在光子集成、传感等领域应用的一种混合三臂长程表面等离子波导和介质波导耦合器。该耦合器是在周围介质材料基体上由金属条和介质条构成的三个臂组成，其中有一个或者两个臂为金属条，而其余两个臂或一个臂为介质条。三个臂的摆放结构为水平结构、垂直结构或是水平和垂直的组合结构。介质波导模式和LRSPP模式将发生相互转化，能量将在三个臂之间发生转移。混合耦合器周围的介质折射率比介质条的折射率低。其既能作为TE/TM光的偏振分束器件和长程表面等离子波的激励器件，又能通过加电来灵活地控制能量在不同臂之间的耦合，还可以作为折射率探测器。
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