公开(公告)号：CN103084191A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310032340.8

申请日：2013-01-25

Applicant: 浙江大学

Inventor： 宋晨路 ,  王菊 ,  刘涌 ,  韩高荣 ,  王慷慨 ,  苏婷 ,  杨振辉

IPC: B01J27/135

Abstract: 本发明涉及一种柱状晶形貌的掺氟二氧化钛薄膜的制备方法。该方法通过用溶胶-凝胶法在基板上逐次旋涂镀膜，然后对每层薄膜进行空气中热处理形成锐钛矿型柱状晶形貌的掺氟二氧化钛薄膜，其表现出更好的光催化性能。本发明制备工艺简单，不需要任何昂贵的设备，成本低，可以在任意形状的基板上镀膜，非常适合于二氧化钛光催化以及建筑节能镀膜玻璃的工业化应用。

公开(公告)号：CN102153130B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201010588302.7

申请日：2010-12-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 翁文剑 ,  李倩 ,  程逵 ,  宋晨路 ,  沈鸽 ,  徐刚 ,  赵高凌 ,  张溪文 ,  杜丕一 ,  韩高荣

IPC: C01G9/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开的掺Sb-ZnO微纳球，其直径为300～1200nm，Sb和Zn的原子百分比为0.06％～15.0％。制备方法如下：将硝酸锌和六次甲基四胺溶于水中，添加等摩尔的锑离子和酒石酸盐，搅拌均匀，得到水热反应的生长母液；将生长母液放入反应釜中，在80℃～120℃下保温0.5～5h，静置，取其沉淀物反复冲洗后离心，干燥，然后在500℃～800℃下热处理，即可。本发明制备工艺简单，掺Sb-ZnO微纳球的尺寸与掺杂量可在一定范围内调控。

公开(公告)号：CN102603207A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210075384.4

申请日：2012-03-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 韩高荣 ,  高倩 ,  汪建勋 ,  李铭 ,  宋晨路 ,  刘涌 ,  沈鸽

IPC: C03C17/245

Abstract: 本发明公开了一种在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法，将经过清洗的玻璃基片放入气相沉积反应室；先驱体有机锡源和有机氟源用氮气作载气，催化剂H2O用空气做载气，分别在鼓泡器中气化后通入混气室；将得到的混合反应气通入镀膜反应器中输送到玻璃基板上，控制镀膜反应器喷气口与玻璃表面的距离为2～5毫米，有机气源中Sn:F质量比例为2:1-3:1，在玻璃基片表面沉积5-30s，冷却即可。本发明制备工艺简单，使用设备简单，对环境无污染，成本低廉，效率高，耗能低，适合浮法在线生产大面积透明导电膜；制得的呈微纳结构的氧化锡掺氟薄膜，具有更好的可见光透过率，中远红外反射率。

公开(公告)号：CN102431235A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110255163.0

申请日：2011-08-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杜丕一 ,  郑赞 ,  宋晨路 ,  翁文剑 ,  韩高荣 ,  赵高凌 ,  沈鸽 ,  徐刚 ,  张溪文

IPC: B32B9/04 ,  B32B15/00 ,  H01G4/10

Abstract: 本发明公开了一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜及其制备方法。在其基板的正表面上自下而上依次镀有ITO导电层、PT应力诱导层和PST薄膜，所述PT应力诱导层为钙钛矿相晶体结构且掺杂有杂质，所述杂质为其离子尺寸比Ti的离子尺寸大且其化合价比Ti的化合价小的金属离子。本发明制备工艺简单，所得复合薄膜的介电可调性具有优异的成分稳定性和温度稳定性，非常适用于介电可调薄膜的工业化生产。

公开(公告)号：CN102153130A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010588302.7

申请日：2010-12-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 翁文剑 ,  李倩 ,  程逵 ,  宋晨路 ,  沈鸽 ,  徐刚 ,  赵高凌 ,  张溪文 ,  杜丕一 ,  韩高荣

IPC: C01G9/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开的掺Sb-ZnO微纳球，其直径为300～1200nm，Sb和Zn的原子百分比为0.06％～15.0％。制备方法如下：将硝酸锌和六次甲基四胺溶于水中，添加等摩尔的锑离子和酒石酸盐，搅拌均匀，得到水热反应的生长母液；将生长母液放入反应釜中，在80℃～120℃下保温0.5～5h，静置，取其沉淀物反复冲洗后离心，干燥，然后在500℃～800℃下热处理，即可。本发明制备工艺简单，掺Sb-ZnO微纳球的尺寸与掺杂量可在一定范围内调控。

公开(公告)号：CN102061460A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201110024306.7

申请日：2011-01-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杜丕一 ,  宿彦博 ,  马宁 ,  韩高荣 ,  翁文剑 ,  赵高凌 ,  沈鸽 ,  宋晨路 ,  程逵 ,  徐刚 ,  张溪文

IPC: C23C20/08 ,  H01B3/12 ,  C04B35/465

Abstract: 本发明公开一种纳米Ag颗粒-(Ba0.65，Sr0.35)TiO3渗流型复合陶瓷薄膜及其制备方法。该陶瓷薄膜以多晶钙钛矿相陶瓷为基质并在该基质中分散有纳米银颗粒，多晶钙钛矿相陶瓷为(Ba0.65，Sr0.35)TiO3，纳米银与(Ba0.65，Sr0.35)TiO3的摩尔比为0.2～0.6:1。本发明首先分别以钛酸四正丁酯、乙酸钡与硝酸锶为Ti源、Ba源与Sr源，硝酸银为Ag源，浓硝酸为稳定剂，乙酰丙酮与柠檬酸为络合剂，乙二醇甲醚与乙二醇为混合溶剂，制备稳定的Ag-(Ba，Sr)-Ti溶胶前躯体，后用浸渍提拉法在ITO/玻璃基板上进行涂覆，再经空气气氛热处理制备复合陶瓷薄膜。本发明成功解决(Ba0.65，Sr0.35)TiO3-Ag溶胶前驱体的制备和在空气气氛下热处理获得纳米银颗粒并保证其在薄膜中的分散性的难题，实现了渗流效应，薄膜的介电常数较纯钛酸锶钡薄膜高出1～4倍。

公开(公告)号：CN101293113B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200810062487.0

申请日：2008-06-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程逵 ,  任常宝 ,  翁文剑 ,  宋晨路 ,  杜丕一 ,  沈鸽 ,  赵高凌 ,  张溪文 ,  徐刚 ,  汪建勋 ,  韩高荣

IPC: A61L27/12

Abstract: 本发明公开了一种制备氟磷灰石/羟基磷灰石固溶体纳米粉体的方法，该方法以钙化合物、部分酯化磷酸或磷酸酯的醇溶液为基础，在其中加入含氟化合物和有机胺，通过溶胶燃烧自蔓延的方法合成了氟磷灰石/羟基磷灰石固溶体纳米粉体。本发明解决了氟磷灰石/羟基磷灰石固溶体纳米粉体难以制备、氟含量以及氟的存在状态难以控制等难题。本发明制备方法简单易行，操作简单，成本低，易于产业化。

公开(公告)号：CN101891400A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010218396.9

申请日：2010-07-02

Applicant: 浙江大学

Inventor： 赵高凌 ,  林小璇 ,  张天播 ,  宋晨路 ,  杜丕一 ,  翁文剑 ,  汪建勋 ,  沈鸽 ,  徐刚 ,  张溪文 ,  程逵 ,  韩高荣

IPC: C03C17/27

Abstract: 本发明公开的兼具自清洁和节能功能的镀膜玻璃的制备方法，在常压化学气相沉积法基础上，利用热处理工艺使TiN薄膜表面部分氧化，在其表面形成不导通的二氧化钛纳米颗粒，形成一种特殊的表面结构，这种表面结构兼具自清洁和节能功能。本发明制备工艺简单，成本低，效率高。

公开(公告)号：CN101289174B

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200810062468.8

申请日：2008-06-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 赵高凌 ,  吴历清 ,  段钢锋 ,  韩高荣 ,  翁文剑 ,  杜丕一 ,  沈鸽 ,  徐刚 ,  张溪文 ,  宋晨路 ,  程逵 ,  汪建勋

IPC: C01B21/076

Abstract: 本发明公开的TiN纳米粉体的制备方法，采用的是化学气相沉积法，将清洗后的基片放入气相沉积反应室，以惰性气体为载气将NH3和经预热的钛源通入反应室，制备TiN纳米粉体。工艺简单，生产成本低，可连续生产，效率高，产量高，且可以方便、有效的控制颗粒的大小和形状，制得的TiN粉体颗粒均匀、可以是球形、立方体形和纳米棒等各种形状。

公开(公告)号：CN1872662B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610050486.5

申请日：2006-04-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杜丕一 ,  杜军 ,  郝鹏 ,  黄燕飞 ,  翁文剑 ,  韩高荣 ,  赵高凌 ,  沈鸽 ,  宋晨路 ,  徐刚 ,  张溪文

IPC: B82B1/00 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明公开了一种常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法。在单根纳米线的一端头部平行生长着多根纳米线构成纳米线簇。该方法采用常压化学气相沉积法，以SiH4和TiCl4为反应物前体，以N2为稀释气体和保护气氛。在玻璃基板上先形成金属硅化物薄膜层，然后在金属硅化物薄膜层上形成高密度的硅化物纳米线簇。该方法对设备要求低，但产量大，效率高。而现有物理气相沉积方法还未制备出金属硅化物纳米线簇；该方法没有使用模板和催化剂，快速大量的生成了单晶的硅化钛纳米线簇；通过对制备条件改变，可得到各种形貌的纳米线簇；通过对制备反应物摩尔比的改变，可得到各种化学组成的纳米线簇。