公开(公告)号：CN109545851A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811227030.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟 ,  蒋西西

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体为一种增强型GaN基功率器件及其制备方法。本发明选用Si上AlGaN/GaN作为衬底，在衬底上曝光出欧姆接触的源极和漏极图形，电子束蒸发第一金属，经过去胶剥离和退火后，形成器件的源极和漏极；然后形成掩蔽层，曝光出器件的台面图形，干法刻蚀所述掩蔽层和所述AlGaN层并过刻，形成器件区。光刻、刻蚀形成栅开口，淀积多晶硅，进行p型掺杂并退火，光刻、刻蚀形成P型多晶硅栅；最后，曝光金属引线的图形，电子束蒸发第二金属，经过去胶剥离得到金属引线，获得增强型GaN基功率器件。本发明采用p型多晶硅栅，有效地抑制栅漏电，提高器件阈值电压稳定性，并与硅集成电路工艺有较高的兼容性。

公开(公告)号：CN108538821A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810456508.0

申请日：2018-05-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  朱宝 ,  刘文军 ,  张卫

IPC: H01L23/64 ,  H01G11/00 ,  H01G11/84

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种与硅基集成电路集成的全固态超级电容及其制备方法，该全固态超级电容由两个相对设置的芯片-电极集成结构粘合构成，其中，芯片-电极集成结构包含衬底、设置在衬底第一表面的芯片、由下到上依次设置在衬底第二表面上的硅纳米阵列结构、氧化铟薄膜层、纳米金属层及固态电解质层，该衬底包含硅区域，衬底的第一表面是指硅区域面，该第二表面与第一表面相背，上述的纳米金属层包含镍或者钴纳米颗粒。本发明提供的片上超级电容制备在低阻单晶硅的背面，可以充分利用硅材料，节约成本；与传统的硅基集成电路工艺兼容，制备工艺简单，成本低廉；制备的超级电容能量密度高。

公开(公告)号：CN108447881A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810337094.X

申请日：2018-04-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  王天宇 ,  何振宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于微互连的3D堆叠图像传感器及其制备方法。本发明传感器包括相互键合的顶部晶圆和底部晶圆；其中，在顶部晶圆的上表面以一定间距形成有互连线，在底部晶圆的上表面以相同间距形成有互连线及微凸块，所述顶部晶圆的连线与所述底部晶圆的微凸块相互对应连接，在所述顶部晶圆与所述底部晶圆之间的空隙填充有绝缘材料；顶部晶圆背面安装有彩色滤光片和微透镜。本发明利用上下两衬底互连的结构制备了新型3D堆叠图像传感器，有效解决了传统TSV技术不适用于光电二极管阵列的问题，具有理想的全局快门功能，能够实现超过160dB的寄生光灵敏度和超高速捕获等。

公开(公告)号：CN108269820A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810124408.8

申请日：2018-02-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  何振宇 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明属于图像传感器技术领域，具体为一种三维背光源结构CMOS图像传感器及其制备方法。本发明方法包括以下步骤：对制作在硅衬底上的CMOS图像传感器芯片层进行双层互连；将CMOS图像传感器芯片层和载物层进行暂时性粘合；对衬底进行减薄处理至预设厚度，并进行应力消除；将衬底和背光源进行永久性的粘合；将CMOS图像传感器芯片层上的载物层解除；制作硅通孔插入层；以及将CMOS图像传感器芯片层和所述硅通孔插入层进行互连。本发明有效消除了传统芯片级封装器件结构因应力所导致的不稳定性，能够在小尺寸的情况下提高器件对光的吸收能力，从而提高灵敏度。

公开(公告)号：CN103413829B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310340583.8

申请日：2013-08-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王玮 ,  张春敏 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于20纳米以下半导体器件技术领域，具体涉及一种隧穿晶体管器件及其制造方法。本发明的U型的围栅隧穿晶体管器件，将多栅结构与U型沟槽结构结合在一起，使栅电极在三个方向包裹住电流沟道，可以得到更小的关断电流，同时，使栅电极包围源区，增加了源区和栅电极重叠的面积，进而增加了线性隧穿的面积，从而可以得到更大的开启电流。进一步地，本发明对原有的FinFET工艺加以改进以适应U型沟槽的形成，使得U型的围栅隧穿晶体管器件可以得到更广泛的应用。

公开(公告)号：CN107731924A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710881703.3

申请日：2017-09-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁士进 ,  郑和梅 ,  刘文军 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明公开了一种黑磷场效应晶体管及其制备方法，该黑磷场效应晶体管的结构从下至上依次为：背栅电极、栅介质层、黑磷有源层以及源-漏电极。其中，栅介质层由热氧化的氧化硅介质层与原子层沉积的氮化铝介质层叠层构成，氮化铝位于氧化硅的上方。此外，原子层沉积的氧化铝钝化层将黑磷场效应晶体管完全覆盖。原子层沉积所生长的氮化铝表面形貌和粗糙度均可与生长前的氧化硅衬底相比拟，其加入提高了器件在高温下的稳定性；原子层沉积的氧化铝将黑磷场效应晶体管完全包围，使得黑磷有源层与外界环境隔绝，从而使得黑磷有源层的退化大大减缓，器件性能和稳定性均有明显提高。

公开(公告)号：CN104681093B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201410827335.0

申请日：2014-12-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈志辉 ,  江安全 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: G11C29/08

Abstract: 本发明属于微电子存储器件测试技术领域，具体为一种半导体存储器件电学参数测试系统。本发明系统包括测试机台、计算机、控制软件以及通讯电缆。其中：测试机台包括信号发生模块、数据采集模块、多档电阻切换电路模块、集成控制模块；计算机用于安装控制软件以及存储数据；控制软件用于用户执行已编辑或用户自定义编辑的测试程序模块，以及监控和处理数据；通讯电缆用于计算机与测试机台互相通信。本发明解决了目前新一代半导体存储器件研发中缺乏相应存储器件电学参数测试设备，已有的相关电学测试设备测试功能单一，难以满足新型多样存储器件研发需求，同时本发明结构简单，方便实用，可快速扩展多种测试功能。

公开(公告)号：CN106847910A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710139161.2

申请日：2017-03-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 戴亚伟 ,  陈琳 ,  郑亮 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开一种面向四维集成的GaN基半导体器件及其制备方法。这种垂直堆栈集成的功率器件表现出高的驱动电流，同时也满足集成电路进一步微缩化的需求。其制备步骤包括：在绝缘GaN衬底上形成多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠层；将多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠层分隔为源区和漏区；对多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠层进行刻蚀，得到分别连接源区和漏区中对应的GaN层并且相互隔离的多层GaN纳米线沟道；在多层GaN纳米线沟道上形成栅介质层及金属栅层；在金属栅层上形成顶栅电极；分别在源区和漏区的顶层GaN层上形成源电极、漏电极。

公开(公告)号：CN103000674B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210544375.5

申请日：2012-12-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  付超超 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L21/28

Abstract: 晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(fT)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著减少寄生电容、提高最高振荡频率(fmax)。这样可以显著提高晶体管的频率特性。这种倒置的异质结结构，可以采用ALE工艺通过在预先形成的外延单晶金属硅化物上形成发射极层，在发射极层上形成基极层，在基极层上形成集电极层制备得到。

公开(公告)号：CN106549031A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201611050405.1

申请日：2016-11-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  郑亮 ,  戴亚伟 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/15 ,  H01L29/778 ,  H01L33/06 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种基于体GaN材料的单片集成器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底上，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型 GaN层和顶电极；以及Fin-HEMT，位于所述GaN衬底上，包括多个鳍片、栅极和源极，其中，所述多个鳍片以一定间隔平行设置，所述栅极沿着垂直于所述鳍片的延伸方向而延伸，并且覆盖鳍片的侧面，所述源极位于所述鳍片的一端，所述鳍片的另一端与所述n型GaN层接触。本发明采用Fin-HEMT器件作为LED器件的驱动，可以实现对LED器件发光强度的精确控制，同时单片集成有助于降低寄生电容，电阻，减小封装复杂度。