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公开(公告)号：CN104681093A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410827335.0
申请日：2014-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明属于微电子存储器件测试技术领域，具体为一种半导体存储器件电学参数测试系统。本发明系统包括测试机台、计算机、控制软件以及通讯电缆。其中：测试机台包括信号发生模块、数据采集模块、多档电阻切换电路模块、集成控制模块；计算机用于安装控制软件以及存储数据；控制软件用于用户执行已编辑或用户自定义编辑的测试程序模块，以及监控和处理数据；通讯电缆用于计算机与测试机台互相通信。本发明解决了目前新一代半导体存储器件研发中缺乏相应存储器件电学参数测试设备，已有的相关电学测试设备测试功能单一，难以满足新型多样存储器件研发需求，同时本发明结构简单，方便实用，可快速扩展多种测试功能。
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公开(公告)号：CN102013453B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910195208.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶对应一种厚度，可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列。由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后，薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高，因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料，用于红外热释电探测器，机敏器件和系统，且制备方法简单易操作，具有很大的成本优势。
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公开(公告)号：CN101620879A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910055566.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G11C11/5657
Abstract: 本发明提出一种实现铁电存储器多位数据存储的操作方法，属于微电子技术领域，它在铁电存储器存储单元中，通过外加不同的写脉冲电压来使得铁电薄膜相应产生不同大小的剩余极化强度，并相应定义为不同的存储态，再通过一个固定外加正读电压，读取相应的各存储态，从而在单个存储单元中实现多位存储功能。利用本发明多位数据存储的操作方法，使得多位存储器件可以极大地提高存储密度，大大地降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103412210B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201310304913.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于固态电介质应用技术领域，具体为一种铁电薄膜成核可逆电畴极化强度的测量方法。预极化铁电薄膜电畴极化方向至外加电压的反平行方向，通过施加不同脉冲宽度的电压后，测得不同铁电电容器电压时铁电电容器放电电荷面密度及铁电薄膜反转电畴极化强度；预极化铁电薄膜电畴极化方向至外加电压的平行方向，通过施加不同脉冲宽度的电压后，测得不同铁电电容器电压时铁电电容器放电电荷面密度；最终可计算出铁电薄膜成核可逆电畴极化强度。本发明方法可适应各种情况，而且测量精度高，便于深入了解铁电薄膜成核电畴生长运动的动力学机理，可应用在超高介电响应等新型器件中。
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公开(公告)号：CN102013453A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910195208.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶对应一种厚度，可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列。由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后，薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高，因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料，用于红外热释电探测器，机敏器件和系统，且制备方法简单易操作，具有很大的成本优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101786599A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010022795.8
申请日：2010-01-14
Applicant: 复旦大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种构造铁电薄膜材料表面形貌的方法。它利用纳米压印技术构造铁电薄膜材料表面形貌的同时，使得被压印铁电材料的电畴自发极化方向取向有序化。而且电畴自发极化方向取向有序化程度可由应力大小来控制。相比于传统的依靠外加电压控制铁电材料电畴自发极化方向取向的方法，本发明方法具有方便，有效的优点，可以广泛应用在铁电存贮器(FeRAMs)、微电子机械系统(MEMS)及光电子等领域。
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公开(公告)号：CN102663465A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210133364.8
申请日：2012-05-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G06K19/00
Abstract: 本发明属于计算机通信技术领域，具体为一种卡片式USB接口信息存读取电子名片。该电子名片包括电路系统和外部塑料卡片；所述电路系统包括USB主控芯片、外围基本电路、存储芯片、LED灯、USB标准插头、USB标准插座；USB主控制芯片通过USB-OTG主从双重功能模块及MCU微控制器实现电子名片信息采集及保存,自带电源控制系统为主电子名片读取对方电子名片信息提供能源。外部塑料卡片作为电路系统保护层，制作成超薄型，同时在卡片表面印刷有个人信息。本电子名片能在交流名片时快速输出及读取对方信息，方便对客户名片信息进行管理，并可长久保存；本电子名片也可当U盘使用。
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公开(公告)号：CN102650821A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210161659.6
申请日：2012-05-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F1/68
Abstract: 本发明属于微电子技术领域,具体为一种耐高温硬掩膜版制备方法。此耐高温硬掩膜版采用氧化锌材料，具体表现为在衬底上利用传统光刻技术使用正性光刻胶转移图形，然后室温下淀积一层氧化锌薄膜，去除光刻胶及其上的氧化锌薄膜层则衬底上留下与光刻胶相反的图形。在此基础上，可以根据需要在高温下淀积各种高温生长材料，最后通过能快速腐蚀氧化锌但对所淀积材料影响忽略不计的稀浓度酸去除氧化锌及其上的材料,最终实现在衬底上形成各种图形淀积材料结构。
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公开(公告)号：CN102590669A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210038180.3
申请日：2012-02-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种铁电薄膜电畴区域运动速度与矫顽电场关系的测量方法。在铁电电容器充电过程中，铁电薄膜上电压逐渐从零上升到目标电压时，矫顽电压较小的电畴率先反转，反转电流和电畴运动速度呈正比；该电畴反转完毕后，随着薄膜充电电压的逐步增大，矫顽电压较高的电畴依次反转，即将铁电薄膜矫顽电压随不同区域的分布按照矫顽电压从小到大的顺序转化为电畴极化反转电流随时间的变化。在0.1V-100V间外加脉冲电压下,通过总串联电路中电阻在100Ω－100MΩ间调节，可以在1nA-1A间改变电畴反转电流或电畴运动速度，从而获得在不同区域中矫顽电场随电畴运动速度的变化。
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公开(公告)号：CN102054110A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201110028805.3
申请日：2011-01-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体为一种面向复杂FPGA可编程逻辑块通用装箱方法。本发明是将FPGA的可编程逻辑块的芯片配置描述为一系列用于约束可满足性问题图匹配方法的有向简单图，然后利用约束可满足性问题图匹配方法在用户电路中识别出芯片所支持的逻辑功能子电路进行装箱操作。本发明只要预先定义好描述目标FPGA逻辑功能电路的库文件，就能够支持对不同结构的FPGA芯片进行装箱，如能够对快速进位链，分布式存储器，移位寄存器，LUT5，LUT6等FPGA的各种功能配置进行装箱，有效提高芯片逻辑资源利用率，改善电路时序性能。本发明能够按照指定要求对电路进行优化，同时实现各种模块化电路的映射，在系统架构设计和可重构系统中都有重要的应用。
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