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公开(公告)号：CN101834274B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201010148279.X
申请日：2010-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种阻变金属氮化物材料的制备方法。包括在低真空腔体内产生氮等离子体，通过在金属薄膜材料上施加负偏压实现等离子体注入，从而在金属层表层形成金属氮化物薄膜。以这种方法制备的金属氮化物可以作为中间双阻层材料应用于阻变式随机存储器(Resistance Random Access Memory，简称RRAM)元器件，并可以通过控制薄膜中氮离子的浓度和分布，优化器件性能。
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公开(公告)号：CN101899646B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201010191678.4
申请日：2010-06-03
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括：安装于腔体内靶台的信号采集器，引线以及外围测量仪器；其中，信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构，所述引线为刚性结构，用于连接信号采集器和外围检测仪器。该装置通过控制引线转动使信号采集器在靶台上移动，得到靶台各点的离子注入剂量信息，进而得到离子注入剂量在靶台上的分布。本发明装置解决了以往测试剂量通过检测等离子体浓度的复杂性，并提高了精确度。本发明装置也可以在各类衍生的等离子体浸没注入设备中使用。
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公开(公告)号：CN101974298A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010540251.0
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用氩等离子体处理金属表面方法。该方法是利用等离子体浸没式离子注入法对待处理件进行表面处理，其中所述等离子体为氩等离子体，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明利用氩等离子体处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，不会出现热氧化方法存在的可重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN102061438B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010540198.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热一氧化碳处理金属表面的方法。该方法通过加热气体对待处理件进行表面处理，其中所述气体为一样化碳，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热一氧化碳处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN102061437B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010540163.0
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热甲烷处理金属表面方法。包括下述步骤：利用加热气体法对待处理件进行表面处理，其中所述气体为甲烷，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供了用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热甲烷处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101985739A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010514606.9
申请日：2010-10-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入设备的剂量控制系统。该控制系统包括位于离子注入设备内部的信号采集器，外围的信号测量设备以及计算机处理系统。其中信号采集器的设计依据及计算机自动控制系统的算法包含了本发明系统提供的离子注入剂量标定方法。系统通过信号采集器收集离子注入信号，而后通过测量设备测量信号，最后通过计算机系统处理信号获得离子注入信息，并控制等离子体浸没注入设备的工作。本发明系统解决了等离子体浸没注入剂量测定工作的复杂性，从而有效进行离子注入剂量的标定和控制。本发明系统可以在各类等离子体浸没注入的设备中使用。
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公开(公告)号：CN102061438A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010540198.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热一氧化碳处理金属表面的方法。该方法通过加热气体对待处理件进行表面处理，其中所述气体为一样化碳，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热一氧化碳处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN101899646A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010191678.4
申请日：2010-06-03
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括：安装于腔体内靶台的信号采集器，引线以及外围测量仪器；其中，信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构，所述引线为刚性结构，用于连接信号采集器和外围检测仪器。该装置通过控制引线转动使信号采集器在靶台上移动，得到靶台各点的离子注入剂量信息，进而得到离子注入剂量在靶台上的分布。本发明装置解决了以往测试剂量通过检测等离子体浓度的复杂性，并提高了精确度。本发明装置也可以在各类衍生的等离子体浸没注入设备中使用。
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公开(公告)号：CN101857206A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010175147.6
申请日：2010-05-13
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B21/06 , C01B21/068 , C01B21/072 , H01L45/00
Abstract: 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体涉及一种具有阻变性质的金属氮化物材料及其应用。本发明所述的金属氮化物为MxN，M为Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Si、Ga、In、Sc或Y，或者上述金属材料中任意两种或两种以上元素的合金，0.2≤x≤4，可以通过多种常规薄膜制备方法制备，通过对薄膜中氮含量的调控，使金属氮化物具有电阻转变性能。该材料能够作为中间阻变层应用于RRAM元器件中。所述RRAM元器件由下电极层、在下电极上的阻变金属氮化物层以及在阻变层上的上电极层构成。这种三明治结构与传统集成电路工艺高度兼容。本发明为阻变材料的选择提出了一个新的方向，有利于RRAM存储器向低成本、高性能方向发展。
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公开(公告)号：CN102061437A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010540163.0
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热甲烷处理金属表面方法。包括下述步骤：利用加热气体法对待处理件进行表面处理，其中所述气体为甲烷，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供了用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热甲烷处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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