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公开(公告)号：CN107565104A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710603502.7
申请日：2017-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属锂离子电池技术领域，具体为一种锂离子电池用负极材料AlN-Co复合薄膜及其制备方法。AlN-Co复合薄膜电极材料采用脉冲激光沉积制备获得，AlN-Co复合薄膜厚度为50-200nm，AlN和Co的摩尔比为（1-3）:1。薄膜电极的可逆比容量约为555 mAh·g−1，在充放电循环过程中表现出优良的电化学性能。该电极材料比容量高，循环性能好，制备方法简单，适用于锂离子电池。
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公开(公告)号：CN105810932A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610272203.5
申请日：2016-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M10/054
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M10/054
Abstract: 本发明属钠离子电池技术领域，具体为一种钠离子电池用层状正极材料及其制备方法。本发明的正极材料为钴锰钛三元层状金属氧化物，其化学式为：Na0.66CoxMn0.66?xTi0.34O2（0.2≤x≤0.4），可采用固相合成法制备。该电极材料的可逆容量约为60~140 mAh g?1，在充放电过程中表现出优越的电化学性能。本发明正极层状材料比容量高，循环性能良好，制备方法简单，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN101834274B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201010148279.X
申请日：2010-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种阻变金属氮化物材料的制备方法。包括在低真空腔体内产生氮等离子体，通过在金属薄膜材料上施加负偏压实现等离子体注入，从而在金属层表层形成金属氮化物薄膜。以这种方法制备的金属氮化物可以作为中间双阻层材料应用于阻变式随机存储器(Resistance Random Access Memory，简称RRAM)元器件，并可以通过控制薄膜中氮离子的浓度和分布，优化器件性能。
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公开(公告)号：CN101899646B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201010191678.4
申请日：2010-06-03
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括：安装于腔体内靶台的信号采集器，引线以及外围测量仪器；其中，信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构，所述引线为刚性结构，用于连接信号采集器和外围检测仪器。该装置通过控制引线转动使信号采集器在靶台上移动，得到靶台各点的离子注入剂量信息，进而得到离子注入剂量在靶台上的分布。本发明装置解决了以往测试剂量通过检测等离子体浓度的复杂性，并提高了精确度。本发明装置也可以在各类衍生的等离子体浸没注入设备中使用。
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公开(公告)号：CN101974298A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010540251.0
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用氩等离子体处理金属表面方法。该方法是利用等离子体浸没式离子注入法对待处理件进行表面处理，其中所述等离子体为氩等离子体，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明利用氩等离子体处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，不会出现热氧化方法存在的可重复性差的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107946581A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711228974.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属电化学技术领域，具体为一种功率型钠离子电池正极材料及其制备方法。本发明的钠离子电池正极材料为锰镍镁三元层状金属氧化物，其化学式为Na0.66Mn0.6Ni0.4-xMgxO2（0＜x≤0.4）。该电极材料采用固相合成法制备。该20电0-极400材 料Wh的 k可g-逆1。容在量充约放电为5过0程~1中40 表m现A出h 优g-1越，能的量循密环度稳约定为性和快速充放电性能。该正极层状材料比能量高，循环性能良好，制备方法简单，是一种优良的功率型钠离子电池正极材料。
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公开(公告)号：CN102061437A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010540163.0
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热甲烷处理金属表面方法。包括下述步骤：利用加热气体法对待处理件进行表面处理，其中所述气体为甲烷，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供了用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热甲烷处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN101222041B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710172620.3
申请日：2007-12-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属锂离子薄膜电池技术领域，具体为一种用于锂离子电池的纳米复合电极材料Li3N/Si及其制备方法。该材料是由Li3N与IVA族元素Si组成的纳米薄膜，可通过脉冲激光沉积法制备获得，Li3N/Si纳米复合物粒径小于50nm。薄膜电极的比容量随薄膜中Li3N和Si的配比不同在400-650mAh/g范围内变化，在反复充放电过程中表现出优良的电化学性能。该种薄膜电极材料比容量高，循环性能好，制备方法简单，适用于薄膜锂离子电池。
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公开(公告)号：CN101834274A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010148279.X
申请日：2010-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种阻变金属氮化物材料的制备方法。包括在低真空腔体内产生氮等离子体，通过在金属薄膜材料上施加负偏压实现等离子体注入，从而在金属层表层形成金属氮化物薄膜。以这种方法制备的金属氮化物可以作为中间双阻层材料应用于阻变式随机存储器(Resistance？Random？Access？Memory，简称RRAM)元器件，并可以通过控制薄膜中氮离子的浓度和分布，优化器件性能。
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公开(公告)号：CN101207202A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710172619.0
申请日：2007-12-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属锂离子薄膜电池技术领域，具体为一种用于锂离子电池的NiF2纳米电极材料及其制备方法。本发明采用脉冲激光沉积法制备了NiF2薄膜，其特点是NiF2薄膜的颗粒尺寸小于30nm，厚度为100－300nm。薄膜电极的可逆比容量可达450mAh/g，在反复充放电过程中表现出优良的电化学性能。该种薄膜电极材料比容量高，循环性能好，制备方法简单，适用于薄膜锂离子电池。
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