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公开(公告)号：CN111366838B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010181009.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，包括底板、腔壁、腔盖、柱电极和施压机构，腔壁密封安装在底板上，芯片放置在底板上并通过底板端子引出电极信号，腔壁内灌注有制冷剂；腔壁的顶部安装有腔盖，柱电极的底端端穿过腔盖上的密封帽处并伸入腔壁内用于压紧芯片，柱电极通过柱电极端子引出芯片的电极信号；施压机构用于对柱电极进行施压。本发明中的浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，实现了浸没式相变冷却功率电力电子器件的可靠测试方案，用于对制冷剂浸没下的芯片及其子模组开展GB/T 29332‑2012规定的相关电气特性测试，以获取器件的运行特性，评估器件在浸没式冷却工况下的品质、性能与寿命。
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公开(公告)号：CN111487515B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010315877.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。
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公开(公告)号：CN108828318B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201810160014.8
申请日：2018-02-26
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明属于高频变压器建模技术领域，尤其涉及一种提取级联型隔离变压器寄生电容的方法，包括：基于隔离变压器低频磁效应与高频电容效应来构建单个隔离变压器等效电路模型；将n个隔离变压器级联的模型等效为链式电路计算级联隔离变压器端口阻抗函数；根据零极点分析构建级联隔离变压器端口阻抗谐振频率与电路参数的关系式；用阻抗分析仪测试得到级联隔离变压器的端口开路阻抗谐振频率、级联隔离变压器在低频时输出端开路和短路的情况下的输入端阻抗，并分别计算励磁电感和漏磁电感，并计算隔离变压器的寄生电容。本发明无需内部结构数据即可方便有效地提取出变压器内部的寄生电容，有助于研究级联变压器二端口网络的宽频特性和寄生参数效应。
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公开(公告)号：CN111366838A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010181009.2
申请日：2020-03-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，包括底板、腔壁、腔盖、柱电极和施压机构，腔壁密封安装在底板上，芯片放置在底板上并通过底板端子引出电极信号，腔壁内灌注有制冷剂；腔壁的顶部安装有腔盖，柱电极的底端端穿过腔盖上的密封帽处并伸入腔壁内用于压紧芯片，柱电极通过柱电极端子引出芯片的电极信号；施压机构用于对柱电极进行施压。本发明中的浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，实现了浸没式相变冷却功率电力电子器件的可靠测试方案，用于对制冷剂浸没下的芯片及其子模组开展GB/T 29332-2012规定的相关电气特性测试，以获取器件的运行特性，评估器件在浸没式冷却工况下的品质、性能与寿命。
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公开(公告)号：CN110133472B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910481839.4
申请日：2019-06-04
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/265 , G01R31/27
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105552037B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201510960380.8
申请日：2015-12-18
IPC: H01L23/10 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心，由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时，部分电流过冲太大的问题，提高了压接式IGBT功率模块的可靠性，增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。
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公开(公告)号：CN109752638A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910084809.X
申请日：2019-01-29
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法。所述装置包括电容，电感，被测IGBT，辅助IGBT，续流二极管，负载电阻，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置。所述方法基于电感充放电电路，通过一次充放电过程为被测IGBT提供连续变化的电流，同时测量IGBT的电流和电压，即可以得到被测IGBT芯片的整条输出曲线，达到简单、快速测量IGBT芯片输出曲线的效果。
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公开(公告)号：CN106970269B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201710206592.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开模块化多电平换流器子模块局部杂散电感提取方法及系统，该方法包括：测量待测电路为导通时，各待测模块的电压，根据所述电压确定各所述待测模块的下电压过冲；测量所述待测电路为导通时，各所述待测模块的电流变化率；计算局部电感。采用本申请的局部杂散电感提取方法在无需进行有限元计算或拆解测量的情况下直接进行局部杂散电感的提取。
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公开(公告)号：CN107181399B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710563804.6
申请日：2017-07-12
Applicant: 华北电力大学
IPC: H02M1/34
Abstract: 本发明公开了一种新型直流母排。所述直流母排包括：吸收电容、储能电容、正极、负极、绝缘层；多个所述储能电容的排放位置呈环形结构，多个所述储能电容并联在一起；所述正极与所述储能电容的一端相连接；所述储能电容的另一端与所述负极相连接；所述绝缘层叠放在所述正极上；所述负极叠放在所述绝缘层上；多个所述吸收电容的排放位置也呈环形结构；所述吸收电容位于所述负极上；所述吸收电容用于降低寄生电感；多个所述吸收电容并联在一起；所述储能电容和所述吸收电容并联。采用本发明所提供的直流母排能够有效减小功率回路中的寄生电感，从而降低碳化硅功率器件在开关过程中的电压电流过冲，减小开关损耗，提升碳化硅功率器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN105606967B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510989504.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 华北电力大学
IPC: G06Q50/06
Abstract: 一种直流单导线电晕放电可听噪声分析方法，包括步骤：A、测量获得直流单导线电晕放电产生的可听噪声的时域波形；B、将直流单导线电晕放电离散为沿导线随机分布的多个点声源；C、构造点声源的声源脉冲时间间隔及声源脉冲幅值随机序列；D、构造点声源的随机声压脉冲波形；E、确定导线在接收点处产生的可听噪声；F、确定点声源的声源脉冲幅值；G、计算直流单导线在空间任一点产生的可听噪声。利用本发明的直流单导线电晕放电可听噪声分析方法，能够利用电晕放电可听噪声的本征特性，实现对于直流单导线电晕放电可听噪声的准确分析。
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