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公开(公告)号：CN113025794A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110253521.8
申请日：2021-03-09
Applicant: 北京理工大学
IPC: C21D8/00 , C21D6/00 , C21D1/18 , C22C38/38 , C22C38/06 , C22C38/22 , C22C38/26 , C22C38/28 , C22C38/02 , C22C38/32 , B21B3/00 , B21B37/00 , B21B37/74
Abstract: 本发明涉及一种提高Fe‑Mn‑Al‑C系低密度钢强度的方法，属于金属材料技术领域。所述方法步骤包括：首先对Fe‑Mn‑Al‑C系钢件进行固溶处理然后进行轧制变形处理，轧制压下量为20％‑70％，终轧温度为500‑850℃；最后于350‑600℃保温0.5‑3h进行时效处理，时效处理结束后于空气中冷却至室温，得到一种低密度高强度Fe‑Mn‑Al‑C系钢。本发明所述方法得到的Fe‑Mn‑Al‑C系低密度高强度钢的屈服强度达1370‑1900MPa，实现超高强度水平，同时延伸率保持在8％以上。
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公开(公告)号：CN111232963B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010061309.7
申请日：2020-01-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/194 , H05K9/00
Abstract: 本发明涉及一种镀镍石墨烯空心球的制备方法，属于吸波材料制备领域。本发明所述方法中，石墨烯在旋转外力和范德华力的作用下自组装形成空心球结构，在石墨烯自组装的同时利用水热法进行化学镀镍，镀液中电极电位低于镍的金属氧化腐蚀释放电子并传导到石墨烯上，镍离子在石墨烯表面得电子被还原形成自催化的活性中心，在还原剂的配合作用下，镀镍层以活性中心为基础逐渐沉积，形成具有空心结构的镀镍石墨烯球。本发明所述方法操作简单，成本低，成球率高，可重复性好；所制备的镀镍石墨烯空心球能够发挥镍和石墨烯优良的吸波性能，颗粒的整体密度低，在吸波材料领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111945027A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010747246.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种定向生长TiBw强化GNPs/Ti复合材料界面结合的方法，属于复合材料制备技术领域。该方法的步骤如下：含硼物质纳米粉吸附在GNPs表面，然后与钛基金属粉均匀混合，得到含硼物质@GNPs/Ti复合粉体；所述复合粉体利用局部高温进行烧结处理得到含硼物质@GNPs/Ti坯体；所述坯体再经过热处理得到GNPs-(TiBw)/Ti复合材料。原位自生定向的TiBw连接并强化Ti-TiC-GNPs多重界面，起到“穿针引线”的作用，进而提高GNPs/Ti复合材料的界面结合强度，而且在提高强度的同时能维持较好的塑性，提高了GNPs/Ti复合材料的强塑性匹配性能，为优化GNPs/Ti复合材料的力学性能提供了新思路。本发明所述方法操作简单，制备流程短，普适性强，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111139461B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010058662.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种在石墨烯表面化学镀镍的方法，属于复合材料制备技术领域。该方法首先对石墨烯进行表面除油以及轻度腐蚀处理，以提高镍原子在石墨烯表面的沉积效率；然后在化学镀液中加入比镍电极电位低的其他金属作为反应介质，这些金属在镀液中发生氧化腐蚀释放电子，通过机械搅拌和超声共同作用传导到石墨烯上，化学镀液中的镍原子在石墨烯表面得电子被还原形成了自催化沉积的活化中心，再在还原剂的配合作用下，表面镀镍层以镍自催化活性中心为基础逐渐生长，最终形成均匀致密的镀层。本发明所述方法工艺精简，成本较低，所制备的镍镀层均匀致密，覆盖率高，可重复性高，可以在保证高质量镀层的情况下大批量生产。
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公开(公告)号：CN109136608B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810962233.8
申请日：2018-08-22
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种取向可控的TiB晶须增强钛基复合材料的制备方法，属于金属基复合材料领域。所述方法利用球磨、放电等离子低温成型以及放电等离子热变形三种技术结合，有效调控TiB晶须达到在钛基复合材料中取向一致的最优形貌；所述方法中，变形温度可控，气氛可控，无氧化等不利因素影响，且变形速率可通过加压速率间接调控，得到的TiB晶须长径比高，完整性好，与钛基体具有良好的界面结合及共格关系，可依据荷载转移机制中取向因子、长径比优化对基体产生强化作用，显著提升了本发明所述复合材料的综合力学性能；充分解决了TiB晶须取向不易调控，手段单一，晶须长径比低，需要额外的热变形设备并因此增加工艺难度和成本等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108796265B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810684391.1
申请日：2018-06-28
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种TiB纳米增强钛基复合材料的制备方法，属于金属基复合材料领域。该方法利用球磨、放电等离子烧结和热轧结合制得所述复合材料。通过球磨制备原始粉末；利用放电等离子烧结效率高，外加压力和烧结气氛可控的优点，在较低烧结温度与高压下，控制TiB2颗粒与周围钛或钛合金基体不发生原位反应前提下，制备高致密度的烧结块体；最后，通过热轧使烧结块体内TiB2颗粒与周围钛或钛合金基体发生原位反应形成晶须，同时基体晶粒发生变形，降低组织内的孔隙率，提高所述复合材料强度与塑性；所述方法原位内生的TiB纳米晶须，表面洁净，在基体中均匀分布无团聚，与钛基体具有良好的界面结合及共格关系，并有效地细化基体晶粒。
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公开(公告)号：CN111232963A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010061309.7
申请日：2020-01-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/194 , H05K9/00
Abstract: 本发明涉及一种镀镍石墨烯空心球的制备方法，属于吸波材料制备领域。本发明所述方法中，石墨烯在旋转外力和范德华力的作用下自组装形成空心球结构，在石墨烯自组装的同时利用水热法进行化学镀镍，镀液中电极电位低于镍的金属氧化腐蚀释放电子并传导到石墨烯上，镍离子在石墨烯表面得电子被还原形成自催化的活性中心，在还原剂的配合作用下，镀镍层以活性中心为基础逐渐沉积，形成具有空心结构的镀镍石墨烯球。本发明所述方法操作简单，成本低，成球率高，可重复性好；所制备的镀镍石墨烯空心球能够发挥镍和石墨烯优良的吸波性能，颗粒的整体密度低，在吸波材料领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108677077B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810859474.X
申请日：2018-08-01
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高比强度高塑性的难熔高熵合金及其制备方法，属于金属材料技术领域。表达式为：VaNbbZrcTidMeNfPg，其中M,N,P可为Cr、Al、Ni、Fe、Si、O、B、C、N元素。15％≤a≤20％，15％≤b≤25％，30％≤c≤50％，30％≤d≤50％，0≤e≤5％,0≤f≤5％,0≤g≤5％且a+b+c+d+e+f+g＝100％。同时要求合金的价电子浓度：4.1≤VEC≤4.4，原子半径尺寸差δ：5.5％≤δ≤6.4％。本发明的合金可由多种方法进行制备。所述的VaNbbZrcTidMeNfPg合金密度小于6.5g*cm‑3,室温拉伸强度超过900MPa，塑性变形量超过15％，实现了高比强度高塑性；温度升高到600℃后，材料的弱化并不十分明显；在800℃后材料仍能保持一定的强度。该种合金对H2具有一定的储存能力，可在能源材料领域具有一定的应用。
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公开(公告)号：CN106517325B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201611033798.5
申请日：2016-11-15
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01G31/02
Abstract: 本发明方法涉及一种W与Eu共掺杂的二氧化钒薄膜及其制备方法，属于功能材料领域。所述二氧化钒薄膜原子百分比为：(W+Eu)/(W+Eu+V)≤5at.％。其制备方法为：将钨酸和氧化铕溶解于过氧化氢形成澄清透明的溶液，将所得溶液与五氧化二钒分散溶解于异丁醇，得到悬浊液A；向悬浊液A中加入浓盐酸和草酸加热搅拌得到溶胶B，经陈化得到溶胶‑凝胶前驱液；将溶胶‑凝胶前驱液旋转涂于洁净的基底表面，烘干，并重复旋涂步骤，得到预沉积前驱体薄膜；然后真空退火处理得到一种W与Eu共掺杂的二氧化钒薄膜。该薄膜在大幅度降低相变温度的同时能够保持对红外透过的高效的调节能力。
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公开(公告)号：CN110133413A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910481145.0
申请日：2019-06-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用于焊锡接头的电迁移测试结构，该结构包括两块PCB板，分为上板和下板；上板的下板面铺设有相互间断的中部铜线段，以及两侧的侧铜线段；下板的上板面铺设有与上板的下板面对应的铜线段，每条铜线段上铺设焊盘，非焊盘位置铺设绿油；上板和下板的各个焊盘同排对齐且一一上下对应，通过钎焊技术将待测试焊料焊接在各个上下对应焊盘之间，形成各个待测焊锡接头，上板每排各条中部铜线段以及两条侧铜线段通过各个待测焊锡接头与下板对应排的各条铜线段形成一条导通的线路；两条侧铜线段上各任取一个焊盘与测试电源的两极连接。本发明的电迁移测试结构与实际封装电路结构相同，可同时进行多个焊锡接头原位测试。
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