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公开(公告)号：CN116900545B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311175824.8
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学唐山研究院
Abstract: 本发明涉及一种用于快速瞬态液相连接的微合金化叠层焊片及其制备方法，属于焊接领域。本发明的目的是为了解决现有瞬态液相连接中Cu6Sn5全IMC接头制备时间过长、相变导致缺陷产生以及晶粒粗大导致服役可靠性差的问题，提供一种用于快速瞬态液相连接的微合金化叠层焊片及其制备方法。该焊片由纯Sn、Cu‑Ni合金和纯Sn依次叠加构成，三层之间紧密贴合，不仅可以促进瞬态液相连接过程中全金属间化合物接头的形成速率，而且可通过细化晶粒、避免相变等提升接头的可靠性。该制备方法工艺过程简单，易于操作，对环境要求低，在应用中具有实用性、安全性和经济性等优点，在电子器件封装中的Cu‑Cu金属材料互连领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117548897B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311593968.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学唐山研究院
Abstract: 本发明提供一种固溶强化焊料及其高可靠性互连接头的制备方法，各个元素按照重量百分比进行精确称量；使用液态Sn将其他元素进行包裹后进行真空封管处理；封管后的合金在均匀化处理；将焊料进行轧制得到圆片；将圆片置于高硼玻璃表面，加热得到焊球；将Cu基板使用Cu抛光液去除表面氧化膜并添加助焊剂；焊球置于Cu基板后进行初步焊接，让Zn与Cu首先发生反应以保证Ga固溶在β‑Sn中不被Cu基板消耗；将接头置于回流焊炉中进行回流焊接，得到高可靠性接头。实现在接头中仅存在少量金属间化合物或不存在金属间化合物，仅依赖固溶强化实现接头在恶劣环境下的高可靠性，避免在时效过程中由于第二相粗化而引起的接头失效。
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公开(公告)号：CN116900545A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311175824.8
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学唐山研究院
Abstract: 本发明涉及一种用于快速瞬态液相连接的微合金化叠层焊片及其制备方法，属于焊接领域。本发明的目的是为了解决现有瞬态液相连接中Cu6Sn5全IMC接头制备时间过长、相变导致缺陷产生以及晶粒粗大导致服役可靠性差的问题，提供一种用于快速瞬态液相连接的微合金化叠层焊片及其制备方法。该焊片由纯Sn、Cu‑Ni合金和纯Sn依次叠加构成，三层之间紧密贴合，不仅可以促进瞬态液相连接过程中全金属间化合物接头的形成速率，而且可通过细化晶粒、避免相变等提升接头的可靠性。该制备方法工艺过程简单，易于操作，对环境要求低，在应用中具有实用性、安全性和经济性等优点，在电子器件封装中的Cu‑Cu金属材料互连领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117548897A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311593968.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学唐山研究院
Abstract: 本发明提供一种固溶强化焊料及其高可靠性互连接头的制备方法，各个元素按照重量百分比进行精确称量；使用液态Sn将其他元素进行包裹后进行真空封管处理；封管后的合金在均匀化处理；将焊料进行轧制得到圆片；将圆片置于高硼玻璃表面，加热得到焊球；将Cu基板使用Cu抛光液去除表面氧化膜并添加助焊剂；焊球置于Cu基板后进行初步焊接，让Zn与Cu首先发生反应以保证Ga固溶在β‑Sn中不被Cu基板消耗；将接头置于回流焊炉中进行回流焊接，得到高可靠性接头。实现在接头中仅存在少量金属间化合物或不存在金属间化合物，仅依赖固溶强化实现接头在恶劣环境下的高可靠性，避免在时效过程中由于第二相粗化而引起的接头失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110133413A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910481145.0
申请日：2019-06-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用于焊锡接头的电迁移测试结构，该结构包括两块PCB板，分为上板和下板；上板的下板面铺设有相互间断的中部铜线段，以及两侧的侧铜线段；下板的上板面铺设有与上板的下板面对应的铜线段，每条铜线段上铺设焊盘，非焊盘位置铺设绿油；上板和下板的各个焊盘同排对齐且一一上下对应，通过钎焊技术将待测试焊料焊接在各个上下对应焊盘之间，形成各个待测焊锡接头，上板每排各条中部铜线段以及两条侧铜线段通过各个待测焊锡接头与下板对应排的各条铜线段形成一条导通的线路；两条侧铜线段上各任取一个焊盘与测试电源的两极连接。本发明的电迁移测试结构与实际封装电路结构相同，可同时进行多个焊锡接头原位测试。
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公开(公告)号：CN115620288A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211210960.1
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于人工神经网络识别二维(2D)材料层数的方法，特别涉及基于任意定点取样函数的人工神经网络(ANN)用来识别2D材料的层数的方法，属于人工智能和2D材料技术领域。本发明的方法采用构建ANN模型的方式，通过任意取点的方式提取光学图片中2D材料的RGB和HSV值，达到了区分识别2D材料层数的目的，从而依靠简单的机器学习的方法，实现低廉成本、高效快速识别，很好的解决了现有识别2D材料层数方法的昂贵、耗时以及低效的问题。
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公开(公告)号：CN110193642A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910480580.1
申请日：2019-06-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种调控焊锡接头晶粒取向及组织的焊接工艺，该工艺包括如下步骤：步骤一、通过物理、化学或电化学方法在PCB板焊盘位置沉积一层单晶金属材料或在晶圆表面生长单晶金属材料凸点；步骤二、去除在单晶金属材料表面的氧化物和有机污染物；步骤三、采用钎焊技术将锡基焊料焊接在单晶金属材料上，即制备出具有特定晶粒取向及组织的焊锡接头。本发明的焊接工艺，由于焊锡接头晶粒取向及组织得到了有效控制，其可靠性将得到极大提高。
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公开(公告)号：CN119855200A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510010987.3
申请日：2025-01-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: H10D30/68 , H10D30/01 , H10F30/282 , H10F71/00
Abstract: 本发明属于二维材料和电子信息器件领域，具体涉及一种基于电荷隧穿势垒和原子级锐利界面的超快、稳健多功能浮栅晶体管制备方法。本发明的方法所构筑的FGFET具有超大开关比(108)，超大存储窗口，可以实现多比特存储。并在小扫描电压下依旧实现存储特性，可以大大降低扫描电压；器件具有较强的数据保持性以及循环耐久性，在室温下数据保持性可超10年，可擦写次数可超105；本发明可实现两端、三端存储能力，拓展了存储功能，在两端存储的情况下依旧可以展现接近109开关比的存储特性，具有多功能特性；本发明可以在同一个器件里面实现NPC和PPC特性，具有良好的光响应；本发明的方法所构筑的FGFET可以实现纳秒级超快存储。
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公开(公告)号：CN210604813U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201920832886.4
申请日：2019-06-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种用于焊锡接头的电迁移测试结构，该结构包括两块PCB板，分为上板和下板；上板的下板面铺设有相互间断的中部铜线段，以及两侧的侧铜线段；下板的上板面铺设有与上板的下板面对应的铜线段，每条铜线段上铺设焊盘，非焊盘位置铺设绿油；上板和下板的各个焊盘同排对齐且一一上下对应，通过钎焊技术将待测试焊料焊接在各个上下对应焊盘之间，形成各个待测焊锡接头，上板每排各条中部铜线段以及两条侧铜线段通过各个待测焊锡接头与下板对应排的各条铜线段形成一条导通的线路；两条侧铜线段上各任取一个焊盘与测试电源的两极连接。本实用新型的电迁移测试结构与实际封装电路结构相同，可同时进行多个焊锡接头原位测试。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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