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公开(公告)号：CN111524653A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010365211.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，涉及超导电工领域。本发明的连接方法可以不破坏金属基带，同时又能提供氧扩散通道；最终得到的接头在液氮温区具备超导特性。具体的，本发明通过在超导层刻蚀出条纹状微槽提供大范围的氧扩散通道，缩短超导电性恢复时间；经过超导层熔融扩散可以使搭接的两个超导层界面的部分区域熔融并相互扩散紧密连接为一体，实现超导层之间的连接，使接头具备超导特性，形成超导接头。
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公开(公告)号：CN111253080A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010082744.8
申请日：2020-02-07
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C03C17/36 , H01L31/0392 , H01L31/0445
Abstract: 本发明涉及材料制备技术领域，提供了一种单相Cu2BaSnS4薄膜的制备方法。本发明通过将铜盐、锡盐、硫脲和钡盐溶解于乙二醇甲醚中制备前驱溶液，然后再将此前驱溶液旋涂成膜，再采用退火和硫化处理，最终得到单相Cu2BaSnS4薄膜。本发明提供的方法无需使用磁控溅射设备，工艺简单，使用设备易得，而且制备得到的单相Cu2BaSnS4薄膜纯度较高，对于Cu2BaSnS4薄膜大规模廉价制备提供坚实基础。
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公开(公告)号：CN109095461B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811346246.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供了一种单层石墨烯的制备方法，该单层石墨烯是由SiC衬底在充满惰性气体的气压动态平衡环境下加热热解制得，具体包括如下步骤：取SiC衬底预处理后放入坩埚；将坩埚置于真空室，抽真空后充入惰性气体，将坩埚感应加热促使SiC衬底升温至热解温度并保温；调整气压，控制真空室中的惰性气体保持气压动态平衡，使SiC衬底进行热解；热解完成后降至室温，恢复常压，取出单层石墨烯。本发明提供的制备方法简单可控，提高了生产效率，有望进行批量化生产，该方法能够制备2～4英寸的大尺寸单层石墨烯，所得单层石墨烯的层数可控，面积较大，且晶格缺陷极少，可以满足高质量单层石墨烯的市场需求。
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公开(公告)号：CN108149051B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711259320.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C22C1/10 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22C27/04 , C22C19/07 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C18/00 , C22C5/02 , C22C11/00 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22C27/06 , C22C30/02
Abstract: 一种石墨烯/金属复合材料及其制备方法。所述方法包括：(1)按质量百分比称取金属棒与高纯碳棒，高纯碳棒所占质量百分比为1％‑30％；(2)将清洗后的金属棒装夹在悬浮区熔定向凝固炉抽拉系统的上夹头和下夹头上，将高纯碳棒装夹在抽拉系统旁侧的夹具上，且高纯碳棒的底端与金属棒的熔区接触；(3)将悬浮区熔定向凝固炉抽真空，对金属棒进行定向凝固，控制熔区长度在1～50mm，将金属棒以1～5000μm/s的速率从上至下移动，且沿着抽拉系统的轴线旋转；所述高纯碳棒的底端始终处于所述金属棒的熔区内。由此方法本发明得到的石墨烯/金属复合材料中，碳以石墨烯形式存在于金属的晶格之中，两相界面结合良好，有助于提高材料的电导率。
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公开(公告)号：CN110166019A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910211047.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石材料基体的声表面波器件。包括金刚石材料基体、图形化压电材料以及电极；所述金刚石材料基体用于声表面波的传输；所述图形化压电材料设置在所述金刚石材料基体上，所述图形化压电材料用于微波-声波之间的转换；所述图形化压电材料的厚度为谐振体声波波长的1/2；所述电极设置在所述图形化压电材料上，所述电极用于微波的输入输出；相邻所述电极的极性相反。本发明利用金刚石材料为器件的主要声传播介质，进而实现非常低的器件损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110071193A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910392637.2
申请日：2019-05-13
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种双结叠层太阳电池及其制备方法。本发明采用宽带隙的CBTS薄膜太阳电池作为顶电池，窄带隙的CIGS薄膜太阳电池作为底电池，以金属电极以及CIGS薄膜太阳电池中的CIGS钼层作为双节叠层的两端，形成双结叠层太阳电池。本发明所提供的双结叠层太阳电池制备方法工艺简单，制备的双结叠层太阳电池能突破单结SQ理论效率限制，实现宽光谱吸收优势。
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公开(公告)号：CN105541317B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510882555.8
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B12/06 , C04B35/45 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/632
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种钇钡铜氧超导厚膜的制备方法。首先配制前驱液，把乙酸钇、三氟乙酸钡、和乙酸铜按照Y：Ba：Cu＝1：2：3的摩尔比混合，溶于乙酸和丙酸的混合溶液中；搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；随后加入适量甲醇、聚乙二醇和松油醇，制成Y、Ba和Cu三种金属离子总浓度为3.0‑6.0mol/L的前驱液；然后将前驱液涂覆在基片上；涂覆好的薄膜先经历300℃‑500℃的低温热处理过程，分解金属有机盐；然后进行750℃‑850℃高温热处理获得具有四方相的钇钡铜氧(YBCO)膜；最后在500℃‑600℃进行吸氧处理得到单层厚度大于6微米的YBCO超导厚膜。
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公开(公告)号：CN104480441B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201410740436.4
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种金属合金靶材制备含氢氧化锌铝透明导电保膜的方法。本发明采用磁控溅射方法，靶材为铝重量百分比2％的锌铝合金，衬底为普通钠玻璃，以氩气和水蒸气作为溅射气氛，其中水蒸气作为反应气体，密封水罐为水蒸气源，采用针阀和恒温装置控制水蒸气流量。首先将溅射真空腔体背底真空抽至8.0×10‑4pa，样品台温度为室温至250℃，打开贮水罐管道上的针阀，向真空腔体中通入水蒸气。通过针阀调整水蒸气压力范围为5×10‑3pa～5.0×10‑2pa，再向真空腔体中通入氩气，通过调整质量流量计，调整真空腔体的真空度至0.2Pa～1Pa。开始溅射，将溅射功率调节至50W～100W。待辉光稳定后，移开挡板，开始沉积氧化锌铝膜。沉积时间为20min～40min。待样品台温度低于100℃时打开真空腔体，取出氧化锌铝膜样品。
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公开(公告)号：CN107142520A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710346415.8
申请日：2017-05-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/002
Abstract: 一种控制碳化硅单晶生长装置，其感应线圈(1)、坩埚(2)、气路系统和升降旋转控制系统均位于真空腔室内。坩埚(2)位于升降旋转控制系统的上托盘(8)和下托盘(10)之间，放置在感应线圈(1)内的中央位置。坩埚(2)外包覆有保温层(4)。感应线圈(1)位于真空腔室中心位置，用以加热坩埚(2)。坩埚(2)内装有碳化硅粉料和籽晶，用于碳化硅晶体生长。气路系统连接在真空腔室侧壁上。通过上、下托盘的移动，控制坩埚与线圈的相对位置；调整坩埚下部和坩埚锅盖的旋转速度和方向，控制碳化硅晶体生长时原料区和晶体生长区的距离；通过原料区和晶体生长区距离的控制，实现晶体生长温度的精确控制。
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公开(公告)号：CN106981532A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710091577.1
申请日：2017-02-20
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0368 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/03928 , H01L21/02631 , H01L31/0368 , H01L31/0749 , H01L31/18
Abstract: 一种柔性CIGS多晶薄膜太阳电池，其结构中各层依次为：柔性云母衬底、金属Mo电极、CIGS光学吸收层、窗口层、高阻层、透明导电氧化物层；也可以为：柔性云母衬底、透明导电氧化物层、高阻层、窗口层、CIGS光学吸收层、Mo背接触层、金属导电层或者透明导电氧化物层。本发明的光学吸收层可以通过高温共蒸发也可以通过低温磁控溅射后硒化工艺制备，能与目前玻璃衬底上的刚性CIGS多晶薄膜太阳电池制备工艺兼容。本发明还可以制备成双面透光的柔性CIGS多晶薄膜太阳电池。
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