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公开(公告)号：CN102437017A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110297803.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN102398893A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110297805.3
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(110)型硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(110)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN102288644A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110191533.9
申请日：2011-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器及制作方法，传感器的结构包括：衬底框架，隔热腔体，加热膜区，支撑悬梁，加热电阻丝，供电引线，供电电极，叉指电极，探测引线，探测电极，和敏感膜。其结构特征为：位于隔热腔体上方的加热膜区通过四根支撑悬梁与衬底框架相连；加热电阻丝以折线的形式排布在加热膜区上，并通过供电引线与衬底框架上的供电电极相连；叉指电极排布在加热电阻丝的间隙，并通过探测引线与探测电极相连；敏感膜位于加热膜区上，覆盖整个加热电阻丝和叉指电极并和叉指电极有良好的电联接。
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公开(公告)号：CN102212794A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110092763.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石墨烯。该方法的特征在于可以直接制备图形化的石墨烯薄膜，并且衬底可以与IC工艺兼容，制作方法简单，成本低，能够大规模制造。
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公开(公告)号：CN1743261A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510025831.5
申请日：2005-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑，金属线条与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；同时纳米梁为浅槽区包围，纳米梁下表面与浅槽区的上表面均为(111)晶面；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。纳米梁的厚度等于浅槽区底部硅的表面与纳米梁区顶部硅表面的高度差；纳米梁、浅槽区和腐蚀区处于整平区内。本发明是基于分步氧化法(或干法刻蚀)和湿法腐蚀方法制作的，包括区域整平、梁区台阶制作、电学连接与力学支撑结构制作和纳米梁释放四个步骤，纳米梁厚度由分步氧化法或干法刻蚀法决定，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116534622A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310421966.1
申请日：2023-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在液体中对超薄薄膜进行转移的转移工装及其制备方法，所述转移工装依次包括：第一界面改性层、基板、第二界面改性层；其中所述转移基板与界面改性层上设有阵列化通孔结构。界面改性层可对转移基板表面进行改性，使其与超薄薄膜更加贴合；通孔可对转移工装在移动时其表面的液体进行有效分流，减小了移动的转移工装对周围环境的扰动与超薄薄膜的滑移；转移工装表面平整，在转移工装从溶液池中离开，移动至空气的过程中可有效将漂浮于液体界面的超薄薄膜吸附在其表面，并予以吸附保持，便于将其转移至目标溶液池中进行剥离，避免了超薄薄膜在转移过程中的磨损、破损与掉落，提高了超薄薄膜转移过程的效率，实现了超薄薄膜圆片级转移。
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公开(公告)号：CN115064427A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210535946.2
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01J21/10
Abstract: 本发明涉及一种电子管集成电路，包括至少一个电子管，所述电子管包括：阳极，所述阳极设有阳极支点；栅极，所述栅极的第一侧与所述阳极支点连接，所述栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，所述阴极与所述栅极支点连接，所述阴极的靠近所述栅极的一侧设有第一凸起。本发明采用基于场发射原理工作的电子管，该电子管体积小、功耗低、发热量小、对工作环境要求低，能应用于各种集成电路。并且，基于场发射原理工作的电子管所制备的集成电路，可减少高频率信号在传输过程中的损耗。
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公开(公告)号：CN113960144B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110985591.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线FET传感器阻值的测量装置，包括：硅纳米线FET传感器，其上设有待测的目标物；电源装置，其正极和负极之间设有依次串联的限流电阻、硅纳米线FET传感器和负载电容，以对负载电容充放电；ASIC组件，其根据负载电容两端的电压大小将负载电容在充电和放电状态之间切换，根据电压大小输出高低电平，以产生方波信号，获取其频率，得到硅纳米线FET传感器的实时电阻值；和显示装置，设置为接收并显示硅纳米线FET传感器的实时电阻值的数据。本发明还提供了相应的方法。本发明的装置具有体积小、电路结构简单、高效、低成本、低功耗、低温漂、器件无损、检测范围大、自适应能力强和完全不存在失配问题的优点。
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公开(公告)号：CN111537670B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010312318.9
申请日：2020-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气体测试设备领域，本发明公开了一种顶接触式气体测试腔及应用其的动态气体测试系统。该顶接触式气体测试腔包括：第一壳体，该第一壳体的顶部设有第一凹槽和探针固定孔；第二壳体，该第二壳体的底部设有第二凹槽，该第二凹槽与该第一凹槽通过该第一壳体和该第二壳体对接形成通孔；其中，该通孔的一端与供气装置连接，该通孔用于放置气体传感器和流通气体。本发明提供的顶接触式气体测试腔具有稳定时间短、测试效果好，以及与普通探针构成的气体测试系统具有成本低和占用空间小的特点。
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公开(公告)号：CN112432977B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011295179.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法，所述有机场效应晶体管气体传感器包括绝缘层、气敏材料层、栅电极、源极和漏极；所述绝缘层形成于所述栅电极之上；所述气敏材料层用于与被检测气体反应，所述气敏材料层设于所述绝缘层上方；所述气敏材料层由掺杂有F4TCNQ的气敏材料制作而成；所述源极和所述漏极位于同一层，且均设于所述气敏材料层的上方。本申请通过掺杂有F4TCNQ的气敏材料，能够提高器件的信噪比，同时能够提高器件的灵敏度和选择性等性能。
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