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公开(公告)号：CN107293384A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710512052.0
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氧化锡基薄膜压敏电阻器的制备方法，属于电子信息材料制备及其应用技术领域。本发明技术首先在射频磁控溅射设备中，以烧结氧化锡陶瓷为基质靶材，其他金属或其氧化物为掺杂靶材，在优化的溅射工艺下，在导电衬底上沉积得到氧化锡基薄膜；然后在马弗炉中，将这种氧化锡基薄膜样品埋在压敏特性形成氧化物粉末中进行热浸；最后，在所得样品的薄膜表面和衬底上分别被电极，即获得所述氧化锡基薄膜压敏电阻器。所制备的这种氧化锡基薄膜压敏电阻非线性性能优异，压敏电压可控，在大规模或超大规模集成电路的过压保护中有广泛的应用前景。所提出器件制备方法，操作简单易行，非常适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN106866135A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710144733.6
申请日：2017-03-13
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C04B35/468
Abstract: 本发明涉及一种无铅高居里温度BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷及其制备方法，属于高技术功能陶瓷及其应用领域。所述陶瓷以四方钙钛矿BaTiO3相为基质，以(Bi0.5Na0.5)TiO3为提高居里温度的移峰剂，以稀土氧化物Ta2O5或Sm2O3降低室温电阻率，并且添加过渡金属氧化物MnO2来提高升阻比；所述制备方法采用一锅法制备这种无铅BaTiO3基热敏陶瓷，并采用还原‑再氧化的烧结方法来获得热敏特性优异的BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷；所述制备方法依次包括“称量→混料→球磨→烘干→煅烧→研磨过筛→造粒→压片→排胶→烧结→被电极”工艺方法和步骤。这种BaTiO3基热敏陶瓷的居里温度高、升阻比高、室温电阻率低，并且实现了无铅化，特别适合用于发热、过热与过流保护、温度监控与感应等器件。
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公开(公告)号：CN106448975A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611030553.7
申请日：2016-11-16
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌-氧化镨薄膜压敏电阻器的制备方法，属于电子信息材料制备及其应用技术领域。本发明利用射频磁控溅射方法，以烧结氧化锌陶瓷或复合氧化锌陶瓷为基质靶材，其他金属或其氧化物为掺杂靶材，在优化的溅射工艺下，在导电基片上沉积得到低电阻率的氧化锌薄膜，然后将其埋入氧化镨粉末中进行热浸，获得氧化锌-氧化镨薄膜压敏电阻。这种薄膜压敏电阻器非线性性能优异、压敏电压可控、漏电流小、抗冲击老化和高温老化，在大规模或超大规模集成电路的过压保护中有广泛的应用前景。该方法薄膜沉积和热浸条件温和，工艺参数严格可控、可重复性好，可在大面积基片上获得组成、结构和厚度均匀的薄膜器件，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN105585044A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510685041.3
申请日：2015-10-20
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C01G3/12
CPC classification number: C01G3/12 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/64
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度CuS网络状纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用双温区真空管式炉，以硫粉为蒸发源，在真空环境中、在载气保护下，通过低温热蒸发的方法，在Cu箔上合成和生长CuS网络状纳米结构，包括CuS针状晶、墙状晶和薄片状晶等的网络状纳米结构。该方法具有制备严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、产量大、密度高、纯度高、成本低廉等优点，且无需使用任何催化剂。这类纳米结构材料可望在光催化剂、太阳能电池、锂离子电池等方面获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN105543972A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610102048.2
申请日：2016-02-24
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明在真空加热炉中，采用三氧化钼（MoO3）和硫（S）粉作为蒸发源，在真空环境中通过热蒸发的方法，在载气作用下，在基片上可控合成和生长MoO2层片状纳米结构。该方法具有反应平和、纳米材料的合成与生长条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率和纯度高、成本低廉、环保等优点。所获得的纳米结构产物密度高，纳米结构的厚度分布均匀，可望在电子器件、锂离子电池等方面获得广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103469155B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310422712.8
申请日：2013-09-16
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度高密度WO3/S核壳结构纳米颗粒的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空管式炉，以氧化钨和硫粉为蒸发源，通过热蒸发的方法，在载气保护下，在表面平整、光洁的硅片、砷化镓片、蓝宝石片或碳化硅单晶片上，一步合成沉积得到高密度的WO3/S核壳结构纳米颗粒，其内核为单晶WO3，外壳为非晶单质S。该方法具有沉积条件严格可控、设备和工艺简单、产量大、成本低等优点。所获得的纳米结构产物纯度高，其内核和外壳的直径分布均匀，颗粒大小可控；这种纳米颗粒在压敏电阻，气体传感器和催化剂等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103498191B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310422694.3
申请日：2013-09-16
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、短棒状结晶FeWO4／FeS核壳纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空管式炉，以氧化钨和硫粉为蒸发源，通过热蒸发的方法，在载气保护下，在镀有铁膜的基片上，制备得到短棒状的FeWO4／FeS核壳纳米结构，其内核为单晶FeWO4，外壳为单晶FeS。该方法具有合成生长条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、成本低廉等优点。所获得纳米结构产物纯度高，其内核和外壳的直径分布都非常均匀，直径和长度可控。所合成的纳米结构在光导纤维，传感器和催化剂等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105019029A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510376782.3
申请日：2015-06-30
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空加热炉，以三氧化钨粉和硫粉作为蒸发源，在真空环境中通过分离式加热蒸发的方法，在载气带动下，高产率一步合成得到高纯度、高密度的WS2层片状纳米结构。该方法具有设备和工艺简单、材料合成与生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉等优点。所获得的WS2层片状纳米结构，厚度在50-250nm之间，直径在20-40μm之间，产物纯度高，纳米结构直径和厚度均匀，形貌可控，可望在固体润滑剂、润滑油添加剂、半导体器件以及新能源材料领域获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN104051100A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410287126.1
申请日：2014-06-23
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氧化钛多层薄膜压敏电阻器及其制备方法，属于电子信息材料制备及其应用技术领域。本发明采用非化学计量比的烧结TiOm作为基质靶材，其他金属或其氧化物为掺杂靶材，通过射频磁控溅射，在载气作用下，在表面平整光洁的导电基片上，制备得到以TiOy-TiOx-TiOy(y＞x)三明治结构为基本单元的薄膜压敏电阻器。用该法制备所述薄膜压敏电阻，沉积条件严格可控、工艺重复性好，可在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。压敏电阻器非线性性能优异、压敏电压可控，特别适合大规模或超大规模集成电路的过压保护，如在电源系统、通讯系统、安防系统、电动机保护、汽车电子系统、家用电器等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103833039A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410022681.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 一种珊瑚状二氧化硅非晶纳/微米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空管式炉，催化剂辅助热解有机前驱体方法合成珊瑚状二氧化硅非晶纳/微米结构。含有步骤：(1)高硅含量聚硅氮烷在180-360℃下低温交联固化；(2)交联固化后的非晶固体在高耐磨器具中的粉碎、磨细，并和催化剂干粉均匀混合；(3)交联固化的前驱体细粉和催化剂干粉的混合物在保护气氛下快速高温热解、蒸发和纳/微米结构的沉积生长。该方法具有制备条件严格可控、工艺和设备简单、成本低廉，所得纳/微米结构产量大、纯度高、孔隙率高、比表面积大等特点。它在高性能纳米复合材料的增强增韧、纳米电子器件、医药载体等方面具有广泛的应用前景。
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