公开(公告)号：CN117747599A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311212501.1

申请日：2023-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 一种电容器结构包括：下电极结构，设置在衬底上，该下电极结构包括具有4个价电子的第一金属的氧化物，并且掺杂有具有3、5、6或7个价电子的第二金属；介电图案，设置在下电极结构的侧壁上；以及上电极，设置在介电图案的侧壁上。

公开(公告)号：CN117673024A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311146355.7

申请日：2023-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林汉镇 ,  朴正敏

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64

Abstract: 一种集成电路器件包括在衬底上的晶体管和电连接到晶体管的电容器结构，其中电容器结构包括：第一电极，包括具有第一功函数的第一导电材料；在第一电极上的电介质层，电介质层包括第一金属；第二电极，在第一电极上并且其间具有电介质层，并且包括具有小于第一功函数的第二功函数的第二导电材料；以及在电介质层和第二电极之间的界面层，其中相对于第二电极和电介质层之间的直接界面的电能势垒，界面层增加了第二电极和电介质层之间的电能势垒。

公开(公告)号：CN117651930A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280050575.7

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昊成 ,  朴正敏 ,  诸成民 ,  崔昌林

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/041 ,  H04W4/80

Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括通信模块、第一超宽带(UWB)模块、第二UWB模块以及可操作地连接到通信模块、第一UWB模块和第二UWB模块的处理器，其中，该处理器被配置为：基于从第一UWB模块获取的数据和从第二UWB模块获取的数据确定用户的凝视方向；选择定位在凝视方向上的至少一个外部电子装置；并且通过通信模块向所选择的外部电子装置发送要输出媒体的请求。各种其他实施例是可能的。

公开(公告)号：CN107784268B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN201710747742.4

申请日：2017-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东眩 ,  金东郁 ,  元珍喜 ,  李在晟 ,  崔钟敏 ,  金兑澔 ,  朴正敏 ,  李承恩

IPC: G06V40/10 ,  G06V40/16 ,  G06V10/25 ,  G06V40/19 ,  G06F21/32 ,  A61B5/024

Abstract: 提供了一种使用红外线(IR)传感器来确定心率(HR)的方法和电子设备。使用IR传感器来接收图像，在接收到的图像中确定用于测量HR的至少一个感兴趣区域(ROI)，并且基于所确定的至少一个ROI来确定HR。

公开(公告)号：CN113574489B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202080019828.5

申请日：2020-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 魏大汉 ,  金种珍 ,  朴正敏

IPC: G06F1/16 ,  H04L1/00 ,  G09G3/00 ,  H04N7/173

Abstract: 一种电子装置包括可折叠壳体、传感器模块、显示器、可操作地连接到所述传感器模块和所述显示器的处理器、以及可操作地连接到所述处理器的存储器。所述存储器可存储指令，所述指令在被执行时使所述处理器：基于获得所述电子装置在所述可折叠壳体处于完全展开状态时的方向信息来确定用户的视线；在经由所述传感器模块感测到所述可折叠壳体的折叠时，感测所述第一壳体与所述第二壳体之间的角；确定所述显示器的第一面的方向和所述显示器的第三面的方向；以及基于所述用户的视线、所述第一面的方向或所述第三面的方向中的至少一个，确定在所述显示器上显示的内容的位置或大小中的至少一个。

公开(公告)号：CN117222309A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310676241.7

申请日：2023-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括衬底、在衬底上的多个下电极、覆盖下电极的电介质层堆叠、以及覆盖电介质层堆叠的上电极。电介质层堆叠可以包括：在多个下电极上的第一电介质层，第一电介质层包括具有反铁电性或顺电性的材料；以及在第一电介质层和上电极之间的第二电介质层，第二电介质层包括具有铁电性的材料。上电极可以包括包含N型杂质的第一上电极层。

公开(公告)号：CN116744846A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280009269.9

申请日：2022-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑炫 ,  郭东旭 ,  林大亨 ,  郑大雄 ,  朴正敏

IPC: A61B5/1455

Abstract: 提供了一种电子设备和用于控制该电子设备的方法。电子设备包括运动传感器和光学传感器。光学传感器中的每一个包括光发射器和光接收器。光学传感器被单独驱动以确定光学传感器中的每一个的相应信号特性。基于通过运动传感器或光学传感器接收的至少一个信号来确定要测量的对象的当前状态。根据要测量的对象的当前状态，基于光学传感器的相应信号特性来驱动光学传感器中的至少一个的光发射器。基于光学传感器的相应信号特性，选择并接收通过光学传感器中的至少一个的光接收器感测的光信号。

公开(公告)号：CN116157006A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211113488.X

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件，包括电容器。电容器包括在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极。介电层包括介于底部电极与顶部电极之间并在第一方向上堆叠的第一介电层和第二介电层。第一介电层是反铁电的，并且第二介电层是铁电的。第一介电层的热膨胀系数大于第二介电层的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN116156879A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211430632.2

申请日：2022-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括衬底上的第一接触插塞、电容器、绝缘分隔层以及第二接触插塞。电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。第一电极接触第一接触插塞的上表面，并沿基本垂直于衬底的上表面的竖直方向延伸。第二电极与第一电极间隔开，并沿竖直方向延伸，并且包括分别与第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面。介电层在第一电极和第二电极的侧壁上。绝缘分隔层形成在介电层的在第一电极和第二电极的侧壁上的部分之间。第二接触插塞接触第二电极的上表面。

公开(公告)号：CN110364415B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201910240455.3

申请日：2019-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南奎 ,  金国桓 ,  金仅祐 ,  朴正敏 ,  宋珉宇

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供了一种制造包括不同的阻挡层结构的半导体装置的方法。所述方法可包括：在基底的第一区、第二区和第三区上形成第一导电层；在第一导电层上形成阻挡层，阻挡层包括顺序地形成的第一阻挡层、第二阻挡层和牺牲层；在阻挡层上顺序地形成第二导电层和第三导电层；执行第一蚀刻工艺以从第二区和第三区去除第三导电层，第三导电层在第一蚀刻工艺之后保留在第一区上；以及执行第二蚀刻工艺以从第三区去除第二导电层，第二导电层在第二蚀刻工艺之后保留在第一区和第二区上。