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公开(公告)号：CN102665726A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058190.2
申请日：2010-12-20
Applicant: 日本化学工业株式会社
IPC: A61K31/675 , A61P35/00
CPC classification number: A61K31/675 , C07F9/650952 , A61K2300/00 , A61K33/34 , A61K33/38
Abstract: 本发明的抗癌剂，其特征在于，含有选自下述式（1a）～式（1d）所示的化合物中的至少1种膦过渡金属配位化合物。该抗癌剂提供一种具有比以往高的抗癌活性且毒性低的抗癌剂。在（1a）、（1b）、（1c）、（1d）式中，R1和R2表示直链状或支链状的烷基等，且在按照RS表示法排列次序时，R1比R2优先次序高。R3和R4表示氢原子、直链状的烷基或支链状的烷基。M表示选自金、铜和银中的过渡金属原子。X-表示阴离子。
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公开(公告)号：CN102612492A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201080052299.5
申请日：2010-11-19
Applicant: 日本化学工业株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B39/42
CPC classification number: C01B39/42 , B01J20/3078 , B01J29/7034
Abstract: 本发明的MTW型沸石的制造方法，特征在于：混合二氧化硅源、氧化铝源、碱源、锂源和水，使其成为以特定摩尔比表示的组成的反应混合物，（2）将SiO2/Al2O3比为10～500的不含有机化合物的MTW型沸石作为晶种使用，相对于上述反应混合物中的二氧化硅成分，以0.1～20重量%的比例在该反应混合物中添加上述晶种，（3）以100～200℃密闭加热添加有上述晶种的上述反应混合物。
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公开(公告)号：CN101795973B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200880020509.5
申请日：2008-03-26
Applicant: 日本化学工业株式会社 , 星野重夫 , 真保良吉
CPC classification number: C01G37/02 , B82Y30/00 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/80 , C25D3/06 , C25D21/14 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种氢氧化铬，其凝聚度为10以上且小于70，平均粒径D为40～200nm，该凝聚度用通过粒度分布测定装置测定的体积平均粒径D50与由扫描电子显微镜像测定的平均粒径D之比D50/D表示。该氢氧化铬优选通过在反应液温为0℃以上、且小于50℃的条件下，向无机碱水溶液中添加含有三价铬的水溶液而得到。无机碱优选使用碱金属的氢氧化物。
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公开(公告)号：CN102479951A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110366191.X
申请日：2011-11-17
Applicant: 日本化学工业株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M10/0525
CPC classification number: Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供包含锂复合氧化物、且能够对锂二次电池赋予优异循环特性的锂二次电池用正极活性物质、工业上有利地制造此种锂二次电池用正极活性物质的方法及使用锂二次电池用正极活性物质的循环特性优异的锂二次电池。本发明的锂二次电池用正极活性物质的特征在于：其是包含下述通式(1)：LixNi1-y-zCoyMzO2(1)(式中，x为0.98≤x≤1.20，y为0＜y≤0.5，z为0＜z≤0.5；其中y+z＜1；M为Li、Ni及Co以外的一种以上的元素)所示的锂复合氧化物与LiTiO2的复合粒子。
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公开(公告)号：CN101836266B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200880112802.4
申请日：2008-10-21
Applicant: 日本化学工业株式会社
Inventor： 阿部真二
IPC: H01B5/00 , C09J9/02 , C09J201/00 , C23C18/31 , H01B1/22
CPC classification number: H01B1/22 , C08K3/10 , C08K5/3445 , C09J9/02 , C09J163/00 , C23C18/1635 , C23C18/1651 , C23C18/1689 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/42 , H05K3/323 , H05K2201/0209 , H05K2201/0224 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , Y10T428/2996 , Y10T428/2998
Abstract: 本发明的目的在于提供一种包覆导电性粉体以及一种导电性粘合剂，该包覆导电性粉体特别是作为用于将电路基板和电路部件等相互电连接所使用的各向异性导电性粘合剂的导电性填料是有用的，该导电性粘合剂即使对于微细化的IC芯片等电子部件和电路基板的电极连接而言也能够进行电可靠性高的连接。本发明的包覆导电性粉体是以绝缘性物质对导电性颗粒表面进行包覆处理而得到的包覆导电性粉体，其特征在于，上述绝缘性物质是粉末状的热潜在性固化剂。另外，本发明的特征还在于，该包覆导电性粉体的颗粒表面进一步由绝缘性无机质微粒进行包覆处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102131732A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133217.7
申请日：2009-07-16
Applicant: 日本化学工业株式会社
Inventor： 田边信司
CPC classification number: C04B35/50 , C01B33/12 , C01B33/126 , C01G23/053 , C01P2004/84 , C04B35/10 , C04B35/4682 , C04B35/62655 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62815 , C04B35/62821 , C04B2235/3236 , C04B2235/3248 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/768 , C08K3/10 , C08K3/22 , C08K3/34 , H01B3/12
Abstract: 本发明提供一种改性钙钛矿型复合氧化物，该改性钙钛矿型复合氧化物的介电特性与改性前相同或在其以上，从改性的包覆成分中实质上也没有包覆成分的溶出，有效地抑制比表面积的经时变化和A位金属的溶出，且具有良好的解碎性。该改性钙钛矿型复合氧化物的特征在于，其为将钙钛矿型复合氧化物的颗粒表面以选自TiO2和SiO2中的至少一种的第1成分和选自Al、Zr、Nd、La、Ce、Pr和Sm中的至少一种的第2成分包覆而得到的改性钙钛矿型复合氧化物，上述包覆是通过将作为上述第1成分来源的选自水解性TiO2前体和水解性SiO2前体中的至少1种和作为上述第2成分来源的选自Al、Zr、Nd、La、Ce、Pr和Sm中的至少1种的盐水解后进行烧制而形成的。
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公开(公告)号：CN102089392A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980103069.4
申请日：2009-01-21
Applicant: 日本化学工业株式会社
CPC classification number: C09D5/1618 , B82Y30/00 , C01P2004/03 , C01P2004/51 , C01P2004/52 , C01P2004/54 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/10 , C01P2006/40 , C09C1/3054 , C09C1/407 , C09C3/063 , C09D5/036 , C09D5/1637 , C25D5/34 , C25D5/42 , C25D5/48 , C25D5/56 , C25D7/006 , C25D9/08
Abstract: 本发明提供一种氧化亚铜的密合性高、在防污涂料中的分散性良好、且使防污涂料的保存稳定性高的氧化亚铜包覆粉体。本发明还提供一种氧化亚铜包覆粉体的制造方法，其特征在于，包括：表面处理工序，使芯材与亚锡盐的水溶液、银盐的水溶液和钯盐的水溶液中的任一种或二种以上的表面处理水溶液接触，获得芯材的表面处理物；电沉积工序，在含有电解质和抗氧化剂的电解液水溶液中分散该芯材的表面处理物，以金属铜为阳极，在该芯材的表面处理物的表面电沉积氧化亚铜，获得氧化亚铜包覆粉体；和水洗工序，对该氧化亚铜包覆粉体进行水洗，获得氧化亚铜包覆粉体，该电解液水溶液中的氯离子浓度为20～200g/L。
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公开(公告)号：CN101454902B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200780020021.8
申请日：2007-05-18
Applicant: 国立大学法人山梨大学 , 日本化学工业株式会社
CPC classification number: H01L27/10 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/04 , H01L51/0026 , H01L51/0037 , H01L51/0076
Abstract: 本发明的存储元件，其特征在于，该存储元件通过对含有液晶化合物的导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，并利用该液晶化合物的液晶状态的分子取向来存储信息，其中，其具有：第1电极群，其由彼此平行的多根线状电极所形成；和，导电性液晶半导体材料层，其以覆盖前述第1电极群的方式形成，并含有具有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物；和，第2电极群，其由在前述导电性液晶半导体材料层上沿着与前述第1电极群的电极交叉的方向延伸的彼此平行的多根线状透明电极所形成。
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公开(公告)号：CN101847512A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010141421.8
申请日：2010-03-25
Applicant: 日本化学工业株式会社 , 学校法人东海大学
IPC: H01G9/022 , H01G9/20 , H01M14/00 , H01L31/042 , H01L51/42
CPC classification number: H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供一种提供较高的光电转换效率的光电转换元件用电解质组成物。本发明的光电转换元件用电解质组成物的特征在于，含有下述通式(1)所表示的四级鏻盐及下述式(2)所表示的咪唑鎓盐，相对于两者的合计量，所述四级鏻盐含20mol％～80mol％，所述咪唑鎓盐含20mol％～80mol％。在通式(1)中，R1、R2及R3全部为相同的烷基，R4的碳数少于R1、R2及R3的各碳数。式中，R1、R2、R3、R4表示碳数1～6的烷基，可以相同也可以不同，R1与R2可以形成环。X1-表示一价阴离子。式中，R5～R9表示氢或碳数1～8的烷基，可以相同也可以不同。X2-表示一价阴离子。
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公开(公告)号：CN101795973A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880020509.5
申请日：2008-03-26
Applicant: 日本化学工业株式会社 , 星野重夫 , 真保良吉
CPC classification number: C01G37/02 , B82Y30/00 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/80 , C25D3/06 , C25D21/14 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种氢氧化铬，其凝聚度为10以上且小于70，平均粒径D为40～200nm，该凝聚度用通过粒度分布测定装置测定的体积平均粒径D50与由扫描电子显微镜像测定的平均粒径D之比D50/D表示。该氢氧化铬优选通过在反应液温为0℃以上、且小于50℃的条件下，向无机碱水溶液中添加含有三价铬的水溶液而得到。无机碱优选使用碱金属的氢氧化物。
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