公开(公告)号：CN113130357B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202110445987.8

申请日：2021-04-25

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 姬丹丹

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种晶圆干燥系统及晶圆干燥方法，属于晶圆清洗干燥领域。该系统包括有机溶剂输送单元、干燥气体输送单元、混合装置、加热装置和干燥装置，有机溶剂输送单元和干燥气体输送单元均与混合装置相连，混合装置、加热装置和干燥装置依次相连。混合装置，用于对有机溶剂输送单元输送的有机溶剂和干燥气体输送单元输送的干燥气体进行混合；加热装置，用于对混合装置混合后的混合流体进行加热气化；干燥装置，用于使用加热装置加热气化后的混合气体对晶圆进行干燥。本发明能够提升干燥工艺时混合蒸汽中有机溶剂蒸汽的含量，且产生混合蒸汽的时间短、效率高，能够满足快速干燥且干燥过程可控的需要。

公开(公告)号：CN117849435A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410045340.X

申请日：2024-01-11

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 王松涛 ,  李玉站 ,  张羽

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R1/02

摘要： 本申请公开了一种静电卡盘电源回路电流的检测装置及半导体工艺设备。其中，该装置包括：采样电阻，采样电阻串联于静电卡盘电源的输出端；运算放大器，运算放大器的输入正端与采样电阻的输入端连接，运算放大器的输入负端与采样电阻的输出端连接，运算放大器的参考电位端用于输入第一参考电压，第一参考电压与静电卡盘电源的输出端的输出电压之间的绝对电压差小于运算放大器的耐受电压差，运算放大器的供电端用于输入第一供电电压，第一供电电压比第一参考电压高预设的第一电压值，运算放大器的输出端用于输出与回路电流成比例的电压信号。本申请采用非高压隔离的普通运算放大器即可，降低了成本，提高了电流检测的准确性。

公开(公告)号：CN117832146A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211197873.7

申请日：2022-09-29

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 杨光 ,  何忠义 ,  蒋中伟 ,  周清军

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67

摘要： 本申请实施例提供了一种静电卡盘的吸附和解吸附控制方法及半导体工艺设备，其中，所述静电卡盘的吸附控制方法包括：步骤一，向晶圆和静电卡盘之间通入压力气体，其中，所述压力气体在所述晶圆上产生的托承力小于所述晶圆的重力；步骤三，向所述静电卡盘施加吸附电压，调整所述压力气体的压力，以使所述晶圆处于受力平衡状态；步骤五，升高施加至所述静电卡盘的吸附电压，使所述静电卡盘切换至定位状态，调整所述压力气体的压力，以将所述晶圆定位于所述静电卡盘。所述静电卡盘的吸附控制方法用于减缓在静电卡盘吸附晶圆的过程中，晶圆与凸起结构之间的摩擦现象。

公开(公告)号：CN117832117A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211199054.6

申请日：2022-09-29

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 胡帅帅 ,  刘红丽

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本申请公开一种半导体热处理设备，所公开的半导体热处理设备包括圆筒状断热部、多个加热体和多个支撑装置，所述多个加热体在第一方向上排列在所述圆筒状断热部之内，且邻近所述圆筒状断热部的第一内壁，所述第一方向与所述圆筒状断热部的轴线相平行，所述多个支撑装置沿所述圆周方向间隔分布，每个所述支撑装置设有沿所述第一方向排列的多个支撑槽，所述加热体支撑于所述多个支撑装置的位于所述圆筒状断热部同一高度的所述支撑槽内，所述加热体与所述支撑槽的邻近所述圆筒状断热部的轴线的第二内壁限位配合，以使相应的所述加热体沿所述圆筒状断热部的所述圆周方向延伸。上述方案能够解决固定加热体的时间较长以及断热部容易发生断裂的问题。

公开(公告)号：CN117832112A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211177702.8

申请日：2022-09-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 卢翌 ,  孙妍 ,  史小平

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/673

摘要： 本申请公开了一种半导体设备及其晶舟，该半导体设备的晶舟包括：副晶舟支架，用于在批量半导体工艺处理进行到预设进度时，同样以上下层叠方式支撑起多个晶圆，来使多个晶圆暂时脱离主晶舟支架，及在主晶舟支架转动第一预设角度后，进行复位操作以使多个晶圆重新回到主晶舟支架，且每一晶圆与主晶舟支架之间的接触位置均发生改变后，再来完成批量半导体工艺处理的余下进度。本技术方案，可在半导体设备的工艺途中改变主晶舟支架与晶圆之间的接触位置，来避免出现晶边的局部薄膜缺失现象，以从根本上排除了半导体设备由此导致的颗粒污染的隐患，提升影响器件良率的同时，不会造成半导体设备对晶圆进行半导体工艺处理时的制程道数增加。

公开(公告)号：CN117822096A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211182819.5

申请日：2022-09-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 杨凯翼

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B28/12 ,  C30B29/36

摘要： 本申请公开了一种线圈的定位方法及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种线圈的定位方法包括：获取加热线圈及热场的初始相对位置；沿轴向方向移动加热线圈，当加热线圈的第一端移动至热场第一端时，记录加热线圈的中心距基准位置的第一距离；沿轴向方向移动加热线圈，当加热线圈的第二端移动至热场第二端时，记录加热线圈的中心距基准位置的第二距离；根据第一距离、第二距离和加热线圈两端的轴向距离，获得加热线圈中心与热场中心的距离差；根据当前加热线圈与热场的相对位置以及距离差移动加热线圈，使加热线圈的中心与热场的中心对准。本申请能够解决人工操作方式无法准确地将线圈移动至热场中间位置等问题。

公开(公告)号：CN117810111A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211165916.3

申请日：2022-09-23

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 杨建姣

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本申请提供一种紫外光照装置、控制方法和紫外光固化设备，其通过主电机驱动带轮组件转动，皮带在带轮组件间传动，带轮组件转动的同时带动光照机构转动。在皮带的张紧度过紧或过松时，调节组件可带动张紧轮移动，实现皮带张紧度的实时调节，避免皮带与带轮组件之间发生打滑或跳齿，进而保证紫外光均匀照射晶圆表面，减少了晶圆在紫外光固化过程中产生表面异常，保证了产品质量。

公开(公告)号：CN117802481A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211164142.2

申请日：2022-09-23

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 简师节 ,  李补忠 ,  郑建宇

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/458 ,  H01L21/67 ,  H01L31/20

摘要： 本申请公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺设备包括：工艺腔室、承载装置、柔性连接装置和电极；所述柔性连接装置设置于所述承载装置，并随所述承载装置沿所述工艺腔室的轴线方向可移入或移出所述工艺腔室；所述电极的一端延伸至所述工艺腔室内；在所述承载装置移入所述工艺腔室的情况下，所述柔性连接装置与所述电极相连接，以使所述电极、所述柔性连接装置及所述承载装置依次导通；在所述承载装置移出所述工艺腔室的情况下，所述柔性连接装置与所述电极断开。本申请能够解决石墨舟与电极杆之间动连接效果不佳导致阻抗较大，容易烧蚀等问题。

公开(公告)号：CN111882168B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202010628425.2

申请日：2020-07-02

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 吴洁

IPC分类号： G06Q10/0631 ,  G06Q50/04 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种物料调度方法，包括：根据所有工艺模块中工艺腔室的当前属性对物料队列中的物料依次进行分组，并标记每个物料所要进入的工艺模块标识，其中，当前属性包括可用和禁用，分组形成的每个物料组中的物料个数对应所标记工艺模块中当前属性为可用的工艺腔室的个数；根据分组结果将被标记为同一工艺模块标识的物料同时传入对应工艺模块中当前属性为可用的工艺腔室中；在传入过程中，实时监测每个工艺腔室的占用状态变化，根据每个工艺腔室的当前占用状态对未被传入工艺腔室的物料重新分组并重新标记所要进入的工艺模块标识。能够实现将多个物料分组并同时传入多个物料，以及动态调整物料分组，提高设备的加工产能。

公开(公告)号：CN117778967A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202211149344.X

申请日：2022-09-21

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 杨依龙 ,  王磊

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔室本体、内衬件和承载装置；内衬件将腔室本体的内腔分隔为溅射空间和传输空间，腔室本体开设有传片口和抽气口，传片口与传输空间相连通，内衬件开设有通气通道；承载装置可升降地设于传输空间内，承载装置包括承载台和第一波纹管，第一波纹管的两端分别与腔室本体的底壁和承载台面向腔室本体的底壁的一侧密封连接，第一波纹管与抽气口相连通；在承载台上升至工艺位置的情况下，第一波纹管朝向承载台的一端与内衬件密封连接，溅射空间通过通气通道与第一波纹管的内部空间相连通，传片口与第一波纹管的内部空间相隔断。上述方案能够解决工艺腔室的工艺效率较低的问题。