公开(公告)号：CN114553162A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111420495.X

申请日：2021-11-26

申请人： 原子能和辅助替代能源委员会

发明人： M·布斯凯 ,  P·佩罗 ,  A·赖因哈特

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H3/08

摘要： 本发明涉及一种用于制造部件的方法，其包括将形成施主衬底(100)的一部分的至少一层一种或多种压电或热电或铁电材料(100a)转移至最终衬底(700)上的操作，所述方法包括经由在单晶压电或热电或铁电材料的所述施主衬底与临时衬底(200)之间产生脆性分离区域而将所述层结合至所述临时衬底的在先步骤，所述区域包括至少两个不同材料层(300、310)，以确保易于生成两种化合物中的至少一种的一种或多种构成元素的相互扩散的所述两种化合物达成接触，所述脆性区域允许分离所述临时衬底。

公开(公告)号：CN114551429A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210282023.0

申请日：2022-03-21

申请人： 甬矽电子(宁波)股份有限公司

发明人： 白胜清 ,  陈泽

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H03H3/08 ,  H03H9/64

摘要： 本发明的实施例提供了一种局部空腔封装结构和封装方法，涉及芯片封装技术领域。该局部空腔封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片和保护膜，第一芯片和第二芯片间隔设于基板上，保护膜设有预切痕，第二芯片的外围设有穿刺件，保护膜铺设于基板上以罩设第一芯片和第二芯片；穿刺件凸设于基板上，且与预切痕对应设置。这样可以在第一芯片的底部形成封闭空腔结构，同时，穿刺件的设置有利于将第二芯片外围的保护膜刺破，从而在塑封时能让塑封体进入第二芯片底部。

公开(公告)号：CN114531136A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210171484.0

申请日：2022-02-24

申请人： 广东广纳芯科技有限公司

发明人： 许欣

IPC分类号： H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H03H3/08

摘要： 本发明提出了一种声表面波谐振器，包括：压电衬底；以及叉指换能器，该叉指换能器具有：第一汇流条，设置在压电衬底上，具有至少一个第一弧形部以及至少一个第一长条形部；第二汇流条，设置在压电衬底上，具有至少一个第二弧形部以及至少一个第二长条形部，第二汇流条与第一汇流条具有相同的形状；多个第一电极指，设置在压电衬底上的第一汇流条和第二汇流条之间，一端连接到第一汇流条；多个第二电极指，设置在压电衬底上的第一汇流条和第二汇流条之间，一端连接到第二汇流条，第一弧形部和第二弧形部分别朝远离第一电极指和第二电极指的方向凸出。

公开(公告)号：CN114531134A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210427874.X

申请日：2022-04-22

申请人： 深圳新声半导体有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H03H9/10 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/54 ,  H03H9/64 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提出了一种用于薄膜滤波器芯片级封装的方法和结构。所述方法包括提供待封装晶圆底衬，并在所述待封装晶圆底衬上设置带有多个凸起的晶圆安装凹槽；其中，所述凸起包括第一支撑凸起、第二支撑凸起和间隔凸起；利用第一支撑凸起和第二支撑凸起将所述薄膜滤波器的芯片晶圆倒装设置在所述晶圆安装凹槽内，并将所述芯片晶圆和待封装晶圆底衬之间建立金属导体连接关系；在所述芯片晶圆上设置塑封层进行塑封，并且，所述芯片晶圆的金属凸点的上表面外露于所述塑封层的上表面；在所述塑封层上设置密封及导电连接结构。

公开(公告)号：CN114520641A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202210166655.0

申请日：2022-02-23

申请人： 广东广纳芯科技有限公司

发明人： 许欣

IPC分类号： H03H9/64 ,  H03H9/145 ,  H03H9/02 ,  H03H3/08

摘要： 本发明提供一种TC‑SAW器件，其包括：衬底层；形成在衬底层上的叉指电极；形成在叉指电极上的活塞部；连接叉指电极的汇流条；以及覆盖叉指电极、活塞部和汇流条的温度补偿层，其中，叉指电极包含作为真指的第1电极和作为假指的第2电极，第1电极和第2电极在垂直于汇流条的方向上隔开间隙相向地配置，在平行于汇流条的方向上隔开间隔交错地配置，由第1电极构成的第1电极组以及由第2电极构成的第2电极组在衬底层上分别构成叉指结构，活塞部形成在第1电极的末端，并且形成在汇流条的与第1电极相连接的部位处，位于同一汇流条上的第1电极的末端的活塞部彼此是平齐的，位于同一汇流条上的活塞部彼此也是平齐的。

公开(公告)号：CN114499443A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210109625.6

申请日：2022-01-29

申请人： 苏州达波新材科技有限公司 ,  江苏第三代半导体研究院有限公司

发明人： 刘宗亮

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/145 ,  H03H9/64 ,  H03H3/08

摘要： 本发明公开了一种声表面波器件及其制备方法。所述声表面波器件包括第一压电层，所述第一压电层的表面分布有输入区和输出区，所述输入区内设置有输入叉指换能器，所述输出区内设置有输出叉指换能器，所述输入叉指换能器与输出叉指换能器通过传输通道配合，所述传输通道包括第二压电层，所述第二压电层设置在凹槽结构内，所述凹槽结构开设于第一压电层的表面并分布于输入区和输出区之间；所述第一压电层、第二压电层由III族氮化物形成。本发明以氮化铝作为主要的声表面波材料，同时在氮化铝上形成高质量的氮化镓作为传输通道，大大减少了声表面波的传播耗损，有效提高了声表面波的传播速度，获得了具有高机电耦合系数的高频声表面波器件。

公开(公告)号：CN114497114A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111626462.0

申请日：2021-12-28

申请人： 深圳市汇芯通信技术有限公司

发明人： 樊永辉 ,  许明伟 ,  樊晓兵

IPC分类号： H01L27/20 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L41/29 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02 ,  H03H9/64

摘要： 申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路，集成芯片包括衬底、外延层、隔离结构、氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器，所述隔离结构将所述外延层划分第一外延层和压电层，并将所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器隔离；所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括设置在所述第一外延层上的源极、漏极和栅极；所述表面声波滤波器包括设置在所述压电层上的第一叉指换能器和第二叉指换能器；所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器通过金属导线互联。通过上述设计，将射频前端中的氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器做到一个芯片上，从而增加射频器件的集成度，达到减小器件面积、降低损耗、提升器件总体性能的目的。

公开(公告)号：CN114079000B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210057195.8

申请日：2022-01-19

申请人： 深圳新声半导体有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L41/22 ,  H01L41/23 ,  H01L41/25 ,  H01L41/29 ,  H03H3/08 ,  H03H9/10 ,  H03H9/64 ,  G06F30/23 ,  G06F30/17 ,  G06F111/04

摘要： 本发明提供了一种SAW滤波器的封装系统。帽盖板制作模块：用于获取盲孔参数和金属层铺设参数，并在帽盖板上设置盲孔和金属层，生成目标帽盖板；器件晶片制作模块：用于将器件晶片加工为SAW波滤波器器件；腔体制作模块：用于确定所述目标帽盖板和SAW波滤波器器件的对应关系，构建封闭腔体模型；封装模块：用于根据所述封闭腔体模型，将目标帽盖板和SAW波滤波器器件进行键合，并在所述帽盖板上设置焊盘，进行焊接封装。本发明相对于现有技术，本发明更加的方便，而且本发明的包含着设计，也包含着焊接，能够适应各种封装方法。

公开(公告)号：CN114448372A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111508853.2

申请日：2021-12-10

申请人： 上海新硅聚合半导体有限公司

发明人： 欧欣 ,  李忠旭 ,  黄凯

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H3/08

摘要： 本申请涉及一种异质薄膜衬底的制备方法和滤波器。包括：提供薄膜转移衬底，所述薄膜转移衬底具有相对的第一表面和第二表面；对所述薄膜转移衬底进行离子注入，以在所述薄膜转移衬底内形成注入损伤层；所述离子注入的方向为自所述第一表面至所述第二表面；提供支撑衬底，所述支撑衬底具有相对的第三表面和第四表面；将所述支撑衬底的所述第三表面与所述薄膜转移衬底的所述第一表面键合，得到键合衬底；对所述键合衬底进行热处理，在所述热处理过程中对所述键合衬底施加预设大小的形变限制压力，以使所述键合衬底沿所述注入损伤层进行剥离，得到所述异质薄膜衬底。本申请通过预设大小的形变限制压力，保证键合衬底在剥离时，转移薄膜层的完整性。

公开(公告)号：CN114337580A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210009135.9

申请日：2022-01-06

申请人： 武汉敏声新技术有限公司

发明人： 林炳辉 ,  刘炎 ,  蔡耀 ,  詹道栋 ,  孙成亮 ,  孙博文

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/145 ,  H03H3/08

摘要： 一种薄膜声表面波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，该薄膜声表面波谐振器的制备方法包括：在单晶衬底上分别形成单晶压电薄膜层、平板电极层和第一键合材料层；在硅衬底上形成第二键合材料层；将第一键合材料层和第二键合材料层通过键合工艺以使得形成有第一键合材料层的单晶衬底与形成有第二键合材料层的硅衬底形成晶圆；通过刻蚀工艺去除晶圆一侧的单晶衬底以露出单晶压电薄膜层；在单晶压电薄膜层上分别形成叉指电极和反射栅，反射栅在硅衬底上的投影位于叉指电极在硅衬底上的投影的外侧。该薄膜声表面波谐振器及其制备方法能够制得单晶压电薄膜，并提高单晶压电薄膜的质量，同时，通过在单晶压电薄膜的下方增加平板电极，从而显著提高薄膜声表面波谐振器的性能。