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公开(公告)号：CN115020589A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210385701.6
申请日：2022-04-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多功能的硅基光电神经突触器件，包括氧化物上硅层，所述氧化物上硅层由氧化层和硅衬底组成，其中，氧化层位于硅衬底上；光电响应层，所述光电响应层位于所述氧化层上，所述光电响应层为半导体钙钛矿薄膜；以及顶电极，所述顶电极位于光电响应层上，所述顶电极为惰性金属材料。该硅基光电神经突触器件该器件能够在较低能耗和低串扰下进行电信号写入，已完成多个光调控功能。本发明还提供了多功能的硅基光电神经突触器件的制备方法。该制备方法成本低，容错高，操作简便等优点。
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公开(公告)号：CN114754910A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210350969.6
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01L1/24
Abstract: 本发明涉及压力测量技术领域，公开了一种基于碳化硅拉曼信号的压力测量方法，包括以下步骤：提供碳化硅，将所述碳化硅放置在待测压力位置处；对位于所述待测压力位置处的所述碳化硅进行激光照射，形成拉曼信号；根据所述拉曼信号中的TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值。本发明基于TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值的压力测量方法，测量精度高，且更具有实践意义；且在变温情形下，碳化硅非常高的热导率能够降低误差，无须特殊的X射线防护，且无峰位重叠情况，压力计算更加准确。
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公开(公告)号：CN114518070A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210156964.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及显微镜技术领域，公开了一种与扫描探针显微镜联用系统的快速定位方法、系统，包括：获取样品在高倍显微镜下拍摄得到的第一样品图像；对第一样品图像进行校准并计算第一样品图像的四个顶点坐标；获取样品在扫描探针显微镜下拍摄得到的第二样品图像；对第二样品图像进行校准并计算第二样品图像的四个顶点坐标，其中，样品在第一样品图像和第二样品图像中所呈现的摆放位置相同，第一样品图像的四个顶点坐标和所述第二样品图像的四个顶点坐标；对第一样品图像进行代码解析，计算目标区域的位置坐标，在第二样品图像中根据所述位置坐标找到对应的扫描区域。本发明可以在扫描探针显微镜下快速定位到需要扫描的目标区域。
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公开(公告)号：CN114277442B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210214553.1
申请日：2022-03-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法，包括以下几个步骤：将碳化硅籽晶粘接于石墨托后放入生长腔室内，进行碳化硅第一阶段生长，形成带贯穿型位错的碳化硅晶体；将生长腔室加热，压强降低，加入含碳气体，通过低速台阶流生长模式进行碳化硅第二阶段生长，在碳化硅表面形成第一缓冲层；停止加入含碳气体，生长腔室内载气恢复至初始状态，提高腔室内压强，进行碳化硅第三阶段生长，第一缓冲层表面形成第二缓冲层；调整腔室压强，进行碳化硅单晶生长；生长完成后，降温、降压，获得低位错密度的碳化硅单晶，本发明通过缓冲层迭代方法调控碳化硅单晶生长过程中的位错演变，降低碳化硅单晶中的位错密度，实现高质量碳化硅单晶的生长。
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公开(公告)号：CN114150362B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210115945.2
申请日：2022-02-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体为一种芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置，包括：通过在半导体衬底片的第一表面制备间隔排列的多个掩膜，将生成所述掩膜层的半导体衬底片浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系并采用包含小于所述半导体衬底片对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述半导体衬底片的第一表面，从而对所述半导体衬底片的第一表面上未覆盖所述掩膜的半导体暴露部分进行刻蚀，刻蚀完成后得到嵌入式微流体冷却沟道，将包含嵌入式微流体冷却沟道作为冷却剂的流经通道用于对芯片进行降温。本发明能够在半导体衬底片上实现宽度和深度均可控的嵌入式微流体冷却沟道，操作简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114318517A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111638964.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种籽晶粘接结构及其提高籽晶粘接均匀性的方法，依次包括压块，籽晶，定位环，所述定位环上设有导热系数不同的第一导热层，第二导热层与第三导热层，导热系数沿籽晶中心径向到边缘呈减小趋势。本发明通过利用导热系数不同的导热层，分区域热压，使得胶水固化的时候气泡从中心开始向边缘能有序的排出，避免了中心区域气泡无法排除而聚集的现象。通过本发明的方法制备的籽晶，其胶水的均匀性得到了很大的改善。
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公开(公告)号：CN114284188A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111420808.1
申请日：2021-11-26
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/677 , H01L21/04 , H01L21/67 , B01D5/00 , B01F33/40
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅腐蚀设备，涉及腐蚀设备技术领域，包括：炉体；腐蚀室，腐蚀室设于炉体内；转移室，转移室设于腐蚀室上方，转移室包括炉盖和隔板，炉盖设于所述炉体上，炉盖侧壁上设有进样门，隔板滑动设于所述转移室与腐蚀室相连通之处，隔板用于转移室与腐蚀室之间的连通与隔开；旋转样品机构，旋转样品机构活动设于转移室内；样品承载架，样品承载架设于腐蚀室内，样品承载架与旋转样品机构相连接，旋转样品机构用于带动样品承载架在腐蚀室和转移室之间做上下移动。本申请的碳化硅腐蚀设备可以有效避免外部环境对腐蚀剂成分和温度的影响，且有效防止蒸汽外泄对操作人员造成伤害。
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公开(公告)号：CN114277442A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210214553.1
申请日：2022-03-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法，包括以下几个步骤：将碳化硅籽晶粘接于石墨托后放入生长腔室内，进行碳化硅第一阶段生长，形成带贯穿型位错的碳化硅晶体；将生长腔室加热，压强降低，加入含碳气体，通过低速台阶流生长模式进行碳化硅第二阶段生长，在碳化硅表面形成第一缓冲层；停止加入含碳气体，生长腔室内载气恢复至初始状态，提高腔室内压强，进行碳化硅第三阶段生长，第一缓冲层表面形成第二缓冲层；调整腔室压强，进行碳化硅单晶生长；生长完成后，降温、降压，获得低位错密度的碳化硅单晶，本发明通过缓冲层迭代方法调控碳化硅单晶生长过程中的位错演变，降低碳化硅单晶中的位错密度，实现高质量碳化硅单晶的生长。
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公开(公告)号：CN114217095A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210154304.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及扫描显微成像技术领域，公开了一种适用于半导体缺陷定位的扫描探针显微镜，第一激光束依次通过滤光片、光阑和第一透镜、第一单色仪汇聚后，打到探针的悬梁臂和样品上，样品表面发出的荧光信号入射到第二单色仪，经由光电转换器将荧光信号转换为电信号后，对电信号进行放大并发送至数据采集单元；第二激光束透过第二透镜打到探针的悬梁臂并打在样品上的同一点上，经第三透镜收集后入射至SPM探测器，转换为电信号输入至SPM信号采集器；通过移动探针或/和样品实现对所述样品表面的扫描。本发明装置可以很快的定位到样品的缺陷位置，对于表面缺陷和无法在表面看到的缺陷，不需要再通过两个以上的装置进行重复检测。
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公开(公告)号：CN114216939A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111527712.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01N27/24
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅表面缺陷态能量分布测量方法、系统及存储介质，先分别在不同施加电压、不同温度、不同电压脉冲时间的条件下，通过深能级瞬态谱仪器测量得到碳化硅晶圆与金属电极点构成的肖特基结构的瞬态电容变化曲线，然后根据瞬态电容变化曲线，得到耗尽层宽度曲线，再根据所述耗尽层宽度曲线，计算出瞬态电压曲线，最后根据瞬态电压曲线计算出碳化硅晶圆表面缺陷态的能级位置以及对应缺陷态密度，从而得出碳化硅晶圆的缺陷态态密度能级分布规律。
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