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公开(公告)号：CN113550012B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110859503.4
申请日：2021-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请公开了一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置，包括：反应部，反应部包括硅晶圆安装部和耐腐蚀腔；加热部，加热部与反应部相连，加热部用于对耐腐蚀腔加热；封堵部，封堵部包括第一管堵和第二管堵；通过设置管堵，实现对反应部的密封，保障腐蚀效果；通过在管堵设置冷凝区和反应区，实现对高温碱性蒸汽的吸收和反应，减少碱性蒸汽散发的空气中对人体健康造成影响。
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公开(公告)号：CN114284188A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111420808.1
申请日：2021-11-26
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/677 , H01L21/04 , H01L21/67 , B01D5/00 , B01F33/40
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅腐蚀设备，涉及腐蚀设备技术领域，包括：炉体；腐蚀室，腐蚀室设于炉体内；转移室，转移室设于腐蚀室上方，转移室包括炉盖和隔板，炉盖设于所述炉体上，炉盖侧壁上设有进样门，隔板滑动设于所述转移室与腐蚀室相连通之处，隔板用于转移室与腐蚀室之间的连通与隔开；旋转样品机构，旋转样品机构活动设于转移室内；样品承载架，样品承载架设于腐蚀室内，样品承载架与旋转样品机构相连接，旋转样品机构用于带动样品承载架在腐蚀室和转移室之间做上下移动。本申请的碳化硅腐蚀设备可以有效避免外部环境对腐蚀剂成分和温度的影响，且有效防止蒸汽外泄对操作人员造成伤害。
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公开(公告)号：CN113862789B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111453140.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种制备p型4H‑SiC单晶的坩埚结构与装置与方法，坩埚结构包括第一坩埚，第一坩埚用于盛放生长物料；第二坩埚，用于盛放掺杂物料；第一坩埚沿中轴线设有贯通的连接通道，所述连接通道的中轴线与所述第一坩埚的中轴线重合，所述连接通道的侧壁与所述第一坩埚的侧壁形成开口向上的物料放置部；第二坩埚设置于第一坩埚的下方，第二坩埚的开口与连接通道相通。利用本发明中的坩埚结构可避免在双线圈加热中热的生长原料气氛反向输运到冷的掺杂源端；本发明通过掺杂金属Ce和气体H2来稳定4H晶型，而不是采取常用的Al‑N共掺的方法，保证Al掺杂量的同时稳定住4H晶型，以降低电阻率。
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公开(公告)号：CN119853129A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510324097.X
申请日：2025-03-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于类锁存器算子的变流器跟构网控制模式切换方法，属于新能源并网技术领域，包括以下步骤：S1、确定期望实现切换功能的构网型控制和跟网型控制的具体控制方案；S2、分别分离构网型控制和跟网型控制的同步环路与其余环路；S3、将同步环路按所提方法进行改造，将其余环路改造为提出的类锁存器算子结构；S4、系统具备跟构网控制无缝切换能力，根据需要在跟网运行态和构网运行态之间灵活切换。本发明采用上述的一种基于类锁存器算子的变流器跟构网控制模式切换方法，可以解决无相同控制环路情况下的跟构网控制模式切换问题。
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公开(公告)号：CN113834515B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110946914.7
申请日：2021-08-18
IPC: G01D21/00
Abstract: 本发明公开了一种高时空分辨双光子激光直写原位红外探测装置与方法，该装置基于光参量效应产生红外波段飞秒激光，脉冲时间短、峰值能量高；解决了传统双光子激光直写原位红外探测技术中时间分辨率低，无法实现超快动力学过程原位探测的问题。基于反射式物镜对红外飞秒激光进行聚焦，并结合共聚焦光学系统；解决了传统双光子激光直写原位红外探测技术中空间分辨率低，无法实现局部精细区域动力学过程原位探测的问题。本发明还公开了两种高时空分辨双光子激光直写原位红外探测方法，可以分别针对空间定点动力学过程，以及材料超快动力学过程进行原位探测，方法简单、适用面广、拓展性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113862789A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111453140.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种制备p型4H‑SiC单晶的坩埚结构与装置与方法，坩埚结构包括第一坩埚，第一坩埚用于盛放生长物料；第二坩埚，用于盛放掺杂物料；第一坩埚沿中轴线设有贯通的连接通道，所述连接通道的中轴线与所述第一坩埚的中轴线重合，所述连接通道的侧壁与所述第一坩埚的侧壁形成开口向上的物料放置部；第二坩埚设置于第一坩埚的下方，第二坩埚的开口与连接通道相通。利用本发明中的坩埚结构可避免在双线圈加热中热的生长原料气氛反向输运到冷的掺杂源端；本发明通过掺杂金属Ce和气体H2来稳定4H晶型，而不是采取常用的Al‑N共掺的方法，保证Al掺杂量的同时稳定住4H晶型，以降低电阻率。
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公开(公告)号：CN113834515A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110946914.7
申请日：2021-08-18
IPC: G01D21/00
Abstract: 本发明公开了一种高时空分辨双光子激光直写原位红外探测装置与方法，该装置基于光参量效应产生红外波段飞秒激光，脉冲时间短、峰值能量高；解决了传统双光子激光直写原位红外探测技术中时间分辨率低，无法实现超快动力学过程原位探测的问题。基于反射式物镜对红外飞秒激光进行聚焦，并结合共聚焦光学系统；解决了传统双光子激光直写原位红外探测技术中空间分辨率低，无法实现局部精细区域动力学过程原位探测的问题。本发明还公开了两种高时空分辨双光子激光直写原位红外探测方法，可以分别针对空间定点动力学过程，以及材料超快动力学过程进行原位探测，方法简单、适用面广、拓展性强。
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公开(公告)号：CN113189709A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110419670.7
申请日：2021-04-19
Abstract: 本发明公开了一种用于光纤阵列的输入光信号发生装置及光刻系统，基于空间光调制器、数字微镜装置、微透镜阵列等光学元器件构成。本发明通过空间光调制器将入射的单束激光束调制成多光束阵列，然后通过数字微镜装置将光束阵列中任意子光束反射至微透镜阵列中的一个对应的微透镜中，每个子光束通过微透镜聚焦后入射到光纤阵列中的一根光纤中。通过对数字微镜装置的编程控制，可实现对光纤阵列中每一路输入光信号通断的高速切换。本发明可有效利用光源功率进行多路光分束并耦合进光纤阵列，并可实现光纤阵列中每根光纤独立可控的高速光开关信号输入。本发明可作为关键性器件被应用于基于光纤的通信、传感、成像、光学微加工等领域。
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公开(公告)号：CN113026106A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110544234.2
申请日：2021-05-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种新型的碳化硅晶体的生长工艺。通过这种方法生长碳化硅单晶，既解决了单独使用PVT方法所带来的源料无法持续供给及C/Si比失衡问题，也解决了PVT方法初期籽晶上面沉积成成核困难的问题。另外，通过调节出气管的挡板角度，既解决了单独使用HTCVD生长成本过大的问题，提高了源料的利用率，也解决了长时间的生长中排气口会发生封堵的问题。而且通过在炉体内部跟进气管道上端口平行处添加过滤网，保证了在整个生长过程中，防止了料粉中的固体颗粒进入到籽晶上面而形成固体粒子包裹。
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公开(公告)号：CN113568279B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202110802368.X
申请日：2021-07-15
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于多模光纤阵列输入光场调制的超分辨直写式光刻系统，采用两个空间光调制器分别对两束不同波长的入射光进行预调制，使两束光通过同一根多模光纤出射后，在距离光纤出射端面一定远处的平面上聚焦。从多模光纤出射的圆形激发光斑和环形抑制光斑同心且环形光斑覆盖住圆形光斑的大部分外围区域。本发明配合特制的负性光刻胶使用，通过激发光和抑制光同时作用于光刻胶，即可使实际被固化的光刻胶体素尺寸小于衍射极限的限制。通过改变空间光调制器所加载的相位图，无需机械位移装置即实现在某一平面小区域内的逐点扫描式光刻。通过多路复用上述结构，实现平面大区域的逐点扫描；再结合z方向位移台，实现三维立体结构的光刻。
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