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公开(公告)号：CN110596051A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910820887.1
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯包覆的双芯D型光子晶体光纤SPR折射率传感器。所述光纤SPR传感器包括一具有平面壁和曲面侧壁的折射率引导型光子晶体光纤，所述折射率引导型光子晶体光纤留有左右相互对称的两个纤芯，横截面呈D形，在所述平面壁上具有传感层。本发明在D形光子晶体光纤表面，左右纤芯所对应的传感层分别为石墨烯包覆的金/银纳米柱。利用金/银纳米柱表面产生的等离子体共振对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将金属表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的吸收峰的位移，设计实现高灵敏度的光子晶体光纤SPR传感器。本发明的优点是：双芯结构的设计拓宽了该折射率传感器的检测范围。石墨烯包覆金/银纳米柱的设计既能明显提高传感器的灵敏度，又能有效防止银纳米柱的腐蚀及氧化。该传感器设计新颖，结构简单，体积小，检测范围宽，抗腐蚀能力强，灵敏度高，是一种实用的折射率传感器。
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公开(公告)号：CN109324368A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810927751.6
申请日：2018-08-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于等离子体波导的逻辑输出光源。其特征：主要包括金属薄膜及金属薄膜上的矩形波导和矩形谐振腔；波导由入射波导、中间波导和出射波导组成；中间波导的一端与入射波导相连，另一端与出射波导相连；入射波导一端延伸到金属薄膜的一侧形成光的入射口，出射波导另一端延伸到金属薄膜的另一侧形成光的出射口；当输出信号源输出两种信号时，谐振腔个数为一个，当输出信号源输出三种信号时，增加一个出射波导，同时增加一个垂直于出射波导的谐振腔。此结构能输出三位二进制信号，通过改变入射光的波长控制输出的逻辑信号，同时通过调节谐振腔的长度可调整信号源输出频率。本发明将在未来全光学计算的光子集成电路中有潜在应用。
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公开(公告)号：CN109100332A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810751945.5
申请日：2018-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称开口圆环结构的双透射峰等离子光纤传感器，包括金属薄膜以及开设在金属薄膜上的周期开口圆环狭缝阵列结构。单个周期结构由左右两个开口圆环狭缝构成，内外半径相同但圆心角不同的两个开口圆环狭缝水平位于单元中心左右两侧。本发明的传感器结构在近红外频段内具有高品质因数高透射率的双透射峰特性，利用该特性可进一步提高传感器灵敏度，并且可使传感器工作在两个不同的频段。同时，通过修改相关结构参数可以达到调整双透射峰频谱位置的目的，从而可以实现工作频段宽、适用范围广、灵敏度高、易于加工的等离子光纤传感器。
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公开(公告)号：CN108680974A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810293045.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元波导可调谐光滤波器，主要包括金属膜以及开设在金属膜上的多个狭缝结构单元，多个狭缝结构单元中的横向矩形狭缝开设在金属膜下端的三分之一处，纵向矩形狭缝开设在横向矩形狭缝中部上端并且相互垂直，圆盘狭缝开设在纵向矩形狭缝上端且中心点在同一竖轴上，圆盘狭缝内镶有两个完全相同的等腰三角形，其顶角相连和底边相互平行形成蝴蝶结形状的金属棒，其顶角相连的交点就是圆盘狭缝的圆心。所有狭缝结构单元均贯穿金属膜上下表面上且形成统一的整体狭缝结构。本发明的滤波器结构在近红外波段内具有可调谐和高透射率的特性，并且通过改变结构的相关参数，可以达到调整透射光谱半高宽与选频位置目的，从而可以实现适用范围广、利用率高、易于集成的等离子激元可调谐滤波器。
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公开(公告)号：CN209589089U
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201821559766.3
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本实用新型提出了一种三孔缝结构的传感器，解决了现有技术中存在的三孔缝结构的传感器性能差、谱宽所需大的技术问题，采用包括三孔缝结构的传感器包括厚度小于工作波长的超表面；所述超表面的形状为规则几何形状，超表面内平行等间距对称的设置有三个矩形孔缝；所述超表面的材质为金属的技术方案，可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN214705974U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202121100659.6
申请日：2021-05-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种阻变存储器结构，其结构由顶电极、阻变介质层和底电极组成，所述顶电极具有指向底电极的锥形结构，所述底电极具有指向顶电极的锥形结构，所述顶电极与底电极锥形结构之间保持一定距离，此结构下的忆阻器具有减小阻变存储器SET及RESET电压的效果，在加载电压后，尖端位置对应的电场强度最高，适合导电细丝的形成，抑制了导电细丝形成的随机性，解决了现有技术中的导电细丝型阻变存储器中阻变介质层导电细丝形成随机且不集中的技术问题。
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公开(公告)号：CN214672637U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202120994785.4
申请日：2021-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0445 , G02B5/00 , B82Y30/00
Abstract: 本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池，通过TCO膜层与玻璃衬底固定连接，Si层与TCO膜层固定连接，金属纳米颗粒与Si层固定连接，ITO膜层与Si层固定连接，其中Si层表面的三角纹理形态可以有效提高长波段的光吸收，而Si层中的金属纳米颗粒可以有效提高短波段的光吸收，此结构可有效提高硅基薄膜太阳能电池整个波段的光吸收，解决了硅基薄膜太阳能电池光子吸收率低的问题。
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公开(公告)号：CN209217173U
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201920010620.1
申请日：2019-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P3/00
Abstract: 本实用新型涉及一种基于费马旋臂结构的人工表面等离激元波导，解决的是电模式表面等离激元波导各方向强度分布不均匀的技术问题，通过采用包括介质基板，以及设置在介质基板单面或对称面的金属费马旋臂结构，可以将表面等离激元束缚在金属费马旋臂结构单元周围，实现人工表面磁等离激元的高效传输。所述金属费马旋臂结构的厚度小于10-4倍工作波长的技术方案，较好的解决了该问题，并应用于等离激元波导中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN215220737U
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202121197794.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/109
Abstract: 本实用新型公开了一种纳米棒异质结光电探测结构，包括硅基底、二氧化硅层、若干组纳米棒异质结和源漏电极，所述二氧化硅层设置在所述硅基底上，所述纳米棒异质结均铺在所述二氧化硅层上方，所述源漏电极设置在所述纳米棒异质结的两侧，通过局域表面等离激元共振现象，当光照射在微纳结构上，形成局域表面等离激元共振，在等离激元诱导下，电子从金属中直接跃迁到半导体材料导带中，这种方式能够有效避免载流子转移过时弛豫、复合、束缚等过程的能量损失，从而解决了传统常规热电子跨越势垒转移途径热电子转移时所产生较高的能量损失的技术问题。
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公开(公告)号：CN214625089U
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202121000154.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构，一方面可以发挥该族二维材料的优势，优良的机械性和高透性使器件具有柔性光控忆阻器的潜能，通过氧化手段，引入氧化层，增加氧空位含量，可降低器件的转变电压，实现器件低功耗的提高忆阻器的性能，通过第一阻变层和第二阻变层的加入，可以防止底电极层和顶电极层过度氧化影响阻变性能，使忆阻器的性能得到提升。解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。
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