公开(公告)号：CN111587534A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201880086213.7

申请日：2018-12-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中川亮 ,  岩本英树 ,  高井努 ,  高峰裕一

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

Abstract: 本发明在抑制通带的特性劣化的同时使产生在比通带靠低频率侧的瑞利波的杂散降低。在弹性波装置(1)中，在电学上最靠近第1端子(101)的天线端谐振器是第1弹性波谐振器(3A)。在第1弹性波谐振器(3A)以及第2弹性波谐振器(3B)各自中，在将弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。根据波长、IDT电极的厚度、IDT电极的比重、电极指的宽度除以电极指周期的二分之一的值而得到的值即占空比、压电体层的厚度、低声速膜的厚度，以θB(°)为基准，第1弹性波谐振器(3A)的压电体层的切割角在θB±4°的范围内。与第1弹性波谐振器(3A)的压电体层的切割角相比，作为第1弹性波谐振器(3A)以外的至少一个弹性波谐振器的第2弹性波谐振器(3B)的压电体层的切割角与θB(°)的差异大。

公开(公告)号：CN111434037A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201880077856.5

申请日：2018-11-14

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 永友翔 ,  岩本英树

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制杂散模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，由硅构成；压电体层(5)，直接地或间接地设置在支承基板(2)上；以及IDT电极(6)，设置在压电体层(5)上。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，压电体层(5)的厚度为1λ以下。在压电体层(5)传播的体波的纵波分量的声速即VL相对于下述的式(1)的声速VSi-1满足下述的式(2)的关系。VSi-1＝(V2)1/2(m/秒)...式(1)；VSi-1≤VL...式(2)；式(1)中的V2是下述的式(3)的解。Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(3)。

公开(公告)号：CN110431743A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201880016602.2

申请日：2018-03-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小柳卓哉 ,  岩本英树

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

Abstract: 提供一种能够抑制在压电体传播的第一高次模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、压电体(4)及IDT电极(5)。当将由IDT电极(5)的电极指间距决定的波长设为λ时，支承基板(2)的厚度为3λ以上。在压电体(4)传播的第一高次模式的声速与由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在支承基板内传播的体波的声速VSi＝(V1)1/2相同、或者与Vsi相比为高速。Ax3+Bx2+Cx+D＝0…式(2)。

公开(公告)号：CN110383683A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880016604.1

申请日：2018-03-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中川亮 ,  岩本英树 ,  高井努

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72 ,  H04B1/52

Abstract: 提供一种不易产生其他带通型滤波器中的由高阶模式引起的纹波的多工器。具备一端被公共连接的通带不同的N个(其中，N为2以上的整数)弹性波滤波器。至少一个弹性波滤波器(3)具有由欧拉角(的范围内，θLT，ψLT＝0°±15°的范围内)的钽酸锂构成的压电体(14)、支承基板(12)、和IDT电极(15)。在多个弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器中，第一高阶模式的频率fh1_t(n)，在通带比至少一个弹性波滤波器(n)高的所有的弹性波滤波器(m)(n＜m≤N)中，满足下述的式(3)以及下述的式(4)。fh1_t(n)＞fu(m)式(3)fh1_t(n)＜fl(m)式(4)。

公开(公告)号：CN110166016A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201811608066.3

申请日：2018-12-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 高井努 ,  山本浩司 ,  岩本英树

IPC: H03H9/02

Abstract: 本发明提供一种弹性波装置，该弹性波装置作为高声速膜而具有氮化硅层，其中，不易产生IMD特性的劣化，且不易产生氮化硅层的自毁。一种弹性波装置，在由半导体构成的支承基板(2)上直接或间接地层叠有SiNx层(3)，在SiNx层(3)上直接或间接地层叠有压电膜(5)，弹性波装置具备直接或间接地层叠在压电膜(5)的至少一个主面上的IDT电极(6)，在SiNx层(3)中，x处于1.34以上且1.66以下的范围。

公开(公告)号：CN106209007B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610512603.9

申请日：2011-12-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 木户俊介 ,  岩本英树 ,  神藤始 ,  渡边宗久

IPC: H03H3/10 ,  H03H9/02

Abstract: 提供能对应高频且能提高Q值的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)中，在支撑基板(2)上层叠有进行传播的体波声速比在压电膜(5)传播的弹性波声速高的高声速膜(3)，在高声速膜(3)上，层叠有进行传播的体波声速比在压电膜(5)传播的体波声速低的低声速膜(4)，在低声速膜(4)上层叠有上述压电膜(5)，且在压电膜(5)的一面层叠有IDT电极(6)。