叠层体及半导体装置
    101.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111819670B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201980017323.2

    申请日:2019-02-26

    Abstract: 提供一种电特性及可靠性良好的叠层体。本发明的一个方式是一种叠层体,包括:绝缘体;导电体;以及绝缘体与导电体之间的第一氧化物,其中,第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域,并且,第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直。本发明的一个方式是一种叠层体,包括:绝缘体;导电体;绝缘体与导电体之间的第一氧化物;以及隔着绝缘体与第一氧化物对置的第二氧化物,其中,第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域,第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直,第二氧化物包括c轴取向的第二结晶区域,并且,第二结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第二氧化物的面大致垂直。

    正极活性物质及其制造方法以及锂离子二次电池

    公开(公告)号:CN116799197A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310815723.6

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明提供一种正极活性物质及其制造方法以及锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域,其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物,而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的,由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外,因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物,所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。

    制造半导体装置的方法
    103.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109390215B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN201811108754.3

    申请日:2010-12-07

    Abstract: 可以使用更大的衬底,并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层,可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管,由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层,以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层;然后,通过在500℃以上1000℃以下,优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长,使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层;以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。

    锂离子二次电池
    104.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116565296A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310769198.9

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明提供一种锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域,其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物,而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的,由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外,因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物,所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。

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