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公开(公告)号:CN106442434B
公开(公告)日:2019-03-12
申请号:CN201610872362.9
申请日:2016-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 基于镨掺杂铌酸钾钠发光特性的氧气传感测量方法,本发明涉及光学气敏传感技术领域,它为了解决现有基于氧化物发光特性的氧气传感方法响应度较低的问题。测量方法:一、将摩尔掺杂浓度为0.1%~1%的镨掺杂铌酸钾钠在氩气中退火处理;二、采用波长为280~380nm激发光测试退火后的镨掺杂铌酸钾钠在不同氧气浓度气氛下的光致发光谱;三、依据镨离子的3P0‑3H4发光峰的强度依赖于气氛中氧气浓度的关系,建立标准曲线,从而通过标准曲线测定待测气氛中的氧气浓度。本发明中依据退火处理后镨掺杂铌酸钾钠发光特性对氧气浓度的传感特性,实现了100%氧气浓度条件下响应度达到了300%。
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公开(公告)号:CN109400147A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201811421334.0
申请日:2018-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B41/88 , H02N2/18
Abstract: 一种应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用,本发明涉及一种无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用。本发明要解决现有无铅压电陶瓷能量密度低,基于传统固溶体或者随机掺杂的理念使得材料的能量收集性能提升幅度非常有限的问题。应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料的化学通式为(1-x)(Ba1-yCay)(Ti1-zMz)O3/xBaTiO3。方法:一、制备细晶壳基体粉体;二、制备流延浆料;三、制备陶瓷素坯;四、制备织构复合陶瓷;五、制备高度致密的织构复合陶瓷;六、制备高性能织构复合陶瓷。应用:用作环保型高功率密度微型化能量收集器。
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公开(公告)号:CN108987120A
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201810813795.6
申请日:2018-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法,本发明涉及超级电容器电极材料技术领域。本发明要解决现有过渡金属硒化物纳米片电极材料结构不合理,若为超薄的纳米片结构,则无法具备多孔性,影响离子迁移率和可接触活性位点;若为多孔结构的纳米片,则受限于厚度太厚,接触活性位点少、储能低,导致电容性能偏低。方法:一、制备反应液;二、制备锰参杂的氢氧化镍纳米片阵列;三、硒化处理;四、酸刻蚀处理,即完成一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。本发明用于一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。
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公开(公告)号:CN105388138B
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201510981044.1
申请日:2015-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的光学测量方法,它涉及一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的测量方法。本发明是要解决现有基于氧化钨的电学式乙醇气敏传感测量方法存在工作温度高,器件加工复杂,且容易受到外界电磁场干扰的技术问题。本发明:一、水热法制备氧化钨纳米棒;二、制备氧化钨气敏传感元件;三、标准荧光强度值地确定;四、检测未知浓度的乙醇气体。本发明的有益效果:本发明方法不需要电学式设备加工中的电极加工过程,不需要氧化钨内部的导通性,简化工艺过程,可在常温下工作,不需要电学式器件加工中的加热部件测温部件的加工过程,降低了加工成本,不受电磁干扰,可实现远程遥控操作。本发明应用于测量乙醇气体的浓度。
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公开(公告)号:CN104987072B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201510423779.2
申请日:2015-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/499 , C04B35/64
Abstract: 高电学性能的铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅弛豫铁电织构陶瓷及应用,本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有PIN-PMN-PT单晶组分分凝、可用尺寸受限、力学性能差、PIN-PMN-PT陶瓷电学性能低的问题。化学通式为xPb(In1/2Nb1/2)O3-(1-x-y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3-avol.%BaTiO3;方法:二步合成法制备PIN-PMN-PT细晶基体粉体,局部化学微晶取代法制备BaTiO3片状微晶模板,采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]高度取向的PIN-PMN-PT基三元系弛豫铁电织构陶瓷。应用于超声换能器、压电驱动器及压电传感器领域。
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公开(公告)号:CN104593733B
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201510079267.9
申请日:2015-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铜掺杂氧化锌纳米棒的脉冲激光沉积制备方法,它涉及一种气敏纳米材料的沉积方法。本发明是要解决现有制备铜掺杂氧化锌纳米棒的方法存在化学原料种类多、反应过程复杂,容易引入杂质的问题。本方法如下:一、制备掺铜氧化锌陶瓷靶材;二、利用脉冲激光对靶材进行烧蚀,获得籽晶层;三、激光烧蚀靶材20-120min,得掺铜氧化锌纳米结构。本发明采用脉冲激光沉积法制备掺铜氧化锌纳米棒,使用原料简单,只需两种原料,并且在真空腔中进行生产,样品结晶质量高,避免引入杂质,且掺杂组分可控性好。本发明属于铜掺杂氧化锌纳米棒的制备领域。
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公开(公告)号:CN105388138A
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201510981044.1
申请日:2015-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01N21/643 , C01G41/02 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/64
Abstract: 一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的光学测量方法,它涉及一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的测量方法。本发明是要解决现有基于氧化钨的电学式乙醇气敏传感测量方法存在工作温度高,器件加工复杂,且容易受到外界电磁场干扰的技术问题。本发明:一、水热法制备氧化钨纳米棒;二、制备氧化钨气敏传感元件;三、标准荧光强度值地确定;四、检测未知浓度的乙醇气体。本发明的有益效果:本发明方法不需要电学式设备加工中的电极加工过程,不需要氧化钨内部的导通性,简化工艺过程,可在常温下工作,不需要电学式器件加工中的加热部件测温部件的加工过程,降低了加工成本,不受电磁干扰,可实现远程遥控操作。本发明应用于测量乙醇气体的浓度。
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公开(公告)号:CN103193812B
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201310108136.X
申请日:2013-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料及其制备方法,它涉及一种绿色荧光材料及其制备方法。本发明是要解决现有的有机绿色发光材料稳定性差和现有方法制备的有机绿色发光材料产率低的问题。本发明一种含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料的分子式为C9H12NO9Tb。制备方法:一、搅拌混合;二、加热;三、洗涤及干燥;即得到含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料。本发明的优点:一、本发明制备的含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料颜色艳丽且稳定性好;二、本发明方法简单易操作且产率达到84~87%,与现有技术产率为60%~70%相比,提高了14%以上。本发明可用于制备含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料。
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公开(公告)号:CN104535222A
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201510032957.9
申请日:2015-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种基于三价镨离子发光特性的高灵敏度温度测量方法,本发明涉及温度传感技术领域,它为了解决现有基于镨离子热耦合能级的温度传感材料的灵敏度较低的问题。温度测量方法:一、将Pr3+掺杂到无机氧化物或氟化物中,制备得到Pr3+摩尔掺杂浓度为1%~10%的荧光温度传感材料;二、在不同温度下测试荧光温度传感材料的光致发光谱,建立荧光峰强度比依赖于环境温度的标准曲线;三、将荧光温度传感材料置于待测温度的环境中,计算对应的荧光峰荧光强度比,代入步骤二的标准曲线中,得到待测环境的温度测量值。本发明通过对氧化物或氟化物的高浓度Pr3+离子掺杂,提高了荧光温度传感材料的灵敏度。
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公开(公告)号:CN103091318B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201310049642.6
申请日:2013-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/78
Abstract: 石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法,它涉及一种复合薄膜的制备方法。石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法:一、制备石墨烯薄膜;二、10,12-二十五二炔酸的氯仿溶液;三、将石墨烯薄膜浸泡在10,12-二十五二炔酸的氯仿溶液中,然后在避光的条件下反应,再用紫外灯照射,即得。本发明制备的石墨烯层数为2~5层,且透过率在蓝光区达到82%,在红光区达到76.9%。如此高的透过率,使传感器与有毒挥发性气体反应后,有利于传感器呈现颜色信号,且通过这种方法制备的石墨烯分散性很好,并且灵敏度高,为制备石墨烯/PDA薄膜传感器提供高质量的基底材料。
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