公开(公告)号：CN108987120B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201810813795.6

申请日：2018-07-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙晔 ,  于登峰 ,  于淼 ,  赵公元 ,  孙菲菲 ,  李继伟 ,  张弘 ,  杜宝盛 ,  姜波 ,  李卓 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法，本发明涉及超级电容器电极材料技术领域。本发明要解决现有过渡金属硒化物纳米片电极材料结构不合理，若为超薄的纳米片结构，则无法具备多孔性，影响离子迁移率和可接触活性位点；若为多孔结构的纳米片，则受限于厚度太厚，接触活性位点少、储能低，导致电容性能偏低。方法：一、制备反应液；二、制备锰参杂的氢氧化镍纳米片阵列；三、硒化处理；四、酸刻蚀处理，即完成一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。本发明用于一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。

公开(公告)号：CN108987120A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810813795.6

申请日：2018-07-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙晔 ,  于登峰 ,  于淼 ,  赵公元 ,  孙菲菲 ,  李继伟 ,  张弘 ,  杜宝盛 ,  姜波 ,  李卓 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法，本发明涉及超级电容器电极材料技术领域。本发明要解决现有过渡金属硒化物纳米片电极材料结构不合理，若为超薄的纳米片结构，则无法具备多孔性，影响离子迁移率和可接触活性位点；若为多孔结构的纳米片，则受限于厚度太厚，接触活性位点少、储能低，导致电容性能偏低。方法：一、制备反应液；二、制备锰参杂的氢氧化镍纳米片阵列；三、硒化处理；四、酸刻蚀处理，即完成一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。本发明用于一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。