公开(公告)号：CN105417530A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510945417.X

申请日：2015-12-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 于淼 ,  陈崇 ,  孙晔 ,  赵公元

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01B2204/32 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04

Abstract: 一种规模化制备氮掺杂石墨烯的方法，本发明属于氮掺杂石墨烯制备技术领域，它为了解决现有制备氮掺杂石墨烯的方法无法大规模生产、成本高、制备条件苛刻、合成工艺复杂的问题。氮掺杂石墨烯的制备方法：一、将镁粉和碳氮源混合，得到前驱体；二、将前驱体置于惰性气体中，然后以2～50℃/min的升温速率升温至700℃～1400℃，再经过酸洗、超声、抽滤、烘干得到氮掺杂石墨烯。本发明以镁作为强还原剂，三聚氰胺等作为碳氮源，所用原料成本低廉，且后处理时仅用稀酸，工艺简单、操作方便，此外本方法生产周期短、可原位掺杂氮、易于规模化生产，制备得到的氮掺杂石墨烯层数少。

公开(公告)号：CN108987120B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201810813795.6

申请日：2018-07-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙晔 ,  于登峰 ,  于淼 ,  赵公元 ,  孙菲菲 ,  李继伟 ,  张弘 ,  杜宝盛 ,  姜波 ,  李卓 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法，本发明涉及超级电容器电极材料技术领域。本发明要解决现有过渡金属硒化物纳米片电极材料结构不合理，若为超薄的纳米片结构，则无法具备多孔性，影响离子迁移率和可接触活性位点；若为多孔结构的纳米片，则受限于厚度太厚，接触活性位点少、储能低，导致电容性能偏低。方法：一、制备反应液；二、制备锰参杂的氢氧化镍纳米片阵列；三、硒化处理；四、酸刻蚀处理，即完成一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。本发明用于一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。

公开(公告)号：CN108987120A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810813795.6

申请日：2018-07-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙晔 ,  于登峰 ,  于淼 ,  赵公元 ,  孙菲菲 ,  李继伟 ,  张弘 ,  杜宝盛 ,  姜波 ,  李卓 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法，本发明涉及超级电容器电极材料技术领域。本发明要解决现有过渡金属硒化物纳米片电极材料结构不合理，若为超薄的纳米片结构，则无法具备多孔性，影响离子迁移率和可接触活性位点；若为多孔结构的纳米片，则受限于厚度太厚，接触活性位点少、储能低，导致电容性能偏低。方法：一、制备反应液；二、制备锰参杂的氢氧化镍纳米片阵列；三、硒化处理；四、酸刻蚀处理，即完成一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。本发明用于一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。