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公开(公告)号：CN116102352A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310054306.4
申请日：2023-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于储能材料制备领域。本发明的目的是为了解决现有储能陶瓷材料无法兼顾优异的温度稳定性、抗疲劳性和低电场高储能密度的储能特性的技术问题。本发明的储能陶瓷的化学通式为xNaNbO3‑(1‑x)(Bi0.5‑yRyNa0.5)TiO3‑zMe，其中0.1≤x≤1，0.05≤y≤0.25，0≤z≤0.1，R是稀土离子，Me是生长助剂。方法：以NN‑BRNT细晶为基体，以径向比>5的NN片状微晶为模板，采用模板晶粒定向生长技术，在生长助剂的作用下，制备沿[001]择优取向的高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷。
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公开(公告)号：CN113394334B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110583370.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/257 , H01L41/277 , H01L41/297 , H01L41/43
Abstract: 本发明公开了一种基于正交极化与周期结构设计的压电叠堆致动器及其制备方法，属于集成电路装备制造领域。本发明解决了现有压电叠堆致动器极化方向与电场方向不能正交相容的问题。本发明通过设计图案电极及压电单元层的排列，构建正交极化与周期结构设计的压电叠堆致动器，该压电叠堆致动器因非180°电畴翻转产生的应变，是线性压电效应的～5倍，在20kV/cm驱动电场下，输出应变高于0.6％，远优于现有压电叠堆致动器。
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公开(公告)号：CN110668493B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201911144123.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 一种纳微米级钛酸铋钠基低维晶体，本发明涉及低维晶体及其制备方法。本发明解决现有技术所制备的Na0.5Bi0.5TiO3基片状晶体多为纯Na0.5Bi0.5TiO3一元体系，且由于形貌调控难导致粒径尺寸大、粒径尺寸分布宽和分散性差的问题。纳微米级钛酸铋钠基低维晶体的化学通式为(1‑x‑y)Na0.5Bi0.5TiO3‑xK0.5Bi0.5TiO3‑yAETiO3；方法：一、熔盐法制备粒径均一的片状Na0.5Bi4.5Ti4O15前驱体晶体；二、局部化学微晶转化法制备钙钛矿结构目标产物。
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公开(公告)号：CN110668493A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911144123.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 一种纳微米级钛酸铋钠基低维晶体及其制备方法，本发明涉及低维晶体及其制备方法。本发明解决现有技术所制备的Na0.5Bi0.5TiO3基片状晶体多为纯Na0.5Bi0.5TiO3一元体系，且由于形貌调控难导致粒径尺寸大、粒径尺寸分布宽和分散性差的问题。纳微米级钛酸铋钠基低维晶体的化学通式为(1-x-y)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3-yAETiO3；方法：一、熔盐法制备粒径均一的片状Na0.5Bi4.5Ti4O15前驱体晶体；二、局部化学微晶转化法制备钙钛矿结构目标产物。
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公开(公告)号：CN109534792A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811593387.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10
Abstract: 一种基于纳米织构增韧的仿生层状氧化铝形貌复合陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及一种结构陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有结构陶瓷韧性低、基于纯强-弱夹层和纯强-强夹层结构使陶瓷强度降低或增韧效果提升幅度非常有限的问题。陶瓷材料为等轴状晶粒的基体Al2O3增强层和片状晶粒的纳米织构Al2O3增韧层交替排列成对称结构。方法：一、采用流延工艺制备等轴状晶粒的基体Al2O3增强层素体膜片；二、采用流延工艺制备片状晶粒的纳米织构Al2O3增韧层素体膜片；三、将两种膜片叠压、热水匀压、排胶和冷等静压；四、结合气氛烧结和热等静压烧结制备仿生层状Al2O3复合陶瓷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107459346A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710686831.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , B28B1/29 , B28B1/00 , B28B11/24 , B28B11/00
CPC classification number: C04B35/4682 , B28B1/002 , B28B1/29 , B28B11/00 , B28B11/243 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B2235/3208 , C04B2235/3248 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/96
Abstract: 高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷及其制备方法和应用，本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有钛酸钡基陶瓷的改进使得该体系陶瓷的应变迟滞Hs变大，虽然钛酸钡基陶瓷的部分电学性能参数有一定的提高，但其另一部分性能参数，如居里温度Tc却被恶化的问题。化学通式为(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3，0.01≤x≤0.12，0.02≤y≤0.08；方法：一、采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]c高度取向的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷；二、采用工程畴技术制备高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷。应用于高灵敏度、高精确度的压电驱动器、压电传感器及超声换能器领域。
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公开(公告)号：CN116102352B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310054306.4
申请日：2023-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于储能材料制备领域。本发明的目的是为了解决现有储能陶瓷材料无法兼顾优异的温度稳定性、抗疲劳性和低电场高储能密度的储能特性的技术问题。本发明的储能陶瓷的化学通式为xNaNbO3‑(1‑x)(Bi0.5‑yRyNa0.5)TiO3‑zMe，其中0.1≤x≤1，0.05≤y≤0.25，0≤z≤0.1，R是稀土离子，Me是生长助剂。方法：以NN‑BRNT细晶为基体，以径向比>5的NN片状微晶为模板，采用模板晶粒定向生长技术，在生长助剂的作用下，制备沿[001]择优取向的高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷。
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公开(公告)号：CN109534792B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201811593387.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10
Abstract: 一种基于纳米织构增韧的仿生层状氧化铝形貌复合陶瓷材料，本发明涉及一种结构陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有结构陶瓷韧性低、基于纯强‑弱夹层和纯强‑强夹层结构使陶瓷强度降低或增韧效果提升幅度非常有限的问题。陶瓷材料为等轴状晶粒的基体Al2O3增强层和片状晶粒的纳米织构Al2O3增韧层交替排列成对称结构。方法：一、采用流延工艺制备等轴状晶粒的基体Al2O3增强层素体膜片；二、采用流延工艺制备片状晶粒的纳米织构Al2O3增韧层素体膜片；三、将两种膜片叠压、热水匀压、排胶和冷等静压；四、结合气氛烧结和热等静压烧结制备仿生层状Al2O3复合陶瓷。
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公开(公告)号：CN109400147A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811421334.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B41/88 , H02N2/18
Abstract: 一种应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用，本发明涉及一种无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用。本发明要解决现有无铅压电陶瓷能量密度低，基于传统固溶体或者随机掺杂的理念使得材料的能量收集性能提升幅度非常有限的问题。应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料的化学通式为(1-x)(Ba1-yCay)(Ti1-zMz)O3/xBaTiO3。方法：一、制备细晶壳基体粉体；二、制备流延浆料；三、制备陶瓷素坯；四、制备织构复合陶瓷；五、制备高度致密的织构复合陶瓷；六、制备高性能织构复合陶瓷。应用：用作环保型高功率密度微型化能量收集器。
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公开(公告)号：CN108147452B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810143645.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体的合成方法及应用，它涉及一种钛酸锶晶体的合成方法及应用。本发明的目的是要解决采用现有制备工艺制备的片状SrTiO3晶体中存在粒径尺寸过大且可调控范围相对较窄、晶体为多晶聚集体，晶体中杂质原子含量高、造成其应用中存在范围窄、稳定性差、取向度低、性能恶化的问题。方法：一、制备前驱体混合原料；二、煅烧制备前驱体；三、清洗、分散得到粒径均一且尺寸可调控的片状Bi4Ti3O12前驱体；四、制备产物混合原料；五、煅烧制备产物；六、清洗。应用：用于光催化、纳米器件、有机填充料及能量存储、高性能多功能电子织构陶瓷、薄膜、单晶的制备领域。本发明可获得一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体。
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