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公开(公告)号：CN110668493B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201911144123.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 一种纳微米级钛酸铋钠基低维晶体，本发明涉及低维晶体及其制备方法。本发明解决现有技术所制备的Na0.5Bi0.5TiO3基片状晶体多为纯Na0.5Bi0.5TiO3一元体系，且由于形貌调控难导致粒径尺寸大、粒径尺寸分布宽和分散性差的问题。纳微米级钛酸铋钠基低维晶体的化学通式为(1‑x‑y)Na0.5Bi0.5TiO3‑xK0.5Bi0.5TiO3‑yAETiO3；方法：一、熔盐法制备粒径均一的片状Na0.5Bi4.5Ti4O15前驱体晶体；二、局部化学微晶转化法制备钙钛矿结构目标产物。
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公开(公告)号：CN110615467B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201911077567.8
申请日：2019-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 一种沿 择优取向且A位复合的钛酸钡基片状模板籽晶，本发明涉及片状模板籽晶及其制备方法。本发明解决现有沿 取向的模板多为纯BaTiO3组分、粒径尺寸可调控范围窄、粒径尺寸不均一且分散性差造成模板难以在母体中高度定向、扮演“缺陷”角色的问题。这些导致了陶瓷沿 织构质量偏低、无法最大化利用T相多畴构型有效地提高该方向的电学性能，尤其是无法受益于剪切性能等限制的问题。片状模板籽晶的化学通式为(Ba1‑xAEx)TiO3；方法：一、固相法制备前驱体用原料BaTiO3粉体；二、熔盐法制备粒径均一的片状Ba6Ti17O40前驱体；三、局部化学微晶反应法制备目标产物。
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公开(公告)号：CN108987120B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201810813795.6
申请日：2018-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法，本发明涉及超级电容器电极材料技术领域。本发明要解决现有过渡金属硒化物纳米片电极材料结构不合理，若为超薄的纳米片结构，则无法具备多孔性，影响离子迁移率和可接触活性位点；若为多孔结构的纳米片，则受限于厚度太厚，接触活性位点少、储能低，导致电容性能偏低。方法：一、制备反应液；二、制备锰参杂的氢氧化镍纳米片阵列；三、硒化处理；四、酸刻蚀处理，即完成一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。本发明用于一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法。
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公开(公告)号：CN110668493A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911144123.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 一种纳微米级钛酸铋钠基低维晶体及其制备方法，本发明涉及低维晶体及其制备方法。本发明解决现有技术所制备的Na0.5Bi0.5TiO3基片状晶体多为纯Na0.5Bi0.5TiO3一元体系，且由于形貌调控难导致粒径尺寸大、粒径尺寸分布宽和分散性差的问题。纳微米级钛酸铋钠基低维晶体的化学通式为(1-x-y)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3-yAETiO3；方法：一、熔盐法制备粒径均一的片状Na0.5Bi4.5Ti4O15前驱体晶体；二、局部化学微晶转化法制备钙钛矿结构目标产物。
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公开(公告)号：CN110615467A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201911077567.8
申请日：2019-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 一种沿 择优取向且A位复合的钛酸钡基片状模板籽晶及其制备方法，本发明涉及片状模板籽晶及其制备方法。本发明解决现有沿 取向的模板多为纯BaTiO3组分、粒径尺寸可调控范围窄、粒径尺寸不均一且分散性差造成模板难以在母体中高度定向、扮演“缺陷”角色的问题。这些导致了陶瓷沿 织构质量偏低、无法最大化利用T相多畴构型有效地提高该方向的电学性能，尤其是无法受益于剪切性能等限制的问题。片状模板籽晶的化学通式为(Ba1-xAEx)TiO3；方法：一、固相法制备前驱体用原料BaTiO3粉体；二、熔盐法制备粒径均一的片状Ba6Ti17O40前驱体；三、局部化学微晶反应法制备目标产物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109650888A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811619612.3
申请日：2018-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L41/187
Abstract: 一种低温织构高电学性能三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷及其制备方法和应用，涉及一种三元系钛酸铅基弛豫铁电织构材料及其制备方法和应用。解决三元系钛酸铅基弛豫铁电普通陶瓷电学性能低，而高质量铅基织构陶瓷难以制备且烧结温度高的问题。三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷的化学通式为xPb(A,Nb)O3-(1-x-y-z)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbZrO3-zPbTiO3-avol.％MTiO3。方法：制备细晶基体粉体；制备同时含生长助剂和沿[001]c定向的MTiO3片状微晶的膜片；制备陶瓷素坯；制备三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷。应用：用于制备大功率、宽温区和高电场区的多层压电器件。
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公开(公告)号：CN109534792A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811593387.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10
Abstract: 一种基于纳米织构增韧的仿生层状氧化铝形貌复合陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及一种结构陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有结构陶瓷韧性低、基于纯强-弱夹层和纯强-强夹层结构使陶瓷强度降低或增韧效果提升幅度非常有限的问题。陶瓷材料为等轴状晶粒的基体Al2O3增强层和片状晶粒的纳米织构Al2O3增韧层交替排列成对称结构。方法：一、采用流延工艺制备等轴状晶粒的基体Al2O3增强层素体膜片；二、采用流延工艺制备片状晶粒的纳米织构Al2O3增韧层素体膜片；三、将两种膜片叠压、热水匀压、排胶和冷等静压；四、结合气氛烧结和热等静压烧结制备仿生层状Al2O3复合陶瓷。
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公开(公告)号：CN107459346A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710686831.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , B28B1/29 , B28B1/00 , B28B11/24 , B28B11/00
CPC classification number: C04B35/4682 , B28B1/002 , B28B1/29 , B28B11/00 , B28B11/243 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B2235/3208 , C04B2235/3248 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/96
Abstract: 高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷及其制备方法和应用，本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有钛酸钡基陶瓷的改进使得该体系陶瓷的应变迟滞Hs变大，虽然钛酸钡基陶瓷的部分电学性能参数有一定的提高，但其另一部分性能参数，如居里温度Tc却被恶化的问题。化学通式为(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3，0.01≤x≤0.12，0.02≤y≤0.08；方法：一、采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]c高度取向的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷；二、采用工程畴技术制备高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷。应用于高灵敏度、高精确度的压电驱动器、压电传感器及超声换能器领域。
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公开(公告)号：CN106350869A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610835377.8
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法，它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域，具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是针对目前组分复杂的单晶生长困难，质量不高，压电性能不够高的问题。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTazSbt)O3:Mn。方法：一、准备原料；二、混合原料；三、预烧；四、第二次预烧；五、反复熔化预烧钙钛矿结构的多晶材料；六、晶体生长。本发明可获得一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。
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公开(公告)号：CN104045979B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410304515.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于氧化石墨烯改进背衬材料吸声性能的方法，属于材料技术领域。为了解决W粉和Epoxy之间高的界面能问题，使得W粉和Epoxy得到很好的兼容效果，所述方法一为：一、制备W/Epoxy的复合物粉体；二、制备W/Epoxy/GO复合物粉体；三、制备W/Epoxy/GO/Epoxy复合物粉体；四、制备W/Epoxy/GO/Epoxy复合物薄膜。所述方法二为：一、制备W/GO复合物粉体；二、制备W/GO/Epoxy复合物粉体；三、制备W/GO/Epoxy复合物薄膜。本发明通过W、Epoxy和GO的层层组装，形成W/Epoxy/GO/Epoxy复合物薄膜或W/GO/Epoxy复合物薄膜，并改进传统背衬材料基体W和Epoxy的制备工艺，制备出中阻抗、高衰减的复合物薄膜背衬材料。
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