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公开(公告)号：CN111540759A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010384878.5
申请日：2020-05-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H01L29/423 , H03K3/011
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅光敏探测器的积分泄放电路。其中，复合介质栅光敏探测器包括MOS-C部分和MOSFET部分，积分泄放电路包括依次相连的积分电路、脉冲产生电路和泄放电路，积分电路的输入端连接MOSFET部分的N型源极区；积分电路对输入信号电荷做线性或非线性积分，当积分电路中存储的电荷超过某固定阈值后，通过脉冲产生电路生成同步或异步的脉冲信号，并利用泄放电路将所述积分电路中的电荷泄放至某固定值。本发明仅利用一个比较器和若干CMOS器件就实现了积分泄放的功能，相较于传统的利用多个运算放大器实现的大面积、高功耗的积分泄放电路，其能效更高，更利于小型化系统的使用。
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公开(公告)号：CN110274889A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810213972.7
申请日：2018-03-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体共振天线的多通道太赫兹光谱探测单元。该探测单元包括表面等离子体共振天线和晶体管；表面等离子体共振天线由两个对称设置的天线单元构成，天线单元包括半圆形的头部和矩形的杆部，杆部与头部在半圆形的圆心处垂直连接；晶体管设置在两个天线单元的杆部之间且垂直于天线单元所在的平面；晶体管的栅极与共振天线位于同一金属层。由上述探测单元构成的多通道太赫兹光谱探测芯片，不仅能实现对多波长太赫兹信号进行探测，同时实现了太赫兹波段的单频分光，能大幅度提高光谱探测效率，具有体积小、重量轻、高精度、高频响，高可靠、长寿命、低功耗、低成本等突出优势，有利于实现光谱探测系统的微型化与小型化。
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公开(公告)号：CN109788595A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201711103499.9
申请日：2017-11-10
Applicant: 南京大学
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提出了一种智能灯控制系统，包括依次连接的电荷探测器、峰值检测电路、单片机控制模块、电源模块以及灯。其中，电荷探测器对运动目标产生的电场信号进行探测及滤波放大处理；峰值检测电路对电荷探测器的输出信号进行峰值检测处理；单片机控制模块对峰值检测电路的输出信号进行处理，控制电源模块的输入信号大小，从而控制灯的亮度。本发明基于百电子量级高灵敏度极低频电荷探测器，可以感应车辆与行人运动引起的电场信号，进行灯智能亮度调节，具有灵敏度高、受环境干扰小、设备简单、节能环保且具有低成本等显著优势，可广泛用于城市路灯、走道照明、走廊照明的智能化控制。
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公开(公告)号：CN109119507A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811029758.2
申请日：2018-09-05
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法。该方法包括如下步骤：1)利用集成电路工艺形成SiO2/Si衬底；2)通过后CMOS工艺形成石墨烯单元像素衬底；3)将步骤2)的石墨烯单元像素衬底转移到步骤1)的SiO2/Si衬底上。本发明利用集成电路工艺生长的SiO2和Si材料具有极高的材料质量和极少的SiO2/Si界面缺陷，该制备工艺与标准集成电路工艺兼容，降低了探测器的制造成本，提升了探测器的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN108008402A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711236516.6
申请日：2017-11-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于激光测距的单光子雪崩二极管探测器阵列，包括单点探测面、整形电路、“与”处理电路和“或”处理电路。其中，单点探测面由多个探测单管以n×n(n≥2)的形式排布集成，探测单管包括单光子雪崩二极管和淬灭电路；每个探测单管的输出信号分别由各自的整形电路整形成脉冲方波信号，每两路脉冲方波信号为一组输入“与”处理电路，经过“与”处理电路处理过的所有信号再经过“或”处理电路处理，产生最终的输出信号。本发明的探测器阵列可有效降低由暗计数和杂散光噪声带来的误触发，能在保证探测效率的同时，保证测距准确度，可实现更高灵敏度的激光测距。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107764874A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610669750.7
申请日：2016-08-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/60 , H01L29/788 , H03M1/08
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4148 , G01N33/50 , G10K11/175 , G01N27/26 , G01N27/60 , H01L29/788 , H03M1/08
Abstract: 本发明提供了一种新型主动噪声控制生物传感器，包括探测极板、信号检测模块和控制模块。信号检测模块包括信号可叠加型晶体管以及读取电路，信号可叠加型晶体管具有次级输入端和初级输入端；探测极板将探测的初级信号输入到初级输入端，控制模块通过信号处理系统处理信号检测模块的输出信号，并产生次级信号输入到次级输入端；信号可叠加型晶体管接收到的初级信号与次级信号产生叠加作用实现主动噪声控制，叠加后的信号由读取电路读取并输出，作为控制模块的输入信号。该传感器可以实现电位或电荷检测，具有主动噪声控制特性，不仅可以实现无参考电极检测，还可以有效抑制检测中的直流漂移，谐波噪声和宽带噪声，具有高信噪比检测的优点。
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公开(公告)号：CN107658321A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201610592997.3
申请日：2016-07-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅的双器件光敏探测单元、探测器及其方法。其中，光敏探测单元包括复合介质栅MOS-C部分和复合介质栅MOSFET部分，这两部分形成在同一P型半导体衬底的上方，并共用电荷耦合层。多个上述光敏探测单元在同一P型半导体衬底上排成阵列形成探测器，探测器中相邻单元像素之间通过深槽隔离区以及隔离区下方的P+型注入区来实现隔离。探测时，复合介质栅MOS-C部分的P型半导体衬底感光，然后将光电子耦合到电荷耦合层，光电子信号通过复合介质栅MOSFET部分进行读取。本发明可以很好地实现光信号的探测，具有较好的弱光响应和线性度，同时没有明显的饱和现象，有比较大的动态范围和比较高的量子效率。
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公开(公告)号：CN107230271A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710494483.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 南京大学
CPC classification number: G07C9/00563 , G06K9/00885 , G06K2009/00939 , G07C9/00174
Abstract: 本发明提出了一种基于心电信号的组合解锁系统及其方法。解锁系统包括安全级别自定义模块、心电信号采集处理模块和安全校验模块。解锁方法包括以下步骤：用户首先对系统的安全级别做出选择，在安全级别自定义模块中存储解锁模板，并设置一组数字密码作为特殊情况下的备用开锁方法；系统响应来自人体肢干两端的心电信号触发进入解锁界面，并对采集到的心电信号进行处理；根据用户设置的安全级别以及存储的解锁模板进行匹配解锁，当输入的心电信号与验证解锁的规则不匹配，即解锁不成功时，用户可通过输入数字密码的方式解锁，密码为用户预先设定的数字密码。本发明具有方式灵活、准确率高、安全可靠、设备成本低、覆盖面广的优点。
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公开(公告)号：CN105675122A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610049457.0
申请日：2016-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种噪声源位置快速识别方法，包括单个传感器、信号调理器、带声卡的计算机、带通滤波器和幅度判定模块。其具体步骤为：获取噪声源的频谱信息，确定需要检测的噪声源频率和相对应的带宽；根据需要检测的频率和带宽，在计算机上设定带通滤波器的中心频率和带宽；将单个传感器紧贴噪声源表面扫描，扫描的信号经信号调理器调理放大后通过声卡的麦克风端口进入计算机，然后由带通滤波器进行滤波处理后输出信号，通过判断信号幅值的大小，从而快速识别出噪声源的位置。本发明基于单个传感器检测噪声，可以尽量靠近噪声源机体表面，克服了低频噪声的相干性和复杂声场环境的约束，保证了源识别的准确性，并具有实施简单，快速识别的优点。
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公开(公告)号：CN103761989B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410003915.8
申请日：2014-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: G11C16/06
Abstract: 利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法，选取未注入过电荷的SONOS存储器，改变源漏电压VDS的大小，测量不同VDS下的阈值电压VTH，得到VTH随VDS变化的分布；通过低压电荷注入过程将单电荷注入到SONOS存储器的氮化物存储层中；注入单电荷的SONOS存储器，得到VTH在VDS＞0时随VDS的分布；利用DIBL效应得到由于单电荷注入导致的阈值电压变化ΔVTH与沟道位置X的高斯分布函数；统计出不同沟道位置X处高斯分布的强度A和半峰宽W；测量待测SONOS存储器由于存储电荷引起的阈值电压变化;利用单电子信息，转化为采样点Xi处单电子注入引起的阈值电压变化的函数之和。最终得到存储层中电荷沿沟道方向分布。
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