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公开(公告)号：CN110765704B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201911210240.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/367 , G06N3/048 , G06N3/084
Abstract: 本发明涉及一种应用于微波器件的新型深层神经网络自动建模方法，属于微波器件建模领域，用于解决现有的浅层神经网络建模方法不能满足微波器件建模领域面临的模型维度高、工作范围大、可靠性高等新需求的问题。本发明具体提出了一种新型的包含Batch Normalization(BN，批量归一化)层和Sigmoid隐藏层的混合型深层神经网络结构及其训练方法，能够解决由于神经网络层数增多而引起的梯度消失和训练被阻止的问题；并采用自适应算法自动确定深层神经网络中BN层和Sigmoid隐藏层的层数，实现训练过程自动化。采用本发明得到的深层神经网络模型能够精确表示微波器件复杂、连续、高度非线性的器件特性，计算速度快，能有效代替原始器件进行后续电路或系统的仿真与设计。
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公开(公告)号：CN113838926B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110934402.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO2埋氧层(2107)、和Si衬底(2108)构成的晶体管(21)和模式控制端(22)。在第一模式(高压模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中晶体管的击穿电压(BVCBO和BVCEO)高达7.5V和2.0V以上。在第二模式(高增益模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中的晶体管(21)的峰值电流增益高达150以上。模式控制端(22)通过控制供应给晶体管(21)中衬底电极(2112)处的模式控制信号来切换所述高频横向双极晶体管电路的工作模式。
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公开(公告)号：CN116207605A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211549261.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种结温可调的垂直腔面发射激光器，包括由N型电极(10)和衬底层(11)组成的衬底，由N型DBR(31)、有源区(32)、SiO2层(33)、氧化限制层(34)、P型DBR(35)、正电极(36)组成的VCSEL，和由P型电极端(21)、多组热电偶对和接地端(26)组成的串联热电偶对。本发明所述激光器还可由多个结温可调的垂直腔面发射激光器构成二维阵列结构，其中每个结温可调的垂直腔面发射激光器的结温均可通过设置相应的P型电极端(21)注入的电流进行调节。与常规垂直腔面发射激光器相比，本发明可实现对单个激光器和具有二维阵列结构激光器结温的精准调控，从而有效提高激光器的热可靠性。
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公开(公告)号：CN111446930B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202010296951.3
申请日：2020-04-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F3/195
Abstract: 一种射频电感电路，由第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，频带拓展单元(4)以及第一可调偏置单元(5)，第二可调偏置单元(6)组成。其中，第一跨导单元(1)和第二跨导单元(2)构成第一回路，第一跨导单元(1)和第三跨导单元(3)构成第二回路。第一回路和第二回路并联，提高了总转换电容，增大了有源电感的等效电感值。第二回路中晶体管分别构成了负阻网络结构和负反馈网络，增大了有源电感的Q值和线性度。频带扩展单元(4)与电感电路的输入端连接，拓展了电感的工作带宽。本发明射频电感电路，不但具有宽频带与高线性，而且在高频区和高频区的任一频率下可同时具有高Q值和大电感值，且Q峰值可调谐。
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公开(公告)号：CN111081702B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201911128738.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/737 , H01L21/82
Abstract: 一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113868905A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111063458.8
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种运用粒子群算法优化VCSEL阵列排布的方法，基于改善结温分布均匀性的目的，本发明运用迭代收敛技术将优化过程分为两个部分，分别是热电反馈计算过程和粒子群排布优化过程。在粒子群算法中引入基于最小势能原理的适应度函数来提供优化标准，同时在更新粒子群速度和位置时引入随机因子，以增加群体的随机性，提高算法的优化效率。以具有4×4个单元的VCSEL阵列为例进行了排布优化设计，证明了本发明方法的有效性。
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公开(公告)号：CN113838927A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110985799.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/06 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管，为npn型晶体管。采用SiGe材料制备基区，与未掺杂的Si发射区和Si集电区形成异质结，通过有效改变发射结处能带结构来提高器件的电流增益。同时考虑到金属镉的功函数为4.07eV，易于与未掺杂的Si形成良好的金‑半接触，有效诱导产生n型电荷等离子体，且具有优良的导电性，较好的抗熔焊性，以及优异的抗拉强度和高耐磨性等优点，因此本发明采用金属镉作为发射极和集电极的电极材料，用于调节发射极和集电极下方对应发射区和集电区内n型载流子浓度。通过上述结构的有效配合，实现了晶体管电流增益、击穿电压和特征频率的同步提高。
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公开(公告)号：CN113838926A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110934402.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO2埋氧层(2107)、和Si衬底(2108)构成的晶体管(21)和模式控制端(22)。在第一模式(高压模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中晶体管的击穿电压(BVCBO和BVCEO)高达7.5V和2.0V以上。在第二模式(高增益模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中的晶体管(21)的峰值电流增益高达150以上。模式控制端(22)通过控制供应给晶体管(21)中衬底电极(2112)处的模式控制信号来切换所述高频横向双极晶体管电路的工作模式。
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公开(公告)号：CN108900175B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810697165.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/36
Abstract: 本发明提供了一种宽频带、大电感值、高Q值且Q值可独立调节的有源电感。该有源电感包括：第一跨导单元，第二跨导单元，频带拓展单元，可调分流单元，反馈单元。第一跨导单元与第二跨导单元首尾连接实现电感基本功能，反馈单元与第一跨导单元的并联连接，不但增大了电感值，而且增大了等效输出电阻，减小了等效串联电阻，实现了高的Q值；频带拓展单元和可调分流单元分别与第一跨导单元串联和并联，分别减小了有源电感的等效输入电容进而实现了宽的工作频带和实现了对第一跨导单元电流的调节进而可对电感值进行调节。本有源电感适用于对电感有宽频带工作要求，且在宽频带内对Q值有独立调节要求的射频集成电路。
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公开(公告)号：CN112448267A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011329497.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明实施例提供一种出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该阵列包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的电阻大于第二垂直腔面发射激光器单元的电阻；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，小于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，在垂直腔面发射激光器单元高度集成、不增大阵列的面积和不改变台面排布设计的基础上，能有效改善阵列的结温分布不均，并且能提高出光功率的均匀性和稳定性。
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