公开(公告)号：CN103648762A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033296.6

申请日：2012-07-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 茂木弘 ,  久保田芳宏

IPC: B32B5/02 ,  B32B5/16 ,  B32B7/02 ,  F16L59/04 ,  B60J1/00 ,  E06B5/00

CPC classification number: F16L59/029 ,  B32B5/02 ,  B32B5/16 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  B32B17/064 ,  B32B27/12 ,  B32B27/30 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2262/101 ,  B32B2264/102 ,  B32B2264/105 ,  B32B2307/304 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/584 ,  B32B2307/704 ,  B32B2307/71 ,  B32B2605/006 ,  B60J1/20 ,  Y10T442/623 ,  Y10T442/676 ,  Y10T442/699

Abstract: 本发明提供一种高的绝热性和可视光透过率兼备，有防污性，且耐伤性优良的绝热叠层体。绝热叠层体，具有光触媒层4；二枚的透明基板1·1之间挟持由纤维集合体2以及无机粒子3形成的复合材料的透明绝热层10；以及粘着材料层5。光触媒层4为所述绝热叠层体的一个面的最外层，粘着材料层5为另一个面的最外层。光触媒层4和透明绝热层10之间以及透明绝热层10和粘着材料层5之间，至少一方可以具有硬涂布层。

公开(公告)号：CN103011165A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210364152.0

申请日：2012-09-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  信浓电气制錬株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  樋口知生

IPC: C01B31/36

Abstract: 提供一种不仅从含有SiC以及Si的固体微粒子的液体将比较的大粒径的固体微粒子分离回收，也将比所述固体微粒子小的粒径的超细微的固体微粒子高效率地进行固液分离，将这些所有的固体微粒子回收的方法。SiC以及/或Si的固体微粒子回收方法为，具有二个工序,在第一工序中从含有SiC以及/或Si的固体微粒子的液体用离心分离或／以及液体旋风器将所述固体微粒子中的比较的大粒径的固体微粒子分离回收，比较的小粒径的固体微粒子残存的液体排出,第二工序为向第一工序排出的液体中，添加有机凝集剂,使含有所述比较的小的粒径的固体微粒子凝集形成凝集体，将该含有凝集体的液体进行离心分离或过滤,将所述凝集体回收。

公开(公告)号：CN102822744A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180017361.1

申请日：2011-03-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明提供了一种适宜于使用EUV曝光技术，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的光刻用光掩模，以提供能确实地防止光掩模的平坦度发生恶化的光掩模单元为目的。本发明的光掩模单元1为：防尘薄膜6、在其一个表面粘贴有防尘薄膜6的侧部近旁区域的防尘薄膜组件框架7、光掩模2、其一个表面固定有光掩模2及防尘薄膜组件框架7的台子3，防尘薄膜组件框架7在比固定有光掩模2的台子3的范围还要靠外的侧被固定于台子3上。

公开(公告)号：CN101286443B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810088668.0

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。

公开(公告)号：CN101256934B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200810005732.4

申请日：2008-02-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge外延膜生长。在Ge外延膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge外延膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge外延膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。

公开(公告)号：CN101207009B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200710161139.4

申请日：2007-12-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。

公开(公告)号：CN101571671A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910137734.3

申请日：2009-04-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  秋山昌次 ,  进藤敏彦

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/62 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24

Abstract: 本发明目的在于提供一种防护薄膜组件，其具备EUV用防护薄膜，该防护薄膜透光性、机械性、化学稳定性优异，且制造良品率高，成本低廉实用。为达成上述目的，本发明之防护薄膜组件以硅单晶膜为防护薄膜，该硅单晶膜以自属于{100}面群和{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3～5°的晶面为主面。由于以该等晶面为主面的硅单晶，跟 方位的硅单晶相比，其有效键结密度或杨氏系数高出40～50％左右，故不易发生解理或龟裂等问题。又，耐氢氟酸性等的化学耐性很高而不易发生腐蚀陷斑或孔隙等缺陷。