公开(公告)号：CN103681447A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210333065.9

申请日：2012-09-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 钟汇才 ,  梁擎擎 ,  罗军

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02612

Abstract: 本申请公开了一种绝缘体上半导体(SOI)衬底制作方法及SOI衬底。根据一示例，该方法可以包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括支撑衬底、位于支撑衬底上的绝缘层以及位于绝缘层上的硅层；在选定区域，在所述硅层上形成硅锗/硅的叠层，而在其他区域，在所述硅层上形成保护层；进行锗浓缩处理，使得选定区域中所述硅层转变为锗层；以及进行表面处理，以露出所述绝缘体上硅衬底的表面，从而形成所述SOI衬底。

公开(公告)号：CN103390549A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210147554.5

申请日：2012-05-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  邓坚 ,  赵超 ,  李俊峰 ,  陈大鹏

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区和栅极侧墙；在源漏区上淀积第一金属层；执行第一退火，使得第一金属层与源漏区反应，外延生长形成第一金属硅化物；在第一金属硅化物上淀积第二金属层；执行第二退火，使得第二金属层与第一金属硅化物及源漏区反应，形成第二金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法，通过在源漏区上外延生长超薄的金属硅化物，减小或者消除了硅化物晶粒之间的晶界，限制了金属扩散速度和方向，从而抑制了金属硅化物的横向生长，进一步提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN103377944A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210134103.8

申请日：2012-04-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  邓坚 ,  赵超 ,  钟汇才 ,  李俊峰 ,  陈大鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；执行第一离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中注入第一掺杂离子；在衬底和栅极堆叠结构上淀积金属层；执行第一退火，金属层与衬底反应形成金属硅化物的源漏区，并在硅化物与衬底之间的界面处形成第一掺杂离子分凝区；执行第二离子注入，在金属硅化物的源漏区中注入第二掺杂离子；执行第二退火，在金属硅化物的源漏区与衬底之间的界面处形成第二掺杂离子掺杂离子分凝区。通过两次掺杂注入并推进退火，在金属硅化物的源漏与硅沟道区之间的界面处形成掺杂离子的分凝区，有效降低肖特基势垒高度，大大降低了源漏接触电阻同时还提高了器件驱动能力，进一步提高器件的性能。

公开(公告)号：CN103377943A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210133853.3

申请日：2012-04-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  邓坚 ,  赵超 ,  钟汇才 ,  李俊峰 ,  陈大鹏

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构以及衬底上形成栅极保护层；执行非晶化离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成非晶硅区；在栅极堆叠结构以及非晶硅区上淀积金属层；执行退火，使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物，作为器件的源漏区，同时注入的离子在金属硅化物与衬底之间形成分凝区，降低了肖特基势垒高度。依照本发明的半导体器件制造方法，通过离子注入在衬底中形成非晶硅区，限制了金属扩散方向，抑制了金属硅化物的横向延伸，并进一步提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN103296083A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210045350.0

申请日：2012-02-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赵超 ,  罗军 ,  钟汇才

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体场效应晶体管及其制作方法。该半导体场效应晶体管可以包括：栅墙；位于所述栅墙之外的鳍部分，鳍部分的两端与所述鳍部分两端上的源漏区相连；位于栅墙两侧的接触墙，所述接触墙通过其下的硅化物层与所述源漏区相连；其中所述栅墙周围具有气隙。由于在栅墙周围形成气隙，特别是在所述栅墙和所述接触墙之间形成气隙，降低了两者之间的寄生电容。因而，有效地缓解了因使用接触墙带来的寄生电容过大的问题。

公开(公告)号：CN103165430A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110425474.7

申请日：2011-12-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  赵超 ,  钟汇才 ,  李俊峰 ,  陈大鹏

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上沉积形成任意厚度的金属层；不做任何处理，直接移除衬底上的金属层，在衬底表面留下混合层；以及执行退火，使得混合层转变为金属硅化物层。依照本发明的半导体器件制造方法，利用厚金属层在沉积过程中形成的均匀混合层作为金属源，退火形成了超薄且均匀的金属硅化物，克服了为制备超薄金属硅化物而沉积特定厚度金属层中均匀性差的缺点，有效地提高超小尺寸器件性能。

公开(公告)号：CN103137668A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110377995.X

申请日：2011-11-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  赵超 ,  钟汇才 ,  李俊峰 ,  陈大鹏

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏区、衬底上的栅极堆叠结构和栅极侧墙、源漏区中的第一金属硅化物、分别位于源漏区以及栅极堆叠结构上方的接触栓塞、以及层间介质层，其特征在于：第一金属硅化物以及栅极堆叠结构上具有第二金属硅化物，接触栓塞与第二金属硅化物接触。依照本发明的半导体器件，通过抬升第一金属硅化物使其高于源漏区表面，从而减少接触孔中W的用量，不仅可以大大降低互连电阻而且还能有效阻挡Cu扩散，从而整体上有效地提高了器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102956451A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110236626.9

申请日：2011-08-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 钟汇才 ,  罗军 ,  赵超 ,  梁擎擎

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，以及衬底上的栅区和栅区两侧的半导体区；在所述栅区的侧壁上形成覆盖部分半导体区的牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙之外的半导体区以及栅区上形成金属层；去除牺牲侧墙；进行退火，金属层与半导体区反应，从而在半导体区上形成金属半导体化合物层；去除未反应的金属层。通过该牺牲侧墙的厚度将金属层与器件的沟道及栅区隔开一段距离，从而降低金属层扩散对沟道及栅区的影响，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN102832243A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110159506.3

申请日：2011-06-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  赵超 ,  钟汇才 ,  李俊峰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括位于衬底上的栅极堆叠结构、位于栅极堆叠结构周围的栅极隔离侧墙、位于栅极堆叠结构两侧的源漏区、位于所述源漏区中的外延生长的源漏接触，其特征在于：所述源漏接触为镍基金属与衬底材料的化合物，位于所述源漏区中并与所述栅极隔离侧墙下方的沟道区接触。依照本发明的半导体器件及其制造方法，由于合理调整了镍基金属与衬底材料所形成的化合物的材质以及厚度，使得所形成的源漏接触具备良好的热稳定性，能够经受消除高k栅介电材料层缺陷的第二高温退火，从而大幅降低了源漏寄生电阻，提高了器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102832127A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110161231.7

申请日：2011-06-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赵超 ,  罗军 ,  钟汇才 ,  王文武

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成介质层，所述介质层嵌入所述半导体衬底且其表面与所述半导体衬底的表面齐平；在所述介质层两侧的半导体衬底上形成金属硅化物层；在所述介质层上形成半导体层；在所述半导体层上形成栅极结构。本发明有利于降低工艺复杂度和生产成本，并克服小尺寸器件的短沟道效应。