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公开(公告)号：CN100422071C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510030805.1
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械加速度计圆片级封装工艺，其特征在于，采用粘接键合和深反应离子刻蚀微机械体加工工艺技术相结合，所述的圆片级封装工艺步骤是：使用各向异性腐蚀溶剂氢氧化钾双面同时腐蚀出保护腔体和未穿通的引线通孔；使用干刻蚀型苯丙环丁烯，涂覆于盖板的保护腔体一面的整个正面，即有保护腔体的这一面；使用键合机完成盖板硅片和微机械加速度器件的硅片的键合；利用深反应离子刻蚀技术将铝引线处通孔刻蚀穿通。本发明提供的圆片级封装工艺采用的设备和工艺均为微机械加工的常规工艺和设备，具有通用中性强特点，适用于从低量程微机械加速度计到高冲击微机械加速度计的制作。
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公开(公告)号：CN1792764A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030805.1
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械加速度计圆片级封装工艺，其特征在于，采用粘接键合和深反应离子刻蚀微机械体加工工艺技术相结合，所述的圆片级封装工艺步骤是：使用各向异性腐蚀溶剂氢氧化钾双面同时腐蚀出保护腔体和未穿通的引线通孔；使用干刻蚀型苯丙环丁烯，涂覆于盖板的保护腔体一面的整个正面，即有保护腔体的这一面；使用键合机完成盖板硅片和微机械加速度器件的硅片的键合；利用深反应离子刻蚀技术将铝引线处通孔刻蚀穿通。本发明提供的圆片级封装工艺采用的设备和工艺均为微机械加工的常规工艺和设备，具有通用中性强特点，适用于从低量程微机械加速度计到高冲击微机械加速度计的制作。
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公开(公告)号：CN1214234C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03129302.6
申请日：2003-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器的气密封装等温凝固方法。其特征在于以一种高熔点的金属和一种低熔点的金属为封装材料，利用它们原子反应扩散为手段，在低熔点金属完全反应生成中间化合物的同时，完成封装的。更确切地说在腔体和MEMS器件周边上，形成焊料封环，腔体周边的焊料有高熔点金属与低熔点金属组成，MEMS器件周边的焊料由高熔点金属构成，在焊料下有由黏附层和阻挡层构成的金属层；经过对位后，将上盖板与下基板合上，并升温至低熔点金属熔点以上，保温，低熔点金属全部消耗，完成键合；本发明优点是由于低熔点金属已全部熔化，合金化，从而使器件的使用温度上限可提高至中间化合物的分解温度，实现晶圆级封接，大大降低成本。
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公开(公告)号：CN1462868A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03129302.6
申请日：2003-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01D11/26
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器的气密封装等温凝固方法。其特征在于以一种高熔点的金属和一种低熔点的金属为封装材料，利用它们原子反应扩散为手段，在低熔点金属完全反应生成中间化合物的同时，完成封装的。更确切地说在腔体和MEMS器件周边上，形成焊料封环，腔体周边的焊料有高熔点金属与低熔点金属组成，MEMS器件周边的焊料由高熔点金属构成，在焊料下有由黏附层和阻挡层构成的金属层；经过对位后，将上盖板与下基板合上，并升温至低熔点金属熔点以上，保温，低熔点金属全部消耗，完成键合；本发明优点是由于低熔点金属已全部熔化，合金化，从而使器件的使用温度上限可提高至中间化合物的分解温度，实现晶圆级封接，大大降低成本。
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公开(公告)号：CN109216162B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810997049.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一基底；2）于基底的表面形成具有预设深度的凹槽；3）于凹槽内形成介质层，介质层填满凹槽，且介质层裸露的表面与基底形成有所述凹槽的表面相平齐。本发明通过先在基底的表面形成凹槽，然后再在凹槽内形成介质层，位于凹槽内的介质层可以间接提供一定的介质层厚度，在需要在基底表面制作无源器件时，可以直接将无源器件制作在凹槽的上方，从而可以减少介质层的涂覆工艺次数，尽可能避免介质层开裂、剥落等问题；同时，本发明的半导体结构的制备方法不会占用基底正面的面积，不会影响正面功率器件的性能，与集成电路后道封装工艺相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037149A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811019338.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481
Abstract: 本发明提供一种无缺陷穿硅通孔结构的制备方法，包括如下步骤：1）提供第一晶圆，于第一晶圆内形成穿硅通孔；2）于第一晶圆的第一表面上形成第一金属层；3）提供第二晶圆，于第二晶圆的一表面形成第二金属层；4）将第一晶圆与第二晶圆贴置在一起；5）将第二晶圆旋转，以裸露出部分第一金属层；6）将第二晶圆与第一晶圆键合在一起；7）将裸露的第一金属层经由导电介质与电镀夹具相连接，并将电镀夹具置于电镀液中；8）电镀以在穿硅通孔内形成至少填满穿硅通孔的电镀金属层；9）去除导电介质及第二晶圆。本发明可以使得金属能够逐渐自底向上生长，直至完全填满整个穿硅通孔，可以得到无缺陷的穿硅通孔结构。
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公开(公告)号：CN104519661B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201310465129.5
申请日：2013-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电容电感复合结构的制造方法，至少包括以下步骤：S1：提供一基板，采用溅射法或蒸发法在所述基板上形成一金属层；S2：以所述金属层的一部分作为电容下极板制作电容，以所述金属层的另一部分作为电感的电镀种子层制作电感。本发明的电容电感复合结构中，电容下极板与电感的电镀种子层采用同一层金属，具有结构简单、可靠性高并有利于小型化的优点。本发明利用电镀金属的种子层作为电容下极板制作电容，同时形成电感，无需制造额外的金属层作为电容下极板，工艺步骤简单，采用了更少的光刻次数，有效降低了制造成本，在集成无源器件领域有很大潜力。
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公开(公告)号：CN104078431B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410300624.5
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125
Abstract: 本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法，其特征在于结构上由双层底充胶填充，第一层在芯片端，在圆片上采用旋涂工艺制作；第二层在基板端，在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充；第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量较低第二层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量；(2)芯片与基板的连接是由铜凸点和含锡焊料凸点两部分构成，实现高密度连接；(3)铜凸点分两次制作，以保证第一层底充胶的完全填充和确保凸点与含锡焊料的足够接触。提供的整个工艺过程与现有IC工艺兼容，有较高的垂直互连密度、较好的电气连接特性、较高的机械稳定性。通过加速热循环等测试可以得出，具有此种封装结构的芯片，寿命得到了较大提高。
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公开(公告)号：CN103794544B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210419100.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种电镀铜的方法，先提供一需要制作电镀铜布线的基底，采用溅射法于所述基底表面形成用于电镀铜的种子层；然后依据所述电镀铜布线于所述种子层表面制作图形掩膜并腐蚀所述种子层；接着采用电镀法于未被所述图形掩膜覆盖的种子层表面制作电镀铜层；最后去除所述图形掩膜及所述图形掩膜覆盖的种子层，以完成制作。本发明具有以下有益效果：本发明首先可以消除电镀铜与溅射铜界面的孔洞，其次可以消除高温退火时形成的孔洞。由此电镀铜的方法获得电镀铜具有无孔洞，电阻小等特点。此工艺改进适于半导体、集成电路等使用电镀铜的方法制作铜引线的领域。
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公开(公告)号：CN105118771A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510551283.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/40 , H01L23/5222
Abstract: 本发明涉及一种高品质因数电容制造方法，该制造方法至少包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面的掩膜层上形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板；在所述硅基板正面的掩膜层上形成下电极；在所述下电极上沉积介质层并图形化以暴露部分下电极；E.在所述介质层上形成上电极并图形化后暴露部分介质层和下电极；去除所述深坑结构底部剩余的薄硅基板。本发明用简单的工艺实现了新颖的结构以得到Q值的成倍提高。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空MIM电容以下的硅衬底，从而抑制硅基板损耗，提高电容Q值。
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