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公开(公告)号：CN105931852B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610251895.5
申请日：2016-04-21
Applicant: 三峡大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明属于超级电容器领域，具体涉及一种表面呈毛绒状的三氧化二铁纳米管阵列材料及其制备方法。所述材料呈毛绒管状结构，且均匀地沉积在钛片或不锈钢基底表面，沉积阵列长度为2‑4μm，直径为50‑100nm。所述方法以硝酸钴为钴源，尿素作为沉淀剂，采用溶剂热合成法制得氢氧化钴纳米线阵列，在此基础上，以氢氧化钴为牺牲模板，以钛片或不锈钢为基底，通过在硝酸铁或者氯化铁溶液中浸泡，并进一步烧结制得毛绒管状三氧化二铁阵列材料。
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公开(公告)号：CN106848301A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710142202.3
申请日：2017-03-10
Applicant: 三峡大学
CPC classification number: H01M4/52 , H01M4/366 , H01M4/5815 , H01M4/587 , H01M10/24
Abstract: 本发明公开了Fe2O3纳米棒阵列电极原位硫化及碳包覆的制备方法及应用。首先，以钛片为基底，氯化铁为铁源，硫酸钠为沉淀剂，水热合成法，烧结制得纳米棒状Fe2O3阵列，再以硫脲或硫代乙酰胺为硫化剂，采用溶剂热法对三氧化二铁进行硫化，即可得到Fe2O3‑S，采用等离子增强化学气相沉积法对Fe2O3‑S进行碳包覆，得到Fe2O3‑S@C。在1 M KOH电解液中，原始Fe2O3电极的最大容量仅为13.67 mAh/g，硫化之后提高至214.3 mAh/g，而进一步碳包覆优化可达768.3 mAh/g；100次循环后，Fe2O3‑S的容量保持率仅为7.95%，Fe2O3‑S@C的容量保持率可达92.13%。
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公开(公告)号：CN106328766A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610816792.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 三峡大学
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/22 , C23C16/325 , C23C16/44 , C23C16/52 , H01L31/02168
Abstract: 本发明公开了一种在可见光波段具有高透射特性的薄膜材料低温制备方法，该方法包括以下步骤：（1）石英片的清洗；（2）以硅烷和甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在石英片上沉积碳化硅薄膜；（3）以甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（2）中的碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜。此发明方法通过调整和优化双层膜的折射率及厚度，从而降低薄膜对光的反射。经过上述步骤所制备的减反射膜具有工艺简单、成本低以及在可见光波段具有透射率高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702475A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610077800.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器负极材料铁酸镍及其制备方法，以钛片或不锈钢或泡沫镍为基底，尿素为沉淀剂，氯化亚铁为铁源，采用溶剂合成法制得铁酸镍材料。呈现颗粒状结构，铁酸镍均匀地沉积在钛片表面。本发明制备的铁酸镍表面颗粒状结构，能表现出高表面积和良好导电特性，具有较大的比表面积，可作为超级电容器电极。将制备的铁酸镍材料组装成三电极体系，在1M K(OH)电解液中进行电化学性能评价。在0至-1.2V的电位区间内，有明显的氧化还原电位，而电流密度1A·g-1时，比电容为333F/g，说明铁酸镍可以为超级电容器的负极材料。
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公开(公告)号：CN103972079B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410130901.2
申请日：2014-04-01
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L21/314 , H01L21/18 , B82Y40/00
Abstract: 一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法，该方法包括以下步骤：1）配制溶液；2）制备图案化的单晶硅衬底；3）沉积氮化硅薄膜；4）沉积微晶硅薄膜；5）沉积非化学计量比碳化硅薄膜；6）制备周期性多层膜；7）在制成的周期性多层膜上按照步骤3）沉积氮化硅薄膜，制得多层膜样品；8）对步骤7）制得的多层膜样品进行高温退火处理，制得退火处理后的多层膜样品；9）进行氨气等离子体钝化处理，制得三维空间分布有序硅量子点。本发明提供的一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法，将多层膜自组装技术和图案化单晶硅衬底技术融为一体，制备的硅量子点具有制备面积大、缺陷少、空间三维分布排列有序、成核位置和尺寸可控等特点。
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公开(公告)号：CN105386002A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510778898.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 三峡大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种非晶碳薄膜材料的低温制备方法，该方法包括以下步骤：（1）单晶硅片的清洗；（2）以硅烷和氨气为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅片上沉积氮化硅薄膜；（3）以甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在（2）中的氮化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜。经过上述步骤所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、沉积温度低、能耗少、成本低、碳膜均匀性好以及大面积制备等优点。
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公开(公告)号：CN104617185A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510042506.3
申请日：2015-01-28
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02019 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/0262 , H01L21/02664
Abstract: 本发明公开了一种以绒面单晶硅片为基底的含硅量子点薄膜材料制备方法，该方法包括以下步骤：（1）配制化学腐蚀溶液并获取具有绒面结构的单晶硅基片；（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在绒面单晶硅基片上制备微晶硅薄膜；（3）对步骤（2）所制备的样品在高纯氮气或氧气氛围下进行高温退火处理。经过上述步骤所制备的硅量子点薄膜材料具有硅量子点尺寸精度可控性高、钝化效果好等优点。
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公开(公告)号：CN103972079A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410130901.2
申请日：2014-04-01
Applicant: 三峡大学
IPC: H01L21/314 , H01L21/18 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/02532 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/0262 , H01L21/02664
Abstract: 一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法，该方法包括以下步骤：1）配制溶液；2）制备图案化的单晶硅衬底；3）沉积氮化硅薄膜；4）沉积微晶硅薄膜；5）沉积非化学计量比碳化硅薄膜；6）制备周期性多层膜；7）在制成的周期性多层膜上按照步骤3）沉积氮化硅薄膜，制得多层膜样品；8）对步骤7）制得的多层膜样品进行高温退火处理，制得退火处理后的多层膜样品；9）进行氨气等离子体钝化处理，制得三维空间分布有序硅量子点。本发明提供的一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法，将多层膜自组装技术和图案化单晶硅衬底技术融为一体，制备的硅量子点具有制备面积大、缺陷少、空间三维分布排列有序、成核位置和尺寸可控等特点。
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