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公开(公告)号：CN104821440A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510220934.0
申请日：2015-04-30
Applicant: 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 本发明涉及一种调谐天线及调谐方法，包括天线线圈、可变电容和可变电阻；所述天线线圈和可变电容均与所述可变电阻并联；所述可变电容和所述可变电阻，其用于在所述天线线圈的电学属性变化时，调节所述可变电容的电容值，使天线的谐振频率保持不变，进而调节所述可变电阻的电阻值，使天线的带宽保持不变。本发明实现了，天线线圈的电学属性受影响时，调节与所述天线线圈并联的可变电容的电容值，使天线的谐振频率保持不变；调节与所述天线线圈并联的可变电阻的电阻值，使天线的带宽保持不变；提高天线的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN103280458B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310183169.0
申请日：2013-05-17
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种集成电路芯片ESD防护用MOS器件，属于电子技术领域。本发明在不增加器件尺寸、无需消耗更多芯片面积的情况下，通过在源区和衬底接触区之间的下方衬底区域增加若干平行于器件横向方向的条状阱区的方式来增加源区和衬底接触区之间的衬底电阻，从而提高器件的抗静电释放能力；另外，还可以通过调整条状阱区、宽度及相互间的距离来调整器件衬底电阻的大小和改善器件的开启均匀性问题，进一步提高器件的二次击穿电流；同时，本发明的制造工艺与标准CMOS工艺兼容。综上所述，本发明提供的集成电路芯片ESD防护用MOS器件因衬底电阻的增大而具有更强的抗静电释放能力，同时没有增加器件尺寸，不会导致器件成产成本的增加。
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公开(公告)号：CN102891625B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210364322.5
申请日：2012-09-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H02N2/18
Abstract: 一种磁电复合能量转换装置，属于能源器件技术领域。所述磁电复合能量转换装置是由磁致伸缩材料和压电材料粘接成的异质结构，通过弹性基板固定在支撑结构中。本发明利用磁电复合结构的磁电耦合效应可以将环境中的电磁能量转换成电能。本发明可用于无人值守环境中，为无线传感器提供电能，免去携带和更换电池的不便；也可用于电磁污染环境的检测和清洁领域。
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公开(公告)号：CN102847649B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210364656.2
申请日：2012-09-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种为片式电子元器件表面涂覆保护材料的装置，属于片式电子元器件生产设备。通过直行振动导轨将电子元器件在长度方向密排，用喷涂的方式将元件表面保护浆料涂敷至元件的相邻两个表面上，烘干之后再进行180度翻转，喷涂元件另外两个表面，再烘干出料的全自动涂敷方式，其优点在于可以自动进料，采用高精度的喷枪在元件表面形成一层均匀致密的保护涂敷层，省却了传统方式在涂敷之前需要用有机材料保护元件端头的工艺，提高了生产效率，缩短了元件制造周期且降低了成本。
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公开(公告)号：CN102723369B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210191065.X
申请日：2012-06-12
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 一种具有低导通压降的P-i-N二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在二极管中引入由槽栅结构和JFET结构所组成载流子注入模式控制结构。通过施加栅极电压脉冲调制二极管的注入模式，使二极管分别工作在P-i-N模式和零结模式下，以达到降低二极管导通压降的目的。本发明所述的二极管在具有常规P-i-N二极管的高阻断电压和低漏电流优势的同时，能够获得更低的导通压降和更快的反向恢复速度，进而大幅度降低二极管在电路应用中产生的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102709317B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210186331.X
申请日：2012-06-07
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/47 , H01L29/45 , H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 一种低开启电压二极管，属于半导体器件技术领域。本发明利用PN结二极管的耗尽区缩小与增大来控制二极管开启和关断，使得器件在很小的正向电压下就有电流通道。在小的正向电压下，阳极欧姆接触结构的引入就能使得器件在正向导通时产生正向电流；在阳极电压增加到能使得阳极肖特基结构打开时，又会增大正向电流；当所加阳极电压足以使得PN结也导通时，PN结的正向电流能使得二极管正向电流进一步增大。器件反向时，在很小的反向电压下夹断导电沟道，低掺杂的外延层可以承受增加的反向电压，阳极肖特基结构此时又能够帮助减小反向漏电流。采用本发明可以实现二极管低的开启电压，较大的正向电流，较小的反向漏电流和良好的反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN102832213B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210317015.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L27/02 , H01L29/739
Abstract: 一种具有ESD保护功能的LIGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在不增加掩膜板和工艺步骤的前提下，通过器件结构和版图优化，提供一种具有ESD保护功能的LIGBT器件。本发明与传统的IGBT器件的不同之处在于本发明不仅在阳极终结端（沟道宽度方向）设置了结终端N+掺杂的N阱接触区（14），并且在P+掺杂的阳极区（9）周围设置了N+掺杂的N阱接触区（8）这种器件结构及版图优化减小了N型缓冲区的寄生电阻，器件寄生PNP管的开启电压有所增加，失效电流较传统IGBT器件单元有20%的显著提高。
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公开(公告)号：CN103647635A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310713483.5
申请日：2013-12-23
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H04L9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于阶梯波的多卷波的产生电路，该电路由包括阶梯波序列产生电路和卷波信号输出电路，通过改变阶梯波的阶梯数量可以控制卷波的数量，所述阶梯波序列产生电路包括直流电源和阶梯波信号源，所述卷波信号输出电路包括加法器、第一积分器、第二积分器、乘法器、反向器、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1和第二电容C2。本发明的有益效果为，相比传统的混沌卷波信号，本发明的信号更具有确定性和唯一性，且本发明提出的电路结构更加简单，在工程中也更容易实现，本发明尤其适用于多卷波的产生电路。
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公开(公告)号：CN103640489A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310697994.2
申请日：2013-12-18
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
CPC classification number: Y02T10/7022 , Y02T10/7241 , Y02T10/7275
Abstract: 本发明涉及电动汽车技术，具体的说是涉及一种电动汽车驱动装置。本发明所述的电动汽车驱动装置，包括电池包、电机驱动电路和电动机，其特征在于，还包括Z源变换器，所述Z源变换器分别与电池包和电机驱动电路连接，所述电机驱动电路与电动机连接。本发明的有益效果为，可以允许当电机驱动为全桥驱动时存在直通的状态。并且可以很好的实现低压电池包的高倍率升降压，且倍率调节范围广。当电池数量较少时也可以驱动整个系统，并且在同一个电池管理系统，可以在较大范围实现不同额定电压电机的驱动，有助于电池管理系统的模块化设计。本发明尤其适用于电动汽车。
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公开(公告)号：CN103578804A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310534682.X
申请日：2013-11-01
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01H3/46
Abstract: 本发明的目的是提供一种刚挠结合印制电路板的制备方法，该方法是通过分别独立制作挠性基板和刚性多层板，挠性基板埋入区开设电气连接所需通孔；刚性多层板包括第一刚性多层板、第二刚性多层板，第一刚性多层板上在通孔对应位置制作导电凸块，第二刚性多层板在通孔对应位置上制作与导电凸块对应的焊盘；从下到上按第一刚性多层板、半固化片、挠性基板、半固化片、第二刚性多层板顺序叠板，经一次压合得刚挠结合印制电路板，导电凸块穿插过挠性基板上通孔，与焊盘连接导通，并用导电胶敷形，实现挠性基板与刚性多层板的准确对位埋入以及电气互联导通。
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