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公开(公告)号：CN109387235B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811368207.9
申请日：2018-11-16
Applicant: 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，提出一种基于薄膜体声波谐振器的柔性触觉传感器阵列，包括若干个薄膜体声波谐振器、多路复用器、用于测量薄膜体声波谐振器谐振频率的谐振电路以及用于信号采集和分析处理的微处理芯片，其中多个薄膜体声波谐振器阵列分布设置，薄膜体声波谐振器阵列的输出端与多路复用器的输入端连接，多路复用器的输出端与谐振电路的输入端连接，微处理芯片的输入端与多路复用器的输出端和谐振电路的输出端连接。本发明满足柔性触觉传感器对柔韧性的要求，具有高柔韧性、高谐振频率等特点，可应用于以接触的形式检测物体的形状、质地、硬度、温度、力以及振动等物理量的触觉传感器中。
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公开(公告)号：CN112422101B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110078579.3
申请日：2021-01-21
Applicant: 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电子器件及其形成方法。在第一晶圆上制备发射端谐振结构和接收端封盖腔，在第二晶圆上制备发射端封盖腔和接收端谐振结构，从而在键合第一晶圆和第二晶圆之后，即可在发射区中形成发射端滤波器以及在接收区中形成接收端滤波器。本发明提供的形成方法，不仅可以简化器件的制备工艺，提高器件的精准性和稳定性，并且还有利于将发射端滤波器和接收端滤波器集成设置在同一芯片中，提高了器件的集成度，减小了器件的封装尺寸。
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公开(公告)号：CN111865248A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010368417.9
申请日：2020-04-30
Applicant: 诺思(天津)微系统有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种谐振器组件及其制造方法，该谐振器组件包括体声波谐振器和声表面波谐振器，其中：所述两个谐振器的电极结构位于一个基底的同一侧。本发明还涉及一种具有该谐振器组件的滤波器和一种具有该滤波器或谐振器组件的电子设备。
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公开(公告)号：CN111600574A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910813175.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 天津大学 , 诺思(天津)微系统有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种体声波滤波器及其带外抑制改善方法，包括：一条串联支路、多条并联支路及并联谐振电路，串联支路由串联谐振器依次串联组成；并联支路由并联谐振器和电感组成，每个并联支路一端接于两个相邻串联谐振器之间或者串联支路的首末端，另一端通过电感接地；所述并联谐振电路一端接于两个相邻串联谐振器之间或者串联支路的首末端，另一端接地；当该并联谐振电路的谐振频率处于滤波器通带时，相当于开路状态，不影响信号传输，在滤波器通带外高频段，该并联谐振电路相当于电容，该电容对信号传输起到抑制作用，在滤波器通带外低频段，该并联谐振电路相当于电感，该电感会对信号传输起到抑制作用，进而实现体声波滤波器的带外抑制改善。
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公开(公告)号：CN111600573A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010481281.2
申请日：2020-05-31
Applicant: 诺思(天津)微系统有限责任公司
Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域，特别地涉及一种滤波器、多工器、通信设备及滤波器制造方法。在该滤波器中，在晶圆的管脚上连接金属平板，当晶圆叠加时，可在滤波器的特定节点形成平板电容，在不增加滤波器制作工艺步骤的情况下，利用引入的电容改善滤波器性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111342810A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811551330.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 天津大学 , 诺思(天津)微系统有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种滤波器单元，包括：功能基底，设置有空腔；和功能器件，设置于所述功能基底且包括多个体声波谐振器，所述多个谐振器共用压电层，每个谐振器具有设置于共用压电层的对应部分的两侧的顶电极和底电极，所述顶电极、底电极和共用压电层形成三明治结构，且每个谐振器构成子三明治结构，其中：所述子三明治结构与其下方的空腔型声学镜形成对应谐振器的有效区域，所述空腔型声学镜为所述空腔的一部分；所述三明治结构由所述空腔支撑且至少两个谐振器的空腔型声学镜彼此相通。本发明也涉及一种滤波器以及具有该滤波器的电子设备。
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公开(公告)号：CN111130499A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010010060.7
申请日：2020-01-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体器件领域，提供了一种宽带薄膜腔声谐振滤波器，其中，所述宽带薄膜腔声谐振滤波器包括衬底、设置在所述衬底上的信号线、以及至少两个串联谐振单元和至少一个并联谐振单元；所述至少两个串联谐振单元串联连接到所述信号线，所述至少一个并联谐振单元连接在所述信号线与接地端子之间；所述串联谐振单元包括形成于所述衬底上的串联谐振器和与该串联谐振器串联连接的电感，所述并联谐振单元包括形成于所述衬底上的并联谐振器和与该并联谐振器串联连接的电感。本发明提供的宽带薄膜腔声谐振滤波器具有较大的相对带宽，应用范围较大。
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公开(公告)号：CN111049488A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910614244.1
申请日：2019-07-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；腔，形成在所述基板中；第一电极、压电层和第二电极，按顺序堆叠在所述基板上；谐振部，通过在所述腔的上部在竖直方向上叠置的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极定义；附加层，设置在布置于位于所述谐振部的外侧的布线区域中的所述第一电极的一个表面上；以及布线电极，连接至布置在所述布线区域中的所述第一电极。所述第一电极与所述附加层和所述布线电极形成接触界面表面。
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公开(公告)号：CN111010128A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910486920.1
申请日：2019-06-05
Applicant: 天津大学 , 诺思(天津)微系统有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极，与所述底电极对置，且具有电极连接部；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；在所述顶电极的边缘设置有环形结构，所述环形结构具有单个凹形环、多个凹形环、单个凸形环、多个凸形环中的至少一种环形结构。本发明还涉及一种滤波器，以及一种具有该滤波器的电子设备。
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公开(公告)号：CN110741550A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201880037723.5
申请日：2018-02-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供更简便且高精度的频率调整方法。是具备具有根据施加给电极的电压进行振动的振动部的谐振器的谐振装置的制造方法，包含：在振动部中的与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域形成由氧化钼构成的调整膜的工序；以及通过激光除去调整膜中至少一部分来调整上述谐振器的频率的工序。
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