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公开(公告)号：CN114978045A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210539947.4
申请日：2022-05-18
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种双频Doherty功率放大器及射频分立器件，其中放大器包括：输入电路、第一放大电路、第二放大电路以及输出电路；其中，第一放大电路和第二放大电路的电路结构相同，且相对称；输入电路包括50欧姆阻抗线和金属通孔地；50欧姆阻抗线连接至第一放大电路；金属通孔地连接至第二放大电路；第一放大电路的输出端和第二放大电路的输出端均连接至输出电路。本发明一方面通过稳定与增益平衡电路在增益、稳定性和线性度之间进行了折衷，提高了合路后的电路线性度，另一方面利用阻抗预调节电路将双频最优阻抗点调节到接近点，降低了输出端电路双频匹配的难度与电路结构的复杂度。本发明可广泛应用于无线通信领域。
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公开(公告)号：CN114928336A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210613527.6
申请日：2022-06-01
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开一种具有优化低频噪声功能的达林顿放大器，应用于射频通信领域，针对现有技术在放大器电路运用到极低频时噪声的抑制能力稍有欠缺，且带外高频稳定性关注度不足的问题；本发明在有源偏置晶体管的栅极与漏极之间采用RC反馈，利用较小的电容值实现极低频噪声的抑制，同时利用小电阻避免有源偏置自激，并采用LR并联频率选择结构来增强高频稳定性。
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公开(公告)号：CN114900134A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210542947.X
申请日：2022-05-18
申请人： 成都通量科技有限公司
摘要： 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端，带体电极隔离MOS管中和电容放大器设置有第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；第一MOS管中的栅极接正相输入信号端Vin+，第一MOS管中的漏极接正相输出信号端Vout+；第二MOS管中的栅极接反相输入信号端Vin‑，第二MOS管中的漏极接负相输出信号端Vout‑；第三MOS管中的源极连接第一电阻，第三MOS管中的体电极连接第二电阻；第四MOS管中的源极连接第一电阻。本发明可以提高放大器的增益，优化放大器的噪声系数，有助于射频芯片整体性能的提升。
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公开(公告)号：CN114884472A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210562775.2
申请日：2022-05-23
申请人： 王琮
IPC分类号： H03F1/42 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/21 , G06F30/367
摘要： 基于谐波调控的J类分布式功率放大器及其优化方法，本发明的目的是为了解决分布式放大器中不同位置晶体管的不均匀驱动状态等导致的放大器输出功率、效率与增益较低的问题。本发明基于谐波调控的分布式功率放大器包括输入人工均匀传输线、输出人工非均匀传输线和多个增益单元，输出人工非均匀传输线的两端口连接有电抗式终端，在每个增益单元中晶体管的栅极上连接有RC并联谐振电路。本发明基于负载牵引方法利用谐波调控技术，在NDA终端开路结构加入纯电抗式终端网络，既能改善端口特性提高系统稳定性，又能将终端网络结构融入匹配网络，提高电路利用率，使该功率放大器具有大功率、高效率、超宽带、高增益、高集成度等特点。
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公开(公告)号：CN114765452A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210030262.7
申请日：2022-01-12
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
摘要： 本申请题为“用于功率放大器变压器的方法和装置”。示例装置(102)包括具有第一近端和第一远端的第一变压器绕组(148)和具有第二近端和第二远端的第二变压器绕组(152)，该第一近端具有距第二近端的第一距离，并且该第一远端具有距第二远端的第二距离，第一距离小于第二距离。
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公开(公告)号：CN114731142A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080075744.3
申请日：2020-09-15
申请人： 沃尔夫斯皮德股份有限公司
IPC分类号： H03F3/193
摘要： 基于氮化镓的RF晶体管放大器包括具有基于氮化镓的沟道层和其上的基于氮化镓的势垒层的半导体结构，并且被配置为在特定的直流漏极‑源极偏置电压下操作。这些放大器被配置为在直流漏极‑源极偏置电压处具有归一化漏极‑栅极电容，并且在直流漏极‑源极偏置电压的三分之二处具有第二归一化漏极‑栅极电容，其中第二归一化漏极‑栅极电容小于第一归一化漏极‑栅极电容的两倍。
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公开(公告)号：CN114710122A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210495703.0
申请日：2016-08-12
申请人： 维尔塞特公司
发明人： 布拉尼斯拉夫·彼得洛维奇 , 肯尼思·布鲁尔 , 肯尼思·布尔 , 史蒂夫·肯特 , 萨特·贾拉丁
IPC分类号： H03F1/02 , H03F1/32 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/24 , H04B1/04 , H04B17/13 , H04L27/233 , H04L27/38
摘要： 用于降低可包括电信卫星的电信系统(550)的用户终端和/或网关的成本和/或功耗的电路和方法。实施例产生基于应用到功率放大器(PA)的信号输入的信息信号包络(其可以是预失真的)的动态输入偏置信号，从而降低平均功耗。其他实施例还包括信息信号的动态线性化(518)，和/或依据信息信号的包络的到功率放大器(PA)的电源电压的变化。另一方面是用于提供两个或更多个输出电压的多级“链式”反馈稳压电源电路，所述输出电压可用作到功率放大器(PA)的另选电源电压。
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公开(公告)号：CN114696757A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111546046.X
申请日：2021-12-16
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 杉山幸大
摘要： 提供容易兼顾NF值的劣化的抑制和电路的大型化的抑制的放大电路。放大电路(1)具备：输入端子(t1)；输出端子(t2)；放大器(10)，具有并联连接的晶体管(Tr1及Tr2)和电容器(C1及C2)；和电感器(L1、L2或L3)。晶体管(Tr1及Tr2)具有与输入端子(t1)连接的栅极、与接地连接的源极及与输出端子(t2)连接的漏极。电感器(L1、L2或L3)设置在输入端子(t1)与连接点(N1)之间。电容器(C1)配置在将连接点(N1)和晶体管(Tr1)的栅极连结的路径上，电容器(C2)配置在将连接点(N1)和晶体管(Tr2)的栅极连结的路径上，电容器(C1)的电容和电容器(C2)的电容不同。
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公开(公告)号：CN114614770A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111296628.7
申请日：2021-11-04
申请人： 恩智浦美国有限公司
摘要： 本公开涉及在单独基板上具有功率晶体管和静电放电保护电路的功率放大器。一种放大器包括半导体管芯和不同于所述半导体管芯的基板。所述半导体管芯包括III‑V半导体基板、第一RF信号输入端、第一RF信号输出端和晶体管(例如，GaN FET)。所述晶体管具有电耦合到所述第一RF信号输入端的控制端和电耦合到所述第一RF信号输出端的载流端。所述基板包括第二RF信号输入端、第二RF信号输出端、耦合在所述第二RF信号输入端与所述第二RF信号输出端之间的电路系统，以及静电放电(ESD)保护电路。所述放大器还包括电耦合在所述ESD保护电路与所述晶体管的所述控制端之间的连接件。所述基板可以是(例如，具有驱动晶体管和/或阻抗匹配电路系统的)另一半导体管芯或集成无源装置。
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公开(公告)号：CN114584090A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210281186.7
申请日：2022-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种宽增益调节范围的可变增益放大器电路结构，属于可变增益放大器技术领域，包括三级宽带匹配变压器、两级数控可变增益放大器，信号先经第一级变压器的初级线圈耦合到次级线圈，再经第一级有源数控可变增益放大器由第二级变压器的初级线圈耦合到次级线圈。本发明采用两级有源数控可变增益放大器级联的形式，每级采用6位加权放大基础单元并联电路结构，能够实现宽增益调节范围；通过变压器实现输入、输出、级间匹配，进而设计实现宽带可变增益放大器电路结构；每级有源数控可变增益放大器采用大增益基础放大器并联的形式，使得在不同增益状态下实现低相位偏移。
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