公开(公告)号：CN101154479A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153567.2

申请日：2004-03-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 原义豪 ,  山铺有香 ,  川崎学 ,  野中敏央

IPC: H01B3/00 ,  C04B35/00 ,  C08K3/00 ,  C08K5/00 ,  H01G4/20

Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物，是含有无机填充物、树脂和溶剂沸点在160℃或其以上的溶剂而构成的糊状组合物，其特征在于，具有1种或其以上溶剂沸点在160℃或其以上的溶剂，具有填充物的平均粒径为5μm或其以下的无机填充物，总溶剂量为糊状组合物总量的25重量％或其以下；本发明还涉及一种电介质组合物，是含有无机填充物和树脂的电介质组合物，无机填充物至少具有2种平均粒径，所述平均粒径中最大的平均粒径为0.1～5μm，相对于最小平均粒径，最大平均粒径为其3倍或其以上。根据本发明，可以获得线膨胀系数低、具有大静电容量的高介电组合物。

公开(公告)号：CN1967751A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610171861.1

申请日：2006-11-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： Q·谭 ,  P·C·欧文 ,  Y·曹

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/018 ,  H01G4/06 ,  H01G4/20 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/20 ,  H01G4/33

Abstract: 提供一种包括第一电极(12)的薄膜电容器(10)。薄膜电容器(10)还包括具有第一介电常数的设置在第一电极(12)上的第一介电层(14)和具有第二介电常数的设置在第一介电层(14)上的第二介电层(16)，其中第二介电常数比第一介电常数至少大50％。还包括设置在第二介电层(16)上的第二电极。

公开(公告)号：CN1266742C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02811637.2

申请日：2002-03-26

Applicant: 克里公司

Inventor： M·K·达斯 ,  S·舍帕 ,  H·哈格莱特纳

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L21/768 ,  H01G4/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94

Abstract: 提出一种具有氧化层、介电材料层和在所述介电材料层上的第二氧化层的碳化硅的电容和互连结构。氧化层的厚度是所述各氧化层和介电材料层的厚度的总和的大约百分之0.5到百分之33。还提出具有氮氧化硅层作为介电材料层的碳化硅电容和互连结构。这种介电结构可以设置在金属层之间，以便形成金属-绝缘体-金属电容或可用作互连结构的金属间电介质、以便形成具有改善的平均无故障时间的器件和结构。还提出制造这种电容和结构的方法。

公开(公告)号：CN1401127A

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN01804939.7

申请日：2001-11-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高谷稔 ,  远藤敏一

IPC: H01G4/20 ,  H01B3/00

CPC classification number: H01P5/185 ,  H01F5/06 ,  H01F17/0006 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/327 ,  H01F41/046 ,  H01F2017/0026 ,  H01G4/40 ,  H01P1/20345 ,  H01P5/10 ,  H01P5/187 ,  H01Q1/38 ,  H03F1/22 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/1725 ,  H03H2001/0085 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/162 ,  H05K1/165 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/086

Abstract: 本发明的目的旨在提供比先有的材料介电常数高、强度不降低、小型而高性能、综合的电气特性优异的电子部件，以及提供可以抑制使用材料的电气特性特别是介电常数在批次间的变化从而可以抑制材料形成时模具的磨损的电子部件用基板和电子部件和提供耐压高的电子部件。为了达到该目的，采用其结构具有至少投影形状为圆、扁平圆或椭圆形的电介质分散到树脂中的复合电介质材料的电子部件用基板和电子部件。

公开(公告)号：CN1261457A

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN98806558.4

申请日：1998-05-14

Applicant: 阿维科斯公司

Inventor： 戴维·A·杜普雷 ,  约翰·L·高尔韦格尼 ,  安德鲁·P·里特

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/012 ,  H01G4/008 ,  H01G4/228 ,  H01G2/20 ,  H01G4/248 ,  H01G4/06 ,  H01G4/20 ,  H05K1/18 ,  H05K7/02 ,  H01R9/00

CPC classification number: H01G2/065 ,  H01G4/30 ,  H05K1/0216 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/112 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2201/0979 ,  H05K2201/10045 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613

Abstract: 一种多层陶瓷电容器件(38)具有在其外表面上限定多个电端子的电容器主体(42)。各端子彼此交叉,以便各第一极性端子(44)和各第二极性端子(46)相邻(反之也如此)。电容器主体(42)包含有多个相对且间隔交叠的电容器板。第一极性的电容器板通过多个引线结构与各第一极性端子电连接。同样,多个引线结构电连接第二极性的电容器板与各第二极性端子。

公开(公告)号：CN1016911B

公开(公告)日：1992-06-03

申请号：CN90102967.X

申请日：1990-10-22

Applicant: 同济大学

Inventor： 毛立钧 ,  陈家华

IPC: H01B3/30 ,  H01B3/28 ,  H01G4/20

Abstract: 高介电常数低介电损耗膜，属于电气行业中制作电容器和绝缘材料的高分子聚合物共混薄膜材料。该高分子共混材料由聚丙烯和丁腈橡胶(腈含量26-35%)在混炼机中充分混合而制得，将制得的共混物破碎后模压或挤出压延以及双向拉伸制得各种符合规格的薄膜，经测试该薄膜的介电常数高达4.21，介电损耗低于3×10-3，且具有良好的加工性能，用本发明的薄膜制成的电容器，其体积减小54%。

公开(公告)号：CN119585129A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380052785.4

申请日：2023-08-28

Applicant: 中松博士创新研究所

Inventor： 中松义郎

IPC: B60K1/04 ,  B60K16/00 ,  B60L8/00 ,  B60L50/40 ,  B60L50/64 ,  H01G2/02 ,  H01G4/20 ,  H01G4/38 ,  H01G11/08 ,  H01G15/00 ,  H01G17/00 ,  H02S20/00 ,  H02S20/24

Abstract: 去除以往的EV的缺点。以往的EV不合算。为了解决以上的问题，由电容器形成结构物、主体，兼用作形成体和蓄电。

公开(公告)号：CN119517620A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411429380.0

申请日：2024-10-14

Applicant: 宁波大学 ,  宁波华丰包装有限公司

Inventor： 李伟平 ,  侯亚飞 ,  张琦雄 ,  杨红玲 ,  杨建

IPC: H01G4/20 ,  D04H1/728 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明公开了一种多层梯度结构的纳米复合电介质薄膜及其制备方法，包括对称设置的外层承压层和位于两层承压层中间的极化层，特点是承压层与极化层之间设置有缓冲层，缓冲层为P(VDF‑HFP)和PMMA按体积比60％的比例混合而成；承压层、极化层和缓冲层中均填充有Ni(OH)2，其制备方法包括以下步骤：1)采用水热法制备Ni(OH)2纳米片；2)将Ni(OH)2纳米片加入到承压层、缓冲层和极化层中，按多层梯度结构进行静电纺丝；3)在预设的条件下热压成膜得到多层梯度结构的纳米复合电介质薄膜；优点是能够显著缓解多层结构不同功能层之间介电差异，同时改善击穿场强和介电常数，并提高储能密度。

公开(公告)号：CN115966402B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202211546528.X

申请日：2022-12-05

Applicant: 中南大学

Inventor： 胡海龙 ,  张帆 ,  侯红帅 ,  岳建岭 ,  罗世彬 ,  张斗

IPC: H01G4/04 ,  H01G4/20 ,  H01G13/04

Abstract: 本发明公开了一种柔性纳米复合电介质混合液及柔性纳米复合电介质和应用，本发明的柔性纳米复合电介质混合液包括以总量计的7～30wt％铁电材料、0.5～1.2wt％碳量子点、4～10wt％聚合物基体和55％～88wt％有机溶剂，在室温下，将所述柔性纳米复合电介质混合液旋涂于柔性衬底上，干燥得到本发明的柔性纳米复合电介质。本发明的柔性纳米复合电介质的制备方法基于阈值理论，在制备柔性纳米复合电介质所采用的柔性纳米复合电介质混合液中新加入了少量导电的碳量子点，极大地提高了柔性纳米复合电介质的相对介电常数，并通过磁力机械搅拌工艺与旋涂工艺相结合的制备工艺实现了大规模的复合电介质薄膜的制备。

公开(公告)号：CN117681521A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311759842.0

申请日：2023-12-20

Applicant: 陕西科技大学

Inventor： 王卓 ,  刘壮 ,  易志辉 ,  薛颖 ,  宁泽宇 ,  王娇娇 ,  侯彩丹

IPC: B32B27/30 ,  B32B27/18 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  B29C41/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20

Abstract: 一种三层非对称结构BaxSr1‑xTiO3@DA/PVDF复合材料、制备方法及其应用，所述复合材料包括流延在基底上的第一层复合材料，流延在第一层复合材料上的第二层复合材料，流延在第二层复合材料上的第三层复合材料，第一、第二以及第三层复合材料均为BaxSr1‑xTiO3@DA/PVDF，x为0.7、0.8或0.9，且第一、第二和第三层复合材料中x取值均不同；制备方法：制备草酸氧钛酸溶液、制备溶液D、制备BaxSr1‑xTiO(C2O4)2·4H2O前驱体、制备BaxSr1‑xTiO3纳米粉体、制备羟基化(BaxSr1‑xTiO3)纳米粉体、制备包覆溶液、多巴胺包覆、制备PVDF/DMF混合物、制备BaxSr1‑xTiO3@DA粉体悬浊液、制备BaxSr1‑xTiO3@DA/PVDF复合材料；解决了现有复合材料无法满足在超级电容器和储能器件中的应用要求的问题，具有击穿强度大、介电常数大、优极化强度优异、能量储存密度高、充放电效率高、环境友好的特点。