一种五层Ba0.6Sr0.4TiO3@DA/PVDF复合材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN117510947A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311231216.4

    申请日:2023-09-22

    Abstract: 一种五层Ba0.6Sr0.4TiO3@DA/PVDF复合材料、制备方法及应用,包括第一层复合材料中Ba0.6Sr0.4TiO3@DA粉体占PVDF质量分数与第五层复合材料中Ba0.6Sr0.4TiO3@DA粉体占PVDF质量分数相同,均为a%,第二层复合材料中Ba0.6Sr0.4TiO3@DA粉体占PVDF质量分数与第四层复合材料中Ba0.6Sr0.4TiO3@DA粉体占PVDF质量分数相同,均为b%,第三层复合材料中Ba0.6Sr0.4TiO3@DA粉体占PVDF质量分数为c%,且a+b+c=5;其制备方法为:制备Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,制备Ba0.6Sr0.4TiO3@DA粉体;制备PVDF/DMF混合溶液;将制备的Ba0.6Sr0.4TiO3@DA粉体与制备的PVDF/DMF混合溶液混合,得到Ba0.6Sr0.4TiO3@DA粉体分散均匀的悬浊液,将得到的悬浊液用流延法流延在玻璃基底上,得到五层Ba0.6Sr0.4TiO3@DA/PVDF复合材料;五层Ba0.6Sr0.4TiO3@DA/PVDF复合材料制成不同规格的样品,在其表面喷金,形成小的电容器;本发明能够在相对较低的击穿场强下具备较高的储能密度,具有成本低、工艺简单、对环境友好的特点。

    一种In3+和F-共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及制备方法

    公开(公告)号:CN119613102A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202411747275.1

    申请日:2024-12-02

    Abstract: 本发明公开了一种In3+和F‑共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及其制备反方法,该陶瓷材料的结构通式为InxTi1‑3x/2O2‑3xF3x,其中x的取值为0.03~0.06,本发明通过配料、球磨、预烧、二次球磨、过筛、压片、气氛烧结制备而成;通过新的掺杂策略调控TiO2基巨介电陶瓷的性能,且原料单一,制备工艺简单、成本低廉、重复性好、成品率高,所得陶瓷材料均获得巨介电性能;其中,x=0.05时,其介电常数为33429,损耗为0.06,温度稳定性达到X9R。

    一种高储能聚醚酰亚胺电介质材料、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN118126322A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410250272.0

    申请日:2024-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种高储能聚醚酰亚胺电介质材料、制备方法及应用,制备方法为:将二胺基苯醚类化合物加入到极性溶剂中,得到混合溶液,将芳香族二酐加入到上述混合溶液中,通过原位聚合反应和真空处理,生成聚醚酰胺酸溶液;将所述的聚醚酰胺酸溶液制膜,梯度升温进行亚环化反应,得到聚醚酰亚胺电介质薄膜,烘干,得到高储能聚醚酰亚胺电介质材料;所述的高储能聚醚酰亚胺电介质材料在制备电介质电容器、半导体和电子封装领域中应用;以克服现有技术高温下放电能量密度和充放电效率较小,无法满足电介质材料在高温、高电场、高储能密度环境的应用要求。

    一种三层非对称结构BaxSr1-xTiO3@DA/PVDF复合材料、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN117681521A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311759842.0

    申请日:2023-12-20

    Abstract: 一种三层非对称结构BaxSr1‑xTiO3@DA/PVDF复合材料、制备方法及其应用,所述复合材料包括流延在基底上的第一层复合材料,流延在第一层复合材料上的第二层复合材料,流延在第二层复合材料上的第三层复合材料,第一、第二以及第三层复合材料均为BaxSr1‑xTiO3@DA/PVDF,x为0.7、0.8或0.9,且第一、第二和第三层复合材料中x取值均不同;制备方法:制备草酸氧钛酸溶液、制备溶液D、制备BaxSr1‑xTiO(C2O4)2·4H2O前驱体、制备BaxSr1‑xTiO3纳米粉体、制备羟基化(BaxSr1‑xTiO3)纳米粉体、制备包覆溶液、多巴胺包覆、制备PVDF/DMF混合物、制备BaxSr1‑xTiO3@DA粉体悬浊液、制备BaxSr1‑xTiO3@DA/PVDF复合材料;解决了现有复合材料无法满足在超级电容器和储能器件中的应用要求的问题,具有击穿强度大、介电常数大、优极化强度优异、能量储存密度高、充放电效率高、环境友好的特点。

    一种温度稳定型超低损耗微波介质陶瓷材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116854473A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310815021.8

    申请日:2023-07-05

    Abstract: 一种温度稳定型超低损耗微波介质陶瓷材料、制备方法及应用,微波介质陶瓷材料为具有层状钙钛矿结构的铝基化合物固溶体,化学式为Sr0.6Ca0.4LaAl1‑x(Mg0.5Ti0.5)xO4,0≤x≤0.5;制备方法为:选用SrCO3、CaCO3、La2O3、Al2O3、MgO和TiO2为原料,将SrCO3、CaCO3、Al2O3、MgO和TiO2烘干,La2O3煅烧,按Sr0.6Ca0.4LaAl1‑x(Mg0.5Ti0.5)xO4(0≤x≤0.5)的化学计量比进行配料,得到处理后的原料;将处理后的原料球磨、烘干和过筛,得到一次球磨料;将一次球磨料煅烧、保温随炉冷却,得到Sr0.6Ca0.4LaAl1‑x(Mg0.5Ti0.5)xO4预烧粉体;将Sr0.6Ca0.4LaAl1‑x(Mg0.5Ti0.5)xO4预烧粉体二次湿法球磨、烘干和过筛,得到二次球磨料;将二次球磨料冷等静压成型,得到陶瓷生坯;将陶瓷生坯烧结、保温随炉冷却,得到Sr0.6Ca0.4LaAl1‑x(Mg0.5Ti0.5)xO4微波介质陶瓷;本发明所需原料成本低,制备工艺简单,陶瓷性能优异稳定,得到的陶瓷微波介电性能更加优异。

    一种纳米铌酸银粉体的共沉淀制备方法

    公开(公告)号:CN117735608A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311774134.4

    申请日:2023-12-22

    Inventor: 王卓 宁泽宇 吴丹

    Abstract: 一种纳米铌酸银粉体的共沉淀制备方法,包括以下步骤:将两份乙二酸(C2H2O4)分别与去离子水混合均匀,按质量比计(下同),乙二酸(C2H2O4):去离子水=(0.05~0.07):1,得到C2H2O4溶液A和C2H2O4溶液B;将AgNO3:C2H2O4溶液A=1:(1~3)混合搅拌,得到混合溶液A;将Nb2O5:C2H2O4溶液B=1:(1~3)混合搅拌,得到混合溶液B;混合溶液A:混合溶液B=(1.01~1.02):1,搅拌,得到混合溶液C;将混合溶液C调节pH值后稳定,将乙二醇(CH2OH)2:混合溶液C=(0.06~0.09):1混合搅拌,得到纳米铌酸银前驱体;恒温干燥,得到纳米铌酸银前驱体粉体;进行研碎煅烧,得到纳米铌酸银粉体;本发明具有制备工艺简单、成本低的优点。

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