公开(公告)号：CN1266742C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02811637.2

申请日：2002-03-26

Applicant: 克里公司

Inventor： M·K·达斯 ,  S·舍帕 ,  H·哈格莱特纳

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L21/768 ,  H01G4/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94

Abstract: 提出一种具有氧化层、介电材料层和在所述介电材料层上的第二氧化层的碳化硅的电容和互连结构。氧化层的厚度是所述各氧化层和介电材料层的厚度的总和的大约百分之0.5到百分之33。还提出具有氮氧化硅层作为介电材料层的碳化硅电容和互连结构。这种介电结构可以设置在金属层之间，以便形成金属-绝缘体-金属电容或可用作互连结构的金属间电介质、以便形成具有改善的平均无故障时间的器件和结构。还提出制造这种电容和结构的方法。

公开(公告)号：CN1541404A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN02811637.2

申请日：2002-03-26

Applicant: 克里公司

Inventor： M·K·达斯 ,  L·A·利普金 ,  J·W·帕尔穆尔 ,  S·舍帕 ,  H·哈格莱特纳

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L21/768 ,  H01G4/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94

Abstract: 提出一种具有氧化层、介电材料层和在所述介电材料层上的第二氧化层的碳化硅的电容和互连结构。氧化层的厚度是所述各氧化层和介电材料层的厚度的总和的大约百分之0.5到百分之33。还提出具有氮氧化硅层作为介电材料层的碳化硅电容和互连结构。这种介电结构可以设置在金属层之间，以便形成金属－绝缘体－金属电容或可用作互连结构的金属间电介质、以便形成具有改善的平均无故障时间的器件和结构。还提出制造这种电容和结构的方法。